Новые книги
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150280 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Новые книги // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 3. — С. 13, 20, 37. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859876586295132160 |
|---|---|
| citation_txt | Новые книги // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 3. — С. 13, 20, 37. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| first_indexed | 2025-12-07T15:51:45Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018, ¹ 4
13ISSN 2225-5818
ÑÎÂÐÅÌÅÍÍÛÅ ÝËÅÊÒÐÎÍÍÛÅ ÒÅÕÍÎËÎÃÈÈ
11
Îписание статьи для цитирования:
Нèêул В. В., Äðозд А. В., Äðозд Ю. В., Озеðàíсêèй В. С.
Эффеêтèвíость поðàзðядíой êоíвейеðèзàцèè вычèслеíèй
в FPGA-êомпоíеíтàх сèстем êðèтèчесêого пðèмеíеíèя.
Технология и конструирование в электронной аппаратуре,
2018,№4,с.3-13.http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.4.03
Cite the article as:
Nikul V. V., Drozd A. V., Drozd J. V., Ozeransky V. S.
Efficiency of the computation bitwise pipelining in FPGA-
based components of safety-related systems. Tekhnologiya
i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2018, no. 4,
pp. 3-13. http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.4.03
and Applications. Warsaw, Poland, 2015, pp. 785-789.
http://dx.doi.org/10.1109/IDAACS.2015.7341410
10. Drozd A. V., Drozd Yu. V., Sulima Yu. Yu., Nikul
V. V. Perspectives in the use of bitwise pipelining in the
components of safety-related systems. Electrotechnic and
Computer Systems, 2018, no. 28 (104), pp. 186-192. (Rus)
11. Shum W., Anderson, J.H. FPGA Glitch Power
Analysis and Reduction. International Symposium on Low
power electronics and design (ISLPED), 2011, pp. 27-32.
12. Vikas D. A review on glitch reduction techniques.
International Journal of Research in Engineering and
Technology, 2014, vol. 3(2), pp. 145-148.
13. Drozd M., Drozd A. Safety-Related Instrumentation
and Control Systems and a Problem of the Hidden Faults.
Proceedings of the 10th International Conference on Digital
Technologies. Zhilina, Slovak Republic, 2014, pp. 137-140.
http://dx.doi.org/10.1109/DT.2014.6868692
14. Panato A., Silva S., Wagner F. et al. Design of
Very Deep Pipelined Multiplier for FPGAs. Proceedings
Design, Automation and Test in Europe Conference
and Exhibition, Paris, France, 2004. http://dx.doi.
org/10.1109/DATE.2004.1269200
15. Cadenas O., Megson G. A clocking technique for
FPGA pipelined designs. Journal of System Architecture, 2004,
vol. 50, iss. 11, pp. 687-696. https://doi.org/10.1016/j.
sysarc.2004.04.001
16. Wojko M. Pipelined multipliers and FPGA architec-
ture. In: Lysaght P., Irvine J., Hartenstein R. (Eds) Field
Programmable Logic and Applications. FPL 1999. Lecture
Notes in Computer Science, vol. 1673, Springer, Berlin,
Heidelberg, 1999. https://doi.org/10.1007/978-3-540-
48302-1_36
17. Abramovici M., Breuer M. A., Friedman A. D. Digital
Systems Testing and Testable Design. Wiley-IEEE Press, New
York, 1990, 652 p.
18. Mel'nyk A. O. Arkhitektura komp'yutera. Naukove
vydannya [Architecture of the computer. Scientific publi-
cation]. Luts'k, Volyns'ka oblasna drukarnya, 2008, 470 p.
(Ukr)
19. Drozd A., Sitnikov V. An online testing method for a
digit by digit pipeline multiplier with truncated calculations.
Proc. East-West Design&Test Conference, Yalta—Alushta,
Ukraine, 2004, pp. 76-82.
20. Cyclone II Architecture. Cyclone II Device
Handbook Version 3.1. Altera Corporation, 2007. Avaliable
at: http://www. altera.com/literature /hb/cyc2/ cyc2_
cii51002.pdf
21. Using TimeQuest Timing Analyzer. Altera Corporation
— University Program, 2013. avaliable at: ftp://ftp.altera.
com/up/pub/Intel_Material/13.0/Tutorials/ Timequest.pdf
22. PowerPlay Power Analysis. Quartus II Handbook
Version 13.1.0. Altera Corporation. 2013. Avaliable at: http://
www.altera.com/literature/hb/qts/qts_qii53013.pdf
23. Drozd O. V. et al. Prystriy dlya mnozhennya
N-rozryadnykh chisel [A device for multiplying N-bit numbers].
