Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки
Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической обработки уменьшаются как прямое падение напряжения, так и ток утечки, создав...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | Каримов, А.В., Рахматов, А.З., Абдулхаев, О.А., Арипова, У.Х., Хидирназарова, А.Ю., Кулиев, Ш.М. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150276 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки / А.В. Каримов, А.З. Рахматов, О.А. Абдулхаев, У.Х. Арипова, А.Ю. Хидирназарова, Ш.М. Кулиев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 4. — С. 33-37. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры
von: Рахматов, А.З.
Veröffentlicht: (2013)
von: Рахматов, А.З.
Veröffentlicht: (2013)
Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка
von: Мазилов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Мазилов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Влияние облучения электронами на структурно-фазовое состояние породообразующего кварца
von: Березняк, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Березняк, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Влияние облучения ускоренными электронами на физико-химические свойства полиэфирных покрытий
von: Григорчук, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (1983)
von: Григорчук, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (1983)
Методика исследования графитовых материалов в среде кислорода под действием облучения электронами
von: Зеленский, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Зеленский, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Влияние облучения электронами на поперечную проводимость монокристалла YBa₂Cu₃O₇–δ
von: Хаджай, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Хаджай, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Формирование TiNx покрытий конденсацией плазмы падением потенциала
von: Кунченко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Кунченко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Влияние облучения электронами и гамма-квантами на структуру и фазовый состав природного пирофиллита
von: Березняк, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Березняк, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
von: Aзaренков, Н.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Aзaренков, Н.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Улучшение свариваемости сплава на никелевой основе ЧС-104 путем оптимизации режима термической обработки
von: Малый, А.Б.
Veröffentlicht: (2008)
von: Малый, А.Б.
Veröffentlicht: (2008)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Обоснование рациональных параметров добычи угля на шахтах с крутым падением пластов
von: Гринев, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Гринев, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Направленность сверхизлучения из плазмы сильноточного импульсного плазменного диода
von: Целуйко, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Целуйко, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Импедансные характеристики диода с туннельными и резонансно-туннельными границами
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Производство фотоэлектрических преобразователей и рынок кремниевого сырья в 2006—2010 гг.
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2006)
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2006)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In₂Hg₃Te₆ для диода Шоттки
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводникового диода с туннельными боковыми границами
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование промежуточных слоёв диода с барьером Шоттки Al-pCdTe-Мо
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Мирсагатов, Ш.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Формирование никель-платинового силицидного слоя в качестве барьерного для диода Шоттки
von: Кучинский, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Кучинский, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Еще раз о развитии солнечной энергетики и рынке кремниевого сырья в 2007—2010 гг.
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2007)
von: Наумов, А.В.
Veröffentlicht: (2007)
О коэффициенте циклотронного поглощения электромагнитных волн тепловыми электронами
von: Капитанов, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Капитанов, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Модуль для регистрации тепловых нейтронов на основе неохлаждаемого кремниевого детектора и металлического гадолиниевого конвертера
von: Васильев, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Васильев, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Исследования анизотропной термической и радиационно-термической ползучести оболочечных труб из сплава Zr-1%Nb
von: Рогозянов, А.Я., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Рогозянов, А.Я., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Сопротивление монокристаллического сплава термической усталости
von: Гецов, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Гецов, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Скорости возбуждения и ионизации атома углерода электронами
von: Щукина, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (1986)
von: Щукина, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (1986)
Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами
von: Маслов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Маслов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами
von: Маслов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Маслов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Подвижность дислокаций в кристаллах LiF, облученных высокоэнергетическими электронами
von: Малик, А.К., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Малик, А.К., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Исследование процесса термической регенерации терморасширенного графита
von: Стративнов, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Стративнов, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Ähnliche Einträge
-
Моделирование тепловых процессов высокочастотного кремниевого p-i-n-диода
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры
von: Рахматов, А.З.
Veröffentlicht: (2013) -
Влияние облучения релятивистскими электронами на микрохрупкость монокристаллов селенида цинка
von: Мазилов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2002) -
Влияние облучения электронами на структурно-фазовое состояние породообразующего кварца
von: Березняк, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)