Зображення обкладинки

Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки

Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создав...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2018
Автори:	Каримов, А.В., Рахматов, А.З., Абдулхаев, О.А., Арипова, У.Х., Хидирназарова, А.Ю., Кулиев, Ш.М.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Теми:	СВЧ-техника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150276
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка
за авторством: Мазилов, А.В., та інші
Опубліковано: (2002)

Влияние облучения электронами на структурно-фазовое состояние породообразующего кварца
за авторством: Березняк, Е.П., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры
за авторством: Рахматов, А.З.
Опубліковано: (2013)

Влияние облучения ускоренными электронами на физико-химические свойства полиэфирных покрытий
за авторством: Григорчук, Д.И., та інші
Опубліковано: (1983)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Методика исследования графитовых материалов в среде кислорода под действием облучения электронами
за авторством: Зеленский, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2011)

Влияние облучения электронами на поперечную проводимость монокристалла YBa₂Cu₃O₇–δ
за авторством: Хаджай, Г.Я., та інші
Опубліковано: (2019)

Влияние облучения электронами и гамма-квантами на структуру и фазовый состав природного пирофиллита
за авторством: Березняк, Е.П., та інші
Опубліковано: (2014)

Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
за авторством: Aзaренков, Н.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Улучшение свариваемости сплава на никелевой основе ЧС-104 путем оптимизации режима термической обработки
за авторством: Малый, А.Б.
Опубліковано: (2008)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Обоснование рациональных параметров добычи угля на шахтах с крутым падением пластов
за авторством: Гринев, В.Г., та інші
Опубліковано: (2010)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2010)

Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2012)

Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2012)

Направленность сверхизлучения из плазмы сильноточного импульсного плазменного диода
за авторством: Целуйко, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2018)

Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2011)

Производство фотоэлектрических преобразователей и рынок кремниевого сырья в 2006—2010 гг.
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2006)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
за авторством: Кучинский, П.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

О коэффициенте циклотронного поглощения электромагнитных волн тепловыми электронами
за авторством: Капитанов, В.Я., та інші
Опубліковано: (2001)

Еще раз о развитии солнечной энергетики и рынке кремниевого сырья в 2007—2010 гг.
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2007)

Исследования анизотропной термической и радиационно-термической ползучести оболочечных труб из сплава Zr-1%Nb
за авторством: Рогозянов, А.Я., та інші
Опубліковано: (2001)

Скорости возбуждения и ионизации атома углерода электронами
за авторством: Щукина, Н.Г., та інші
Опубліковано: (1986)

Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами
за авторством: Маслов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2002)

Подвижность дислокаций в кристаллах LiF, облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Малик, А.К., та інші
Опубліковано: (2003)

Сопротивление монокристаллического сплава термической усталости
за авторством: Гецов, Л.Б., та інші
Опубліковано: (2008)

Методика оценки термической стойкости многослойного наплавленного металла
за авторством: Бабинец, А.А.
Опубліковано: (2015)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Конгресс по термической обработке металлов
за авторством: Дмитрик, В.В.
Опубліковано: (2007)

Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами
за авторством: Неклюдов, И.М., та інші
Опубліковано: (2009)