Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создав...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2018 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150276 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862710732816121856 |
|---|---|
| author | Каримов, А.В. Рахматов, А.З. Абдулхаев, О.А. Арипова, У.Х. Хидирназарова, А.Ю. Кулиев, Ш.М. |
| author_facet | Каримов, А.В. Рахматов, А.З. Абдулхаев, О.А. Арипова, У.Х. Хидирназарова, А.Ю. Кулиев, Ш.М. |
| citation_txt | Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создавая условия для увеличения выдерживаемой импульсной мощности.
Робота присвячена вивченню впливу радіаційного опромінення та подальшої термічної обробки на вольт-амперні та ємнісні характеристики високочастотних кремнієвих діодів. Досліджувалися діоди з р+—р—n—n+-структурою, виготовлені з пластин кремнію КЕФ-4 n-типу провідності вихідною товщиною 235 мкм. Радіаційну обробку проводили на лінійному прискорювачі електронів ЕЛУ-6.
This paper is devoted to studying the effect of radiation exposure and subsequent heat treatment on the current-voltage and capacitance characteristics of high-frequency silicon diodes.The authors studied p+–p–n–n+ diodes made of n-type KEF-4 (КЭФ-4) silicon wafers with an initial thickness of 235 μm. Radiation processing was performed using an ELU-6 (ЭЛУ-6) linear electron accelerator.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:26:25Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-150276 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:26:25Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Каримов, А.В. Рахматов, А.З. Абдулхаев, О.А. Арипова, У.Х. Хидирназарова, А.Ю. Кулиев, Ш.М. 2019-04-03T18:31:27Z 2019-04-03T18:31:27Z 2018 Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.4.33 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150276 621.315.592.2:546.681'19 Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создавая условия для увеличения выдерживаемой импульсной мощности. Робота присвячена вивченню впливу радіаційного опромінення та подальшої термічної обробки на вольт-амперні та ємнісні характеристики високочастотних кремнієвих діодів. Досліджувалися діоди з р+—р—n—n+-структурою, виготовлені з пластин кремнію КЕФ-4 n-типу провідності вихідною товщиною 235 мкм. Радіаційну обробку проводили на лінійному прискорювачі електронів ЕЛУ-6. This paper is devoted to studying the effect of radiation exposure and subsequent heat treatment on the current-voltage and capacitance characteristics of high-frequency silicon diodes.The authors studied p+–p–n–n+ diodes made of n-type KEF-4 (КЭФ-4) silicon wafers with an initial thickness of 235 μm. Radiation processing was performed using an ELU-6 (ЭЛУ-6) linear electron accelerator. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре СВЧ-техника Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment Article published earlier |
| spellingShingle | Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки Каримов, А.В. Рахматов, А.З. Абдулхаев, О.А. Арипова, У.Х. Хидирназарова, А.Ю. Кулиев, Ш.М. СВЧ-техника |
| title | Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки |
| title_alt | Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment |
| title_full | Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки |
| title_fullStr | Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки |
| title_full_unstemmed | Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки |
| title_short | Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки |
| title_sort | управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки |
| topic | СВЧ-техника |
| topic_facet | СВЧ-техника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150276 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki AT rahmatovaz upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki AT abdulhaevoa upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki AT aripovauh upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki AT hidirnazarovaaû upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki AT kulievšm upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki AT karimovav upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki AT rahmatovaz upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki AT abdulhaevoa upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki AT aripovauh upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki AT hidirnazarovaaû upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki AT kulievšm upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki AT karimovav controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment AT rahmatovaz controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment AT abdulhaevoa controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment AT aripovauh controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment AT hidirnazarovaaû controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment AT kulievšm controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment |