Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки

Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создав...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2018
Main Authors: Каримов, А.В., Рахматов, А.З., Абдулхаев, О.А., Арипова, У.Х., Хидирназарова, А.Ю., Кулиев, Ш.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150276
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1860095864777736192
author Каримов, А.В.
Рахматов, А.З.
Абдулхаев, О.А.
Арипова, У.Х.
Хидирназарова, А.Ю.
Кулиев, Ш.М.
author_facet Каримов, А.В.
Рахматов, А.З.
Абдулхаев, О.А.
Арипова, У.Х.
Хидирназарова, А.Ю.
Кулиев, Ш.М.
citation_txt Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создавая условия для увеличения выдерживаемой импульсной мощности. Робота присвячена вивченню впливу радіаційного опромінення та подальшої термічної обробки на вольт-амперні та ємнісні характеристики високочастотних кремнієвих діодів. Досліджувалися діоди з р+—р—n—n+-структурою, виготовлені з пластин кремнію КЕФ-4 n-типу провідності вихідною товщиною 235 мкм. Радіаційну обробку проводили на лінійному прискорювачі електронів ЕЛУ-6. This paper is devoted to studying the effect of radiation exposure and subsequent heat treatment on the current-voltage and capacitance characteristics of high-frequency silicon diodes.The authors studied p+–p–n–n+ diodes made of n-type KEF-4 (КЭФ-4) silicon wafers with an initial thickness of 235 μm. Radiation processing was performed using an ELU-6 (ЭЛУ-6) linear electron accelerator.
first_indexed 2025-12-07T17:26:25Z
format Article
fulltext Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018, ¹ 4 33ISSN 2225-5818 ÑÂ×-ÒÅÕÍÈÊÀ 1 ÓÄÊ 621.315.592.2:546.681'19 Ä. ф.-м. í. А. В. КАРИМОВ, д. т. í. А. З. РАХМАТОВ, к. ф.-м. í. О. А. АБÄУЛХАЕВ, к. т. í. У. Х. АРИПОВА, А. Ю. ХИÄИРНАЗАРОВА, Ш. М. КУЛИЕВ Óзбекистан, г. Ташкент, Физико-технический институт НПО “Физика–Солнце” АН РÓз E-mail: karimov@uzsci.net ÓПРАВЛЕНИЕ ПАÄЕНИЕМ НАПРЯЖЕНИЯ ÊРЕМНИЕВОГО ÄИОÄА ПÓТЕМ ОБЛÓЧЕНИЯ ЭЛЕÊТРОНАМИ И ТЕРМИЧЕСÊОЙ ОБРАБОТÊИ Высокочастотные выпрямительно-ограни чи- тельные диоды используются в источниках пи- тания для выпрямления переменного тока, в элементах защиты радиоэлектронного оборудо- вания, а также в переключающих устройствах [1]. Они составляют основу устройств энерго- сберегающих технологий, отвечая высоким тре- бованиям по выдерживаемой мощности и ста- бильности параметров. В зависимости от значе- ния допустимого прямого тока выпрямительные диоды подразделяются на диоды малой (прямой ток до 1,0 А) и средней (до 10 А) мощности и мощные (более 10 А). Êаждый тип полупрово- дникового прибора характеризуется рядом экс- плуатационных характеристик, которые зависят от электрофизических параметров и совершен- ства используемых технологических процессов. Основной задачей в технологическом процес- се изготовления высокочастотных диодов явля- ется обеспечение оптимального значения прямо- го падения напряжения, сравнимого с контакт- ной разностью потенциалов р—n-перехода, и малого тока утечки. Также необходимо добить- ся как можно меньших значений времени вос- становления обратного тока и времени жизни неосновных носителей заряда, и для этого ди- одные структуры подвергаются радиационному воздействию (гамма, электронному, нейтрон- ному или протонному [2—4]). Так, в [5] впер- вые было показано, что при обработке кремни- евых n+—p+-структур ускоренными протонами (500 кэВ, (3—5)∙1016 см–3) имеет место сниже- ние прямого падения напряжения за счет фор- мирования на границе n+—p+-областей локаль- Приведеíы результаты исследоваíия вольт-амперíых и емкостíых характеристик