Титульные страницы и содержание

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2018
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150281
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 1-2. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1859696045548634112
citation_txt Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 1-2. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
first_indexed 2025-12-01T01:21:47Z
format Article
fulltext ТЕХНОЛОГИЯ И КОНСТРУИРОВАНИЕ В ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЕ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ Год издания 42-й © Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2018. № 5–62018 ÑÎÄÅÐÆÀÍÈÅ Зарегистрирован в ВАК Украины по разделам «Физико-математические науки», «Технические науки» Реферируется в УРЖ «Джерело» (г. Киев) Журнал включен в международную справочную систему по периодическим и продолжающимся изданиям “Ulrich’s Periodicals Directory” (США), в международную систему библиографических ссылок CrossRef, в наукометрическую базу РИНЦ, в базу данных DOAJ, в Google Scholar Номер выпущен при поддержке ОНПУ (г. Одесса), НПП «Сатурн» (г. Киев), НПП «Карат» (г. Ëüвов) Одобрено к печати Ученым советом ОНПУ (Протокол ¹ 4 от 18.12 2018 г.) Отв. за выпуск: Е. А. Тихонова У×РЕДИТЕËИ Институт физики полупровод - ников им. В. Е. Ëаøкар¸ва Научно-производственное предприятие «Сатурн» Одесскиé наöионалüныé политехническиé университет Издателüство «Политехпериодика» Свидетелüство о регистраöии ¹ КВ 21788-11688ПР от 21.12.2015 г. 3 10 17 24 30 37 44 50 55 55 Ñîâðåмåííыå ýëåêòðîííыå òåõíîëîãèè Обнаруживающая способностü псевдоколüöевых тестов по отноøению к динамическим одиночным неисправностям в словоориентированноé памяти. Ãðèöêîâ Ñ. Ñ., Ñîðîêèí Ã. Ô., Øåñòàêîâà Ò. Â. (на англиéском) Эëåêòðîííыå ñðåдñòâà: èññëåдîâàíèÿ, ðàзðàбîòêè Рентгеновское излучение, вызванное импулüсным лазерным воздеéствием на опаловые матриöы. Áåëÿíèí À. Ô., Áîðèñîâ Â. Â., Ïîïîâ Â. Â. (на ан- глиéском) Ñèñòåмы ïåðåдàчè è îбðàбîòêè ñèãíàëîâ Исследование корректирующеé способности синхрокодов для модели декодера с согласованноé обработкоé. Ñàä÷åíêî À. Â., Êóøíèðåíêî Î. À., Þðêåâè÷ À. Ã., Ñåâàñòüÿíîâ Â. Ñ. Влияние параметров детектора на эффективностü приема радиосигналов со сложноé фазовоé моду- ляöиеé. Мàêñымèâ И.Ï., Àëòóíèí Ñ.И., Áîíäàðåâ À.Ï., Ãîðбàòый И.Â. (на украинском) Îбåñïåчåíèå òåïëîâыõ ðåжèмîâ CFD-моделирование импактно-струéного радиатора для проведения термотренировки микропроöессоров. Òðîôèмîâ Â. Å., Ïàâëîâ À. Ë., Ñòîðîæóê À. Ñ. Мàòåðèàëы ýëåêòðîíèêè Исследование кристаллов Cu2ZnSnSe4 и гетеро пере- ходов на их на основе. Êîâàëþê Ò. Ò., Мàйñòðóê Ý. Â., Ñîëîâàí М. Í., Êîçÿðñêèй И. Ï., Мàðüÿí­ ÷óê Ï. Ä. Исследование øирины запрещенноé зоны смеøанных кристаллов ZnSxSe1–x. Òðóбàåâà Î. Ã., ×àйêà М. À. Влияние температуры на оптические своéства тонких пленок Cu2ZnSnSe4. Мàйñòðóê Ý. Â., Êîçÿðñêèй И. Ï., Êîçÿðñêèй Ä. Ï., Мàðüÿí÷óê Ï. Ä. (на укра- инском) Ñïèñîê ðåöåíзåíòîâ íîмåðà Пàмÿòêà дëÿ àâòîðîâ жóðíàëà TEKHNOLOGIYA I KONSTRUIROVANIE V ELEKTRONNOI APPARATURE SCIENTIFIC AND TECHNICAL JOURNAL Publication year 42nd © Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 2018. N 5–62018 ÇМ²ÑÒ ÑONTENTS Modern electronic technologies Pseudo-ring tests resolution for dynamic single faults in word-oriented memory. Gritcov