Вирощування та властивості товстих епітаксійних плівок залізо-ітрійового ґранату

Показано можливість методою рідкофазної епітаксії вирощувати на підкладинках з монокристалу ґалій-ґадолінійового ґранату (ҐҐҐ) плівки залізо-ітрійового ґранату (ЗІҐ) товщиною понад 60 мкм з частковим заміщенням йонів Y³⁺ на йони La³⁺. Втілення йонів La³⁺ у кристалічну ґратницю ЗІҐ уможливлює збільши...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Металлофизика и новейшие технологии
Datum:2018
Hauptverfasser: Ющук, С.І., Юр’єв, С.О., Біленька, О.Б., Горіна, О.М.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2018
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/151864
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Вирощування та властивості товстих епітаксійних плівок залізо-ітрійового ґранату / С.І. Ющук, С.О. Юр’єв, О.Б. Біленька, О.М. Горіна // Металлофизика и новейшие технологии. — 2018. — Т. 40, № 9. — С. 1247-1256. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Показано можливість методою рідкофазної епітаксії вирощувати на підкладинках з монокристалу ґалій-ґадолінійового ґранату (ҐҐҐ) плівки залізо-ітрійового ґранату (ЗІҐ) товщиною понад 60 мкм з частковим заміщенням йонів Y³⁺ на йони La³⁺. Втілення йонів La³⁺ у кристалічну ґратницю ЗІҐ уможливлює збільшити постійну ґратниці феритової плівки до значення, характерного для підкладинки з ҐҐҐ, і тим самим усунути механічні напруження в плівці, які призводять до зростання магнетних втрат. Сформовано вимоги до технологічних умов вирощування, які уможливлюють одержувати товсті монокристалічні фероґранатові плівки високої якости з вузькою лінією (ΔH = 0,6 E) феромагнетного резонансу. Показана возможность методом жидкофазной эпитаксии выращивать на подложках из монокристалла галлий-гадолиниевого граната (ГГГ) плёнки железо-иттриевого граната (ЖИГ) толщиной свыше 60 мкм с частичным замещением ионов Y³⁺ на ионы La³⁺. Внедрение ионов La³⁺ в кристаллическую решётку ЖИГ позволяет увеличить постоянную решётки ферритовой плёнки до величины, характерной для подложки из ГГГ, и тем самым устранить механические напряжения в плёнке, которые приводят к росту магнитных потерь. Сформированы требования к технологическим условиям выращивания, которые позволяют получать толстые монокристаллические феррогранатовые плёнки высокого качества с узкой линией (ΔH = 0,6 Э) ферромагнитного резонанса. The possibility to grow the yttrium–iron garnet (YIG) films with thickness more than 60 µm with the partial substitution of Y³⁺ ions for La³⁺ ions by the method of the liquid-phase epitaxy on substrates of single-crystalline gallium–gadolinium garnet (GGG) is shown. The introduction of La³⁺ ions into the YIG crystal lattice allows to increase the lattice constant of ferrite film to a value typical for the GGG substrate, and thereby to eliminate the mechanical stresses in the film, which lead to the growth of magnetic loss. The requirements to the growth technical conditions, which allow obtaining thick single-crystalline films of high quality with a narrow line (ΔH = 0.6 E) of ferromagnetic resonance, are formulated.
ISSN:1024-1809