Patent no. 117062 Ukr, 2018. (Ukr)
ÍÎÂІ ÊÍÈÃÈ
Ìатвійків Ì. Д., Âус Б. Ñ., Ìатвійків Ò. Ì., Âус Ì. Б. Òехнологія
виготовлення електронних пристроїв.— Ëьвів: Âидавництво
Ëьвівської політехніки, 2017.
Вèêлàдеíо осíовíі відомості пðо сучàсíі тà пеðспеêтèвíі
техíології вèготовлеííя фуíêціоíàльíèх тà фуíêціоíàльíо-
пðогðàмовàíèх елеêтðоííèх пðèстðоїв. Розгляíуто
техíології сêлàдовèх чàстèí елеêтðоííèх пðèстðоїв: елеê-
тðоííèх модулів, мехàíічíèх êомпоíеíтів тà іí. Тàêож вè-
êлàдеíо осíовíі вèмогè до сêлàдàííя, пðогðàмувàíííя, те-
стувàííя, ðегулювàííя, íàлàштувàííя тà опеðàційíого êоí-
тðолю елеêтðоííèх пðèстðоїв.
Äля студеíтів вèщèх íàвчàльíèх зàêлàдів, яêі íàвчàються
зà íàпðямом “Елеêтðоííі àпàðàтè”, тà фàхівців, яêі пðоеê-
тують, вèготовляють àбо обслуговують ðізíомàíітíу елеê-
тðоííу техíіêу в гàлузях àвіоíіêè, біомедèчíої і побутової
техíіêè тощо.
Í
Î
Â
І
Ê
Í
È
ÃÈ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018, ¹ 4
20 ISSN 2225-5818
ÝËÅÊÒÐÎÍÍÛÅ ÑÐÅÄÑÒÂÀ: ÈÑÑËÅÄÎÂÀÍÈЯ, ÐÀÇÐÀÁÎÒÊÈ
7
crystalline-silicon-based heterojunction solar cells]. Technical
Physics Letters, 2016, vol. 42, iss. 3, pp. 313-316. https://
doi.org/10.1134/S1063785016030305
6. Radziemska Е. Effect of temperature on dark current
characteristics of silicon solar cells and diodes. International
Journal of Energy Research, 2006, vol. 30, no. 2, pp. 127-134.
https://doi.org/10.1002/er.1113
7. Flammini M. G., Debernardi N., Le Ster M., Dunne B.,
Bosman J., Theelen M. The influence of heating time and tem-
perature on the properties of CIGSSe solar cells. International
Journal of Photoenergy, 2016, Vol. 2016, Article ID 4089369.
http://dx.doi.org/10.1155/2016/4089369
8. Tonkoshkur A.S., Nakashidze L.V., Lyagushyn S.F.
Schemotechnical technologies for reliability of solar arrays.
Sistemni tekhnologii. Regional’nyy sbornik nauchnykh tru-
dov, 2018, iss. 4(117), pp. 95-107.
9. Tonkoshkur A. S., Ivanchenko A. V., Nakashydze L. V.,
Mazurik S. V. [Application of resettable elements for electrical
protection of solar batteries]. Tekhnologiya i konstruirovaniye
v elektronnoy apparature, 2018, no. 1, pp. 43-49. http://
dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.1.43 (Rus)
10. Gavrikov V. [Self-healing PTC fuses for protection
of current overload]. Novosti elektroniki, 2014, no. 12,
pp. 11-15. (Rus)
11. Kaminskaya T. P., Domkin K. I. [Self-healing fuses
for automotive electronics]. Elektronnyye komponenty, 2008,
no. 5, pp. 80-82. (Rus)
12. Pat. 6608470 USA. Overcharge protection device
and methods for lithium based rechargeable batteries. J. W.
Oglesbee, A. G. Burns. 19.08.03.
13. Protecting rechargeable Li-ion and Li-polymer batter-
ies [Electronic resource]: Littelfuse, Inc. 2017. http://www.
littelfuse.com/~/media/electronics/application_notes/lit-
telfuse_protecting_rechargeable_li_ion_and_li_polymer_bat-
teries_in_consumer_portable_electronics_application_note.
pdf.pdf
14. Nakashidze L. V., Knysh L. I. [Methodology for
determining the composition and circuit design of solar pho-
tovoltaic equipments]. Aviatsionno-kosmicheskaya tekhnika i
tekhnologiya. 2008, no. 10 (57), pp. 100-104. (Rus)
15. Koltun M. M. Optika i metrologiya solnechnykh el-
ementov [Optics and metrology of solar elements]. Moskva,
Nauka, 1985, 280 p. (Rus)
16. Tonkoshkur A. S., Chernenko I. M., Subbota V. L.
[Long-term effects of electric current on the conductivity of
zinc oxide varistor ceramics]. Neorganicheskiye materialy,
1995, vol. 31, iss. 6, pp. 730-733. (Rus)
17. Ivanchenko A. V., Tonkoshkur A. S. Electromigration
degradation model of metal oxide varistor structures.