кремíиевой диод- íой р+—р—n—n+-структуры, облучеííой флюеíсами быстрых электроíов, до и после термической обработки. Показаíо, что после термической обработки умеíьшаются как прямое падеíие íапря- жеíия, так и ток утечки, создавая условия для увеличеíия выдерживаемой импульсíой мощíости. Ключевые слова: диффузиоííый диод, вольт-амперíая характеристика, емкостíая характеристи- ка, радиациоííое облучеíие, термическая обработка, падеíие íапряжеíия. ной области толщиной 1 мкм. Êроме того, в [6] было показано, что путем нейтронного облуче- ния можно идентифицировать пробивное напря- жение диодных структур, а также уменьшить время жизни неосновных носителей [7, 8]. В [9] на основе исследования зависимости прямого падения напряжения Uпр диодов 2Ä237 и 2Ä2992 от интегрального потока «быстрых» электронов показано, что при облучении дозой до 1016 см–2 величина Uпр растет за счет компенса- ции легирующей примеси радиационными дефек- тами с энергетическими уровнями EC–0,19 эВ, EC –0,21 эВ (А-центры), а при повышении дозы до (2—8)∙1016 см–2 Uпр уменьшается за счет от- жига центров EC–0,38 эВ, EC–0,42 эВ (дивакан- сии). Соответственно, если проводится облуче- ние малыми дозами, то для снижения падения напряжения до номинальных значений необхо- димо провести термический отжиг, что на дан- ный момент мало изучено. В настоящей работе приведены результаты исследования влияния радиационного воздей- ствия и последующей термической обработки на вольт-амперные и емкостные характеристи- ки высокочастотных диодов. Образцы для исследований Исследовались высокочастотные кремни- евые диффузионные диоды с р+—р—n—n+- структурой, изготовленные на основе кремния ÊЭФ-4 n-типа проводимости (рис. 1). В исход- ной пластине кремния толщиной 235 мкм пу- тем последовательной диффузии алюминия на глубину 100 мкм и бора на 45 мкм были полу- чены области р- и р+-типа, а диффузией фос- DOI: 10.15222/TKEA2018.4.33 Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018, ¹ 4 34 ISSN 2225-5818 ÑÂ×-ÒÅÕÍÈÊÀ 2 фора на тыльную поверхность — сильнолегиро- ванная область n+-типа. При этом толщина базо- вой области n-типа составляла 75—80 мкм [8]. Омические контакты получены последова- тельным нанесением тонких слоев никеля и зо- лота. Радиационную обработку диодных структур проводили на линейном ускорителе электронов ЭЛÓ-6 при величине интегрального потока «бы- стрых» электронов от 1,0∙1015 до 2,6∙1017 см–2 с энергией 1,5 МэВ, плотность потока электро- нов составляла 1,7∙1011 — 5,5∙1013 см–2∙с–1. Экспериментальные результаты и их обсуждение Исходная вольт-амперная характеристика (ÂÀÕ) исследуемого высокочастотного крем- ниевого диода с р+—р—n—n+-структурой опи- сывается экспоненциальной зависимостью с ко- ротким пологим участком, связанным с влия- нием сопротивления базы, который после облу- чения образца становится более протяженным из-за зависимости сопротивления базы от вели- чины тока (рис. 2). Зависимость тока от напряжения с учетом падения напряжения на базе описывается урав- нением 0 ( ) exp áq U I r I I mkT   , (1) где I0 — ток насыщения; q — заряд; U — приложенное напряжение; I∙rб — падение напряжения в базе (произведение тока на сопротивление базы); m — коэффициент неидеальности (m = 1,08, что соответствует преобладанию диффузи- онного механизма токопереноса [10]); k — постоянная Больцмана; T — абсолютная температура. На рис. 3 приведены прямая и обратная ВАХ облученного кремниевого диода до и после тер- мической обработки галогенной лампой при 90°С в течение 5 часов в специальной камере. Êак видно из рис. 3, а, термообработка приводит к смещению прямой ВАХ в область