S. S., Sorokin G. F., Shestacova T. V. (3) Electronic devices: research, development X-ray radiation during pulsed laser treatment of opal matrices. Belyanin À. F., Borisov V. V., Popov V. V. (10) Signals transfer and processing systems Study of the corrective ability of sync codes for the matched processing decoder. Sadchenko A. V., Kushnirenko O. A., Yurkevych A. G., Sevastianov V. S. (17) The influence of detector’s parameters on the efficiency of radio signals with complex phase modulation receiving. Maksymiv I. P., Altunin S. I., Bondariev A. P., Horbatyi I. V. (24) Thermal management CFD-simulation of impact jet radiator for thermal testing of microprocessors. Trofimov V. E., Pavlov A. L., Storozhuk A. S. (30) Materials of electronics Study on Cu2ZnSnSe4 crystals and heterojunctions on their basis. Kovaliuk T. T., Maistruk E. V., Solovan M. N., Koziarskyi I. P., Maryanchuk P. D. (37) Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals. Trubaieva O. G., Chaika M. A. (44) Influence of temperature on optical properties of thin films Cu2ZnSnSe4. Maistruk E. V., Koziarskyi I. P., Koziarskyi D. P., Maryanchuk P. D. (50) Ñóчàñíі åëåêòðîííі òåõíîëîãії Виявляюча здатн³стü псевдок³лüöевих тест³в по в³дноøенню до динам³чних одиночних несправностеé в словоор³ºнтован³é пам’ят³. Ãð³öêîâ Ñ. Ñ., Ñîðîê³í Ð. Ô., Øåñòàêîâà Ò. Â. (3) Åëåêòðîííі зàñîбè: дîñëіджåííÿ, ðîзðîбêè Рентген³всüке випром³нювання, що викликане ³мпулüсною лазерною д³ºю на опалов³ матриö³. Áºëÿí³í À. Ô., Áîðèñîâ Â. Â., Ïîïîâ Â. Â. (10) Ñèñòåмè ïåðåдàчі òà îбðîбêè ñèãíàëіâ Досл³дження коригувалüної здатност³ синхро- код³в для модел³ декодеру з узгодженою об- робкою. Ñàä÷åíêî À. Â., Êóøí³ðåíêî Î. À., Þðêåâè÷ À. Ã., Ñåâàñòüÿíîâ Â. Ñ. (17) Вплив параметр³в детектора на ефективн³стü приéмання рад³осигнал³в з³ складною фазовою модуляö³ºю. Мàêñèм³â І. Ï., Àëòóí³í Ñ. І., Áîíäàðºâ À. Ï., Ãîðбàòèй І. Â. (24) Çàбåзïåчåííÿ òåïëîâèõ ðåжèміâ CFD-моделювання ³мпактно-струменевого рад³ - атора для проведення термотренування м³кро- проöесор³в. Òðîô³мîâ Â. ª., Ïàâëîâ Î. Ë., Ñòîðîæóê Î. Ñ. (30) Мàòåðіàëè åëåêòðîíіêè Досл³дження кристал³в Cu2ZnSnSe4 та гетеро- переход³в на їхн³é основ³. Êîâàëþê Ò. Ò., Мàйñòðóê Å. Â., Ñîëîâàí М. М., Êîçÿðñêèй І. Ï., Мàð’ÿí÷óê Ï. Ä. (37) Досл³дження øирини забороненої зони в зм³- øаних кристалах ZnSxSe1–x. Òðóбàºâà Î. Ã., ×àйêà М. À. (44) Вплив температури на оптичн³ властивост³ тонких пл³вок Cu2ZnSnSe4. Мàйñòðóê Å. Â., Êîçÿðñüêèй І. Ï., Êîçÿðñüêèй Ä. Ï., Мàð’ÿí÷óê Ï. Ä. (50)
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-150281
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-01T01:21:47Z
publishDate 2018
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling 2019-04-03T18:50:07Z
2019-04-03T18:50:07Z
2018
Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 1-2. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150281
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Титульные страницы и содержание
Article
published earlier
spellingShingle Титульные страницы и содержание
title Титульные страницы и содержание
title_full Титульные страницы и содержание
title_fullStr Титульные страницы и содержание
title_full_unstemmed Титульные страницы и содержание
title_short Титульные страницы и содержание
title_sort титульные страницы и содержание
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150281