Ukrainian Journal of Physics, 2012, vol. 57, iss. 3,
pp. 330-338.
18. Fritz J. M., Zuschlag A., Skorka D., Schmid A.,
Hahn G. Temperature dependent degradation and regenera-
tion of differently doped mc-Si materials. Energy Procedia,
2017, vol. 124, pp. 718-725. https://doi.org/10.1016/j.
egypro.2017.09.085
19. Hallam B., Herguth A., Hamer P et al. Eliminating
light-induced degradation in commercial p-type Czochralski
silicon solar cells. Applied Science. 2018, vol. 8(10), no. 1,
19 p. https://doi.org/10.3390/app8010010
Îписание статьи для цитирования:
Ивàíчеíêо А. В., Мàзуðèê С. В., Тоíêошêуð А. С.
Исследовàíèе хàðàêтеðèстèê êðемíèевых фотоэлеêтðè-
чесêèх пðеобðàзовàтелей солíечíых бàтàðей пðè пеðегðе-
ве. Технологияиконструированиевэлектроннойаппаратуре,
2018,№4,с.14-20.http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.4.14
Cite the article as:
Ivanchenko A. V., Mazurik S. V., Tonkoshkur A. S. Inve-
sti gation into the characteristics of silicon photovoltaic
converters of solar batteries in case of overheating. Tekhnolo-
giya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2018, no. 4,
pp. 14-20. http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.4.14
ÍÎÂІ ÊÍÈÃÈ
Êондир À. І. Íаноматеріалознавство і нанотехнології.— Ëьвів:
Âидавництво Ëьвівської політехніки, 2016.
Вèêлàдеíо фізèчíі, мàтеðіàлозíàвчі і техíологічíі
осíовè отðèмàííя шèðоêого êлàсу íàíомàтеðіàлів íà
оðгàíічíій, íеоðгàíічíій тà біологічíій осíовàх. Роз-
гляíуто способè вèðобíèцтвà íàíомàтеðіàлів. Нà-
ведеíо методè досліджеííя íàíооб’єêтів тà будо-
ву íàйпошèðеíішèх íèíі íàíомàтеðіàлів. Вèзíàчеíо
гàлузі зàстосувàííя íàíомàтеðіàлів.
Буде êоðèсíèм для студеíтів фізèêо-техíічíèх тà
іíжеíеðíо-техíічíèх спеціàльíостей вèщèх íàвчàль-
íèх зàêлàдів.
Í
Î
Â
І
Ê
Í
È
ÃÈ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018, ¹ 4
37ISSN 2225-5818
ÑÂ×-ÒÅÕÍÈÊÀ
5
REFERENCES
1. Sinitsa A.V., Glukhov A.V., Skornyakov S.P., Karimov
A.V., Rakhmatov A.Z. [Some features of designing power-
ful rectifier-limiting diodes for network protection devices].
Power electronics, 2015, no. 3, pp. 54–56. (Rus)
2. Hazdra P., Vobecky J., Dorschner H., Brand K. Axial
lifetime control in silicon power diodes by irradiation with pro-
tons, alphas, low- and high-energy electrons. Microelectronics
Journal, 2004, vol. 35, no. 3, pp. 249–257. https://doi.
org/10.1016/S0026-2692(03)00194-0
3. Kozlov V. A., Kozlovski V. V. Doping of semiconduc-
tors using radiation defects produced by irradiation with
protons and alpha particles. Semiconductors, 2001, vol. 35,
iss. 7, pp. 735–761. https://doi.org/10.1134/1.1385708.
4. Vobecky J., Hazdra P., Zahlava V. Impact of the
electron, proton and helium irradiation on the forward I–V
characteristics of high-power P–i–N diode. Microelectronics
Reliability, 2003, vol. 43, no. 4, pp. 537–544. https://doi.
org/10.1016/S0026-2714(03)00023-4
5. Lagov P.B., Drenin A.S. Development of radiation
technology for precision control of switching characteristics
of silicon power devices. Proceedings of the International
Scientific and Technical Leonardo da Vinci Conference.