меньших на- пряжений (т. е. заданный ток можно достичь при меньшем напряжении). При этом, однако, следует отметить, что в области малых значе- Рис. 1. Геометрическая модель высокочастотного диффузионного диода nSi:P Ni+Au n+ Ni+Au Wp—n p p+ Рис. 2. ВАХ кремниевой диодной р+—р—n—n+- структуры до (1) и после (2) облучения электронами 0,2 0,4 0,6 Uпрям, В Iпрям, мА 8000 6000 4000 2000 0 1 2 Рис. 3. Прямая (а) и обратная (б) ВАХ кремниевой диодной р+—р—n—n+-структуры до (1) и после (2) термической обработки Iпрям, мА 8000 6000 4000 2000 0 0,2 0,4 0,6 Uпрям, В 2 1 а) Iобр, мА 10–2 10–3 10–4 10–5 10–6 10–7 0 50 100 150 200 Uобр, В 2 1 б) Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018, ¹ 4 35ISSN 2225-5818 ÑÂ×-ÒÅÕÍÈÊÀ 3 ний тока падение напряжения после термобра- ботки может увеличиться, например, с 0,38 до 0,48 В. Ток обратной ветви ВАХ после терми- ческой обработки уменьшился примерно в пять раз (рис. 3, б). Исследования зависимости емкости от на- пряжения (рис. 4) показали, что в координатах 1/С3 — U она является прямой линией, под- тверждая тем самым плавный переход, обуслов- ленный линейным нарастанием концентрации примеси [10]: 03áàð êîí2( ) q N Ñ S U     , где Сбар — барьерная емкость; S — площадь структуры; ε — диэлектрическая проницаемость полупро- водника; ε0 — диэлектрическая проницаемость вакуу- ма; N — концентрация примеси в базовой области; φкон — контактная разность потенциалов на р—n-переходе; U — запирающее напряжение. Здесь следует отметить, что, несмотря на плавность р—n-перехода исследуемых диодных структур, после соответствующей радиационной обработки их исходная емкость уменьшается, по- этому снижается напряженность электрического поля и время включения диодной структуры [8]. Заключение Экспериментальные исследования показа- ли, что в кремниевой диодной р+—р—n—n+- структуре после облучения быстрыми электро- нами и соответствующей термической обработки прямое падение напряжения уменьшается, при- ближаясь к первоначальным значениям, а об- ратный ток уменьшается примерно в пять раз, что приводит к уменьшению выделяемой диодом мощности. При этом также улучшаются и вре- менные характеристики высокочастотного дио- да за счет снижения емкости (до одного поряд- ка). Механизм токопереноса до и после обра- ботки остается диффузионным, а линейное рас- пределение примеси в базовой области способ- ствует снижению искажений сигнала при изме- нении частоты полезного сигнала. ИСПОЛЬЗОВАННЫЕ ИСТОЧНИÊИ 1. Синица А. В., Глухов А. В., Скорняков С. П. и др. Некоторые особенности конструирования мощных выпрямительно-ограничительных диодов для сетевых за- щитных устройств // Силовая электроника.— 2015.— № 4.— С. 54—56. 2. Hazdra P., Vobecky J., Dorschner H., Brand K. Axial lifetime control in silicon power diodes by irradiation with protons, alphas, low- and high-energy electrons // Microelectronics Journal.— 2004.— Vol. 35, № 3. P. 249– 257.— https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00194-0 3. Êозлов В. А., Êозловский В. В. Легирование полу- проводников радиационными дефектами при облучении протонами и α-частицами // Физика и техника полупро- водников.— 2001.— Т. 35, № 7.— С. 769—795. 4. Vobecky J., Hazdra P., Zahlava V. Impact of the electron, proton and helium irradiation on the forward I–V characteristics of high-power p–i–n diode // Microelectronics Reliability.— 2003.— Vol. 43, N 4.— P. 537–544.— https:// doi.org/10.1016/S0026-2714(03)00023-4 5. Лагов П. Б., Äренин А. С. Разработка радиацион- ной технологии прецизионного управления характеристи- ками переключения кремниевых силовых приборов // Сб. трудов Междунар. науч.