Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2018
• ISSN: 2225-5818
• Hauptverfasser: Ковалюк, Т.Т., Майструк, Э.В., Солован, М.Н., Козярский, И.П., Марьянчук, П.Д.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
• Schlagworte: Материалы электроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150287
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе / Т.Т. Ковалюк, Э.В. Майструк, М.Н. Солован, И.П. Козярский, П.Д. Марьянчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 37-43. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Представлены результаты исследований кинетических свойств кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ Также исследованы электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях анизотипных гетеропереходов n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄ , изготовленных методом магнетронного осаждения т...