Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
Представлены результаты исследований кинетических свойств кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ Также исследованы электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях анизотипных гетеропереходов n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄ , изготовленных методом магнетронного осаждения т...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150287 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе / Т.Т. Ковалюк, Э.В. Майструк, М.Н. Солован, И.П. Козярский, П.Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 37-43. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Представлены результаты исследований кинетических свойств кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ Также исследованы электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях анизотипных гетеропереходов n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄ , изготовленных методом магнетронного осаждения тонких пленок TiO₂ на подложки из кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ . |
|---|