-технич. Êонф. им. Леонардо да Винчи.— Wissenschaftliche Welt, 2013.— Том 1 .— С. 130—132. 6. Rakhmatov A. Z., Petrov D.A., Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulkhaev O.A. Influence of neutron radiation on breakdown voltage of silicon voltage limiter // Radioelectronics and Communication Systems.— 2012.— Vol. 55, iss. 7.— P. 332—334.— https://doi.org/10.3103/ S0735272712070060 7. Poklonski N. A., Gorbachuk N. I., Tarasik M. I., Shpakovski S. V., Filipenia V. A., Skuratov V. A., Wieck A., Koltunowicz T. N. Effects of fluences of irradiation with 107 MeV krypton ions on the recovery charge of silicon p+-n- diodes // Acta Physica Polonica A.— 2011.— Vol. 120, № 1.— P. 111–114.— https://doi.org/10.12693/APhysPolA.120.111 8. Рахматов А. З., Êаримов А. В., Сандлер Л. С. и др. Влияние гамма- и электронного облучения на клю- чевые параметры мощных высокочастотных диффузи- онных диодов // Êомпоненты и технологии.— 2013.— № 10.— С.140—142. 9. Ладыгин Е. А., Орлова М. Н., Волков Ä. Л. Основные типы радиационных центров и их влияние на электрофизические параметры кремниевых диодных струк- тур при обработке быстрыми электронами // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной тех- ники.— 2007.— № 2.— С. 22−27. 10. Sze S. M., Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices.— Hoboken-New Jersey, Wiley-Interscience, 2007.— 477 р. Äата поступлеíия рукописи в редакцию 01.08 2018 ã. Рис. 4. Зависимость емкости С от запирающего напря- жения кремниевой диодной р+—р—n—n+-структуры после облучения 1/С3, 1/нФ3 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 0,5 0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 Uобр, В Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018, ¹ 4 36 ISSN 2225-5818 ÑÂ×-ÒÅÕÍÈÊÀ 4 А. В. КАРІМОВ, А. З. РАХМАТОВ, О. А. АБÄУЛХАЄВ, У. Х. АРІПОВА, А. Ю. ХІÄІРНАЗАРОВА, Ш. М. КУЛІЄВ Óзбекистан, м. Ташкент, Фізико-технічний інститут НВО «Фізика–Сонце» АН РУз E-mail: karimov@uzsci.net ÓПРАВЛІННЯ ПАÄІННЯМ НАПРÓГИ ÊРЕМНІЄВОГО ÄІОÄА ШЛЯХОМ ОПРОМІНЕННЯ ЕЛЕÊТРОНАМИ ТА ТЕРМІЧНОЇ ОБРОБÊИ Високочастотíі випрямíі обмежувальíі діоди використовуються в джерелах живлеííя для випрямлеííя зміííоãо струму, в елемеíтах захисту радіоелектроííоãо обладíаííя, а також в перемикаючих пристро- ях. Воíи складають осíову пристроїв еíерãозберіãаючих техíолоãій, відповідаючи високим вимоãам щодо витримуваíої потужíості і стабільíості параметрів. Осíовíим завдаííям у техíолоãічíому процесі ви- ãотовлеííя високочастотíих діодів є забезпечеííя оптимальíоãо зíачеííя прямоãо падіííя íапруãи, яке можíа порівíяти з коíтактíою різíицею потеíціалів р—n-переходу, і малоãо струму витоку. Äаíа робота присвячеíа вивчеííю впливу радіаційíоãо опроміíеííя та подальшої термічíої обробки íа вольт-амперíі та ємíісíі характеристики високочастотíих кремíієвих діодів. Äосліджувалися діоди з р+—р—n—n+-структурою, виãотовлеíі з пластиí кремíію КЕФ-4 n-типу провідíості вихідíою товщиíою 235 мкм. Радіаційíу обробку проводили íа ліíійíому прискорювачі електроíів ЕЛУ-6. Іíтеãральíий потік «швидких» електроíів складав від 1,0∙1015 до 2,6∙1017 см–2, еíерãія 1,5 МеВ, щільíість 1,7∙1011 — 5,5∙1013 см–2∙с –1. Термічíу обробку проводили протяãом 5 ãодиí за темпе- ратури 90°С у спеціальíій камері. На осíові проведеíих досліджеíь показаíо, що термообробка призводить до зміщеííя прямої вольт- амперíої характеристики в область меíших íапруã (тобто задаíий струм можíа досяãти за меíшої íапруãи), одíак за малих зíачеíь струму падіííя íапруãи після термобработкі може збільшитися. Зворотíій струм змеíшується в п’ять разів, спричиíюючи змеíшеííя виділеíої