Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
Исследованы смешанные кристаллы ZnSxSe₁₋x разного состава (х = 0,07—0,39), выращенные методом Бриджмена — Стокбаргера. У даній роботі досліджено вплив вмісту сірки на оптичну ширину забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe₁₋x.Зразки для досліджень були вирощені методом Бріджмена — Стокбаргера в...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150288 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x / О.Г. Трубаева, М.А. Чайка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 44-49. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862580257021755392 |
|---|---|
| author | Трубаева, О.Г. Чайка, М.А. |
| author_facet | Трубаева, О.Г. Чайка, М.А. |
| citation_txt | Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x / О.Г. Трубаева, М.А. Чайка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 44-49. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследованы смешанные кристаллы ZnSxSe₁₋x разного состава (х = 0,07—0,39), выращенные методом Бриджмена — Стокбаргера.
У даній роботі досліджено вплив вмісту сірки на оптичну ширину забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe₁₋x.Зразки для досліджень були вирощені методом Бріджмена — Стокбаргера в графітових тиглях діаметром 25 мм в атмосфері аргону (PAr = 2∙106 Па) за температури від 1870 до 2000 К залежно від складу вихідної шихти.
The effect of sulfur content on the optical width of the band gap in mixed crystals ZnSxSe₁₋x is investigated in this paper.The test samples for this study were grown by Bridgman-Stockbarger in graphite crucibles with the diameter of 25 mm in the Ar atmosphere (PAr = 2∙106 Pa) at a temperature from 1870 to 2000 K, depending on the composition of the initial raw materials.
|
| first_indexed | 2025-11-26T20:27:29Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-150288 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T20:27:29Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Трубаева, О.Г. Чайка, М.А. 2019-04-03T19:26:13Z 2019-04-03T19:26:13Z 2018 Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x / О.Г. Трубаева, М.А. Чайка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 5-6. — С. 44-49. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2018.5-6.44 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150288 535-34; 535-36 Исследованы смешанные кристаллы ZnSxSe₁₋x разного состава (х = 0,07—0,39), выращенные методом Бриджмена — Стокбаргера. У даній роботі досліджено вплив вмісту сірки на оптичну ширину забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe₁₋x.Зразки для досліджень були вирощені методом Бріджмена — Стокбаргера в графітових тиглях діаметром 25 мм в атмосфері аргону (PAr = 2∙106 Па) за температури від 1870 до 2000 К залежно від складу вихідної шихти. The effect of sulfur content on the optical width of the band gap in mixed crystals ZnSxSe₁₋x is investigated in this paper.The test samples for this study were grown by Bridgman-Stockbarger in graphite crucibles with the diameter of 25 mm in the Ar atmosphere (PAr = 2∙106 Pa) at a temperature from 1870 to 2000 K, depending on the composition of the initial raw materials. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe₁₋x Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe₁₋x crystals Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x Трубаева, О.Г. Чайка, М.А. Материалы электроники |
| title | Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x |
| title_alt | Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe₁₋x Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe₁₋x crystals |
| title_full | Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x |
| title_fullStr | Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x |
| title_full_unstemmed | Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x |
| title_short | Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x |
| title_sort | исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов znsxse₁₋x |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150288 |
| work_keys_str_mv | AT trubaevaog issledovanieširinyzapreŝennoizonysmešannyhkristallovznsxse1x AT čaikama issledovanieširinyzapreŝennoizonysmešannyhkristallovznsxse1x AT trubaevaog doslídžennâširinizaboronenoízonivzmíšanihkristalahznsxse1x AT čaikama doslídžennâširinizaboronenoízonivzmíšanihkristalahznsxse1x AT trubaevaog investigationofbandgapwidthinmixedznsxse1xcrystals AT čaikama investigationofbandgapwidthinmixedznsxse1xcrystals |