Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки

Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создав...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2018
Main Authors: Каримов, А.В., Рахматов, А.З., Абдулхаев, О.А., Арипова, У.Х., Хидирназарова, А.Ю., Кулиев, Ш.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150276
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862710732816121856
author Каримов, А.В.
Рахматов, А.З.
Абдулхаев, О.А.
Арипова, У.Х.
Хидирназарова, А.Ю.
Кулиев, Ш.М.
author_facet Каримов, А.В.
Рахматов, А.З.
Абдулхаев, О.А.
Арипова, У.Х.
Хидирназарова, А.Ю.
Кулиев, Ш.М.
citation_txt Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создавая условия для увеличения выдерживаемой импульсной мощности. Робота присвячена вивченню впливу радіаційного опромінення та подальшої термічної обробки на вольт-амперні та ємнісні характеристики високочастотних кремнієвих діодів. Досліджувалися діоди з р+—р—n—n+-структурою, виготовлені з пластин кремнію КЕФ-4 n-типу провідності вихідною товщиною 235 мкм. Радіаційну обробку проводили на лінійному прискорювачі електронів ЕЛУ-6. This paper is devoted to studying the effect of radiation exposure and subsequent heat treatment on the current-voltage and capacitance characteristics of high-frequency silicon diodes.The authors studied p+–p–n–n+ diodes made of n-type KEF-4 (КЭФ-4) silicon wafers with an initial thickness of 235 μm. Radiation processing was performed using an ELU-6 (ЭЛУ-6) linear electron accelerator.
first_indexed 2025-12-07T17:26:25Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-150276
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-07T17:26:25Z
publishDate 2018
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Каримов, А.В.
Рахматов, А.З.
Абдулхаев, О.А.
Арипова, У.Х.
Хидирназарова, А.Ю.
Кулиев, Ш.М.
2019-04-03T18:31:27Z
2019-04-03T18:31:27Z
2018
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818
DOI: 10.15222/TKEA2018.4.33
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150276
621.315.592.2:546.681'19
Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создавая условия для увеличения выдерживаемой импульсной мощности.
Робота присвячена вивченню впливу радіаційного опромінення та подальшої термічної обробки на вольт-амперні та ємнісні характеристики високочастотних кремнієвих діодів. Досліджувалися діоди з р+—р—n—n+-структурою, виготовлені з пластин кремнію КЕФ-4 n-типу провідності вихідною товщиною 235 мкм. Радіаційну обробку проводили на лінійному прискорювачі електронів ЕЛУ-6.
This paper is devoted to studying the effect of radiation exposure and subsequent heat treatment on the current-voltage and capacitance characteristics of high-frequency silicon diodes.The authors studied p+–p–n–n+ diodes made of n-type KEF-4 (КЭФ-4) silicon wafers with an initial thickness of 235 μm. Radiation processing was performed using an ELU-6 (ЭЛУ-6) linear electron accelerator.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
СВЧ-техника
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment
Article
published earlier
spellingShingle Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
Каримов, А.В.
Рахматов, А.З.
Абдулхаев, О.А.
Арипова, У.Х.
Хидирназарова, А.Ю.
Кулиев, Ш.М.
СВЧ-техника
title Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
title_alt Управління падінням напруги кремнієвого діода шляхом опромінення електронами та термічної обробки
Controlling voltage drops in silicon diodes by electron irradiation and thermal treatment
title_full Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
title_fullStr Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
title_full_unstemmed Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
title_short Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
title_sort управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
topic СВЧ-техника
topic_facet СВЧ-техника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150276
work_keys_str_mv AT karimovav upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki
AT rahmatovaz upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki
AT abdulhaevoa upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki
AT aripovauh upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki
AT hidirnazarovaaû upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki
AT kulievšm upravleniepadeniemnaprâženiâkremnievogodiodaputemoblučeniâélektronamiitermičeskoiobrabotki
AT karimovav upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki
AT rahmatovaz upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki
AT abdulhaevoa upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki
AT aripovauh upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki
AT hidirnazarovaaû upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki
AT kulievšm upravlínnâpadínnâmnaprugikremníêvogodíodašlâhomopromínennâelektronamitatermíčnoíobrobki
AT karimovav controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment
AT rahmatovaz controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment
AT abdulhaevoa controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment
AT aripovauh controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment
AT hidirnazarovaaû controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment
AT kulievšm controllingvoltagedropsinsilicondiodesbyelectronirradiationandthermaltreatment