потужíості. При цьому також покращуються і часові характеристики діода за рахуíок зíижеííя ємíості (до одíоãо порядку). Ключові слова: дифузíий діод, вольт-амперíа характеристика, ємíісíа характеристика, радіаційíе опроміíеííя, термічíа обробка, падіííя íапруãи. A. V. KARIMOV, A. Z. RAKHMATOV, O. A. ABDULKHAEV, U. H. ARIPOVA, A.Yu. KHIDIRNAZAROVA, Sh. M. KULIYEV Uzbekistan, Tashkent, Physical-Technical Institute, Scientific Association Physics–Sun, Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan E-mail: karimov@uzsci.net CONTROLLING VOLTAGE DROPS IN SILICON DIODES BY ELECTRON IRRADIATION AND THERMAL TREATMENT High-frequency limiting rectifier diodes are used in power sources for rectifying alternating current, in protective elements of radio-electronic equipment, and in switching devices. They are the basis of energy-saving devices, meeting the high requirements for power limit and performance. The main task in the manufacturing process of high-frequency diodes is to ensure the low leakage current and the optimum value of the forward voltage drop which can be compared with the contact potential difference of the p–n junction. This paper is devoted to studying the effect of radiation exposure and subsequent heat treatment on the current-voltage and capacitance characteristics of high-frequency silicon diodes.The authors studied p+–p–n–n+ diodes made of n-type KEF-4 (КЭФ-4) silicon wafers with an initial thickness of 235 μm. Radiation processing was performed using an ELU-6 (ЭЛУ-6) linear electron accelerator. The integral flux of “fast” electrons ranged from 1,0∙1015 to 2,6∙1017 cm–2, energy was 1.5 MeV, density was 1,7∙1011 — 5,5∙1013 cm–2∙s –1. Heat treatment was performed for 5 hours at a temperature of 90°C in a special chamber. The studies have shown that heat treatment lead to a shift of the forward current-voltage characteristic to a region of lower voltages (i.e., a given current can be reached at a lower voltage); at low current values, however, the voltage drop may increase after heat treatment. Reverse current decreased fivefold, resulting in a decrease in power output. At the same time, the temporal characteristics of the diode could also be improved by reducing the capacitance (to one order of magnitude). Keywords: diffuse diode, current-voltage characteristic, capacitance characteristic, radiation exposure, heat treatment, voltage drop. DOI: 10.15222/TKEA2018.4.33 UDC 621.315.592.2:546.681'19 Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018, ¹ 4 37ISSN 2225-5818 ÑÂ×-ÒÅÕÍÈÊÀ 5 REFERENCES 1. Sinitsa A.V., Glukhov A.V., Skornyakov S.P., Karimov A.V., Rakhmatov A.Z. [Some features of designing power- ful rectifier-limiting diodes for network protection devices]. Power electronics, 2015, no. 3, pp. 54–56. (Rus) 2. Hazdra P., Vobecky J., Dorschner H., Brand K. Axial lifetime control in silicon power diodes by irradiation with pro- tons, alphas, low- and high-energy electrons. Microelectronics Journal, 2004, vol. 35, no. 3, pp. 249–257. https://doi. org/10.1016/S0026-2692(03)00194-0 3. Kozlov V. A., Kozlovski V. V. Doping of semiconduc- tors using radiation defects produced by irradiation with protons and alpha particles. Semiconductors, 2001, vol. 35, iss. 7, pp. 735–761. https://doi.org/10.1134/1.1385708. 