Wissenschaftliche Welt, 2013, vol. 1, pp. 130–132. (Rus)
6. Rakhmatov A. Z., Petrov D.A., Karimov A.V. et al.
Influence of neutron radiation on breakdown voltage of silicon
voltage limiter. Radioelectronics and Communication Systems,
2012, vol. 55, iss. 7, pp. 332–334. https://doi.org/10.3103/
S0735272712070060
7. Poklonski N. A., Gorbachuk N. I., Tarasik M. I. et al.
Effects of fluences of irradiation with 107 MeV krypton ions
on the recovery charge of silicon p+-n-diodes. Acta Physica
Polonica A, 2011, vol. 120, no. 1, pp. 111–114. https://doi.
org/10.12693/APhysPolA.120.111
8. Rakhmatov A.Z., Karimov A.V., Sandler L.S.,
Yodgorova D.M., Skornyakov S.P. [Influence of gamma and
electron irradiation on the key parameters of high-power high-
frequency diffusion diodes]. Components and technologies, St.
Petersburg, 2013, no. 10, pp. 140–142. (Rus)
9. Ladygin E.A., Orlova M.N., Volkov D.L. [The main
types of radiation centers and their influence on the electro-
physical parameters of silicon diode structures during process-
ing by fast electrons]. Journal Materials of Electronics, 2007,
no. 2, pp. 22–27. (Rus)
10. Sze S.M., Kwok K.Ng. Physics of Semiconductor
Devices. Hoboken-New Jersey, Wiley-Interscience, 2007,
477 p.
Описание статьи для цитирования:
Каримов А. В., Рахматов А. З., Абдулхаев О. А., Арипова
Ó. Х., Хидирназарова А. Ю., Кулиев Ш. М. Óправление
падением напряжения кремниевого диода путем облуче-
ния электронами и термической обработки. Технология
и конструирование в электронной аппаратуре,2018,№4,
с.33-37.http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.4.33
Cite the article as:
Karimov A. V., Rakhmatov A. Z., Abdulkhaev O. A.,
Aripova U. H., Khidirnazarova A. Yu., Kuliyev Sh. M.
Controlling voltage drops in silicon diodes by electron
irradiation and thermal treatment. Tekhnologiya i
Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2018, no. 4,
pp. 33-37. http://dx.doi.org/10.15222/TKEA2018.4.33
Зайков Â. П., Мещеряков Â. È., Журавлёв Ю. È. Прогнозиро-
вание показателей надежности термоэлектрических охлаждающих
устройств. Êнига 3. Методы повышения надежности.— Одес са: По-
ли тех пе ри о ди ка, 2018.
Êнига посвящена одной из ключевых проблем проектирования термо элек три чес-
ких устройств (ТЭÓ) — поиску путей повышения их надежности. Исследованы
основные методы повышения показателей надежности ТЭÓ: конструктивный, па-
раметрический, структурный и комбинированный. Приведены результаты расчетов
основных характеристик и показателей надежности одно- и двухкаскадных ТЭÓ
в зависимости от геометрии ветвей термоэлементов, токового режима работы, па-
раметров исходных материалов термоэлементов (термоэлектрической эффектив-
ности, коэффициента термо-эдс и электропроводности) и проведен анализ полу-
ченных результатов. Также рассмотрены простейшие схемы резервирования эле-
ментов и проведен сравнительный анализ различных способов включения резерва.
Показаны возможности комбинированного (совмещенного) метода повышения по-
казателей надежности ТЭÓ путем оценки совместного использования конструктив-
ного и параметрического методов в сравнении с результатами, которые можно по-
лучить при их раздельном применении.
Предназначена для инженеров, научных работников, а также студентов соответ-
ствующих специальностей, занимающихся вопросами надежности элементов элек-
троники и в целом РЭА, а также разработкой и проектированием термоэлектриче-
ских устройств.
Í
О
Â
І
Ê
Í
È
ÃÈ
ÍОÂІ ÊÍÈÃÈ
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-150280 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:51:45Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | 2019-04-03T18:38:32Z 2019-04-03T18:38:32Z 2018 Новые книги // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 3. — С. 13, 20, 37. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150280 ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Новые книги Article published earlier |
| spellingShingle | Новые книги |
| title | Новые книги |
| title_full | Новые книги |
| title_fullStr | Новые книги |
| title_full_unstemmed | Новые книги |
| title_short | Новые книги |
| title_sort | новые книги |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150280 |