4. Vobecky J., Hazdra P., Zahlava V. Impact of the electron, proton and helium irradiation on the forward I–V characteristics of high-power P–i–N diode. Microelectronics Reliability, 2003, vol. 43, no. 4, pp. 537–544. https://doi. org/10.1016/S0026-2714(03)00023-4 5. Lagov P.B., Drenin A.S. Development of radiation technology for precision control of switching characteristics of silicon power devices. Proceedings of the International Scientific and Technical Leonardo da Vinci Conference. Wissenschaftliche Welt, 2013, vol. 1, pp. 130–132. (Rus) 6. Rakhmatov A. Z., Petrov D.A., Karimov A.V. et al. Influence of neutron radiation on breakdown voltage of silicon voltage limiter. Radioelectronics and Communication Systems, 2012, vol. 55, iss. 7, pp. 332–334. https://doi.org/10.3103/ S0735272712070060 7. Poklonski N. A., Gorbachuk N. I., Tarasik M. I. et al. Effects of fluences of irradiation with 107 MeV krypton ions on the recovery charge of silicon p+-n-diodes. Acta Physica Polonica A, 2011, vol. 120, no. 1, pp. 111–114. https://doi. org/10.12693/APhysPolA.120.111 8. Rakhmatov A.Z., Karimov A.V., Sandler L.S., Yodgorova D.M., Skornyakov S.P. [Influence of gamma and electron irradiation on the key parameters of high-power high- frequency diffusion diodes]. Components and technologies, St. Petersburg, 2013, no. 10, pp. 140–142. (Rus) 9. Ladygin E.A., Orlova M.N., Volkov D.L. [The main types of radiation centers and their influence on the electro- physical parameters of silicon diode structures during process- ing by fast electrons]. Journal Materials of Electronics, 2007, no. 2, pp. 22–27. (Rus) 10. Sze S.M., Kwok K.Ng. Physics of Semiconductor Devices. Hoboken-New Jersey, Wiley-Interscience, 2007, 477 p. Описание статьи для цитирования: А. В. Êаримов, А. З. Рахматов, О. А. Абдулхаев, Ó. Х. Арипова, А. Ю. Хидирназарова, Ш. М. Êулиев. Óправление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки. Техно­логия­ и­ конструи­рование­ в­ электронной­ аппаратуре,­ 2018,­№­4,­с.­33-37.­http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.4.33­ Cite the article as: Karimov A. V., Rakhmatov A. Z., Abdulkhaev O. A., Aripova U. H., Khidirnazarova A. Yu., Kuliyev Sh. M. Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment. Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2018, no. 4, pp. 33-37. http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.4.33 Зайков Â. П., Мещеряков Â. È., Журавлёв Ю. È. Прогнозиро- вание показателей надежности термоэлектрических охлаждающих устройств. Êнига 3. Методы повышения надежности.— Одес са: По- ли тех пе ри о ди ка, 2018. Êнига посвящена одной из ключевых проблем проектирования термо элек три чес- ких устройств (ТЭÓ) — поиску путей повышения их надежности. Исследованы основные методы повышения показателей надежности ТЭÓ: конструктивный, па- раметрический, структурный и комбинированный. Приведены результаты расчетов основных характеристик и показателей надежности одно- и двухкаскадных ТЭÓ в зависимости от геометрии ветвей термоэлементов, токового режима работы, па- раметров исходных материалов термоэлементов (термоэлектрической эффектив- ности, коэффициента термо-эдс и электропроводности) и проведен анализ полу- ченных результатов. Также рассмотрены простейшие схемы резервирования эле- ментов и проведен сравнительный анализ различных способов включения резерва. Показаны возможности комбинированного (совмещенного) метода повышения по- казателей надежности ТЭÓ путем оценки совместного использования конструктив- ного и параметрического методов в сравнении с результатами, которые можно по- лучить при их раздельном применении. Предназначена для инженеров, научных работников, а также студентов соответ- ствующих специальностей, занимающихся вопросами надежности элементов элек- троники и в целом РЭА, а также разработкой и проектированием термоэлектриче- ских устройств. Í О Â І Ê Í È ÃÈ ÍОÂІ ÊÍÈÃÈ
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-150276
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-07T17:26:25Z
publishDate 2018
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Каримов, А.В.
Рахматов, А.З.
Абдулхаев, О.А.
Арипова, У.Х.
Хидирназарова, А.Ю.
Кулиев, Ш.М.
2019-04-03T18:31:27Z
2019-04-03T18:31:27Z
2018
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818
DOI: 10.15222/TKEA2018.4.33
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150276
621.315.592.2:546.681'19
Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создавая условия для увеличения выдерживаемой импульсной мощности.
Робота присвячена вивченню впливу радіаційного опромінення та подальшої термічної обробки на вольт-амперні та ємнісні характеристики високочастотних кремнієвих діодів. Досліджувалися діоди з р+—р—n—n+-структурою, виготовлені з пластин кремнію КЕФ-4 n-типу провідності вихідною товщиною 235 мкм. Радіаційну обробку проводили на лінійному прискорювачі електронів ЕЛУ-6.
This paper is devoted to studying the effect of radiation exposure and subsequent heat treatment on the current-voltage and capacitance characteristics of high-frequency silicon diodes.The authors studied p+–p–n–n+ diodes made of n-type KEF-4 (КЭФ-4) silicon wafers with an initial thickness of 235 μm. Radiation processing was performed using an ELU-6 (ЭЛУ-6) linear electron accelerator.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
СВЧ-техника
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment
Article
published earlier
spellingShingle Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
Каримов, А.В.
Рахматов, А.З.
Абдулхаев, О.А.
Арипова, У.Х.
Хидирназарова, А.Ю.
Кулиев, Ш.М.
СВЧ-техника
title Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
title_alt Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment
title_full Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
title_fullStr Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
title_full_unstemmed Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
title_short Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
title_sort управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
topic СВЧ-техника
topic_facet СВЧ-техника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150276
work_keys_str_mv AT karimovav upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki
AT rahmatovaz upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki
AT abdulhaevoa upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki
AT aripovauh upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki
AT hidirnazarovaaû upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki
AT kulievšm upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki
AT karimovav upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki
AT rahmatovaz upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki
AT abdulhaevoa upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki
AT aripovauh upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki
AT hidirnazarovaaû upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki
AT kulievšm upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki
AT karimovav controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment
AT rahmatovaz controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment
AT abdulhaevoa controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment
AT aripovauh controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment
AT hidirnazarovaaû controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment
AT kulievšm controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment