Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов
Показано, что интерметаллические соединения InSb и GaSb после циклирования потенциала в интервале
 (+1.4 — –1,6) В в растворах гидроксидов натрия или калия приобретают способность при катодной поляризации насыщаться щелочными металлами. По результатам анодной хронопотенциометрии выполнена оц...
Saved in:
| Date: | 2008 |
|---|---|
| Main Authors: | Омельчук, А.А., Ускова, H.H., Близнюк, А.В., Савчук, Р.Н. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/15190 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов / А.А. Омельчук, H.H. Ускова, А.В. Близнюк, Р.Н. Савчук // Украинский химический журнал. — 2008. — Т. 74, № 6. — С. 95-98. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Электрохимическое окисление бинарного сплава InSb в кислых и щелочных электролитах
by: Ускова, Н.Н., et al.
Published: (2007)
by: Ускова, Н.Н., et al.
Published: (2007)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2017)
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2017)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
by: Andronova, E. V., et al.
Published: (2011)
by: Andronova, E. V., et al.
Published: (2011)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2011)
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2011)
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2003)
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2003)
Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
by: Омельчук, А.О., et al.
Published: (2008)
by: Омельчук, А.О., et al.
Published: (2008)
GaSb whiskers in sensor electronics
by: Druzhinin, A.A., et al.
Published: (2016)
by: Druzhinin, A.A., et al.
Published: (2016)
Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2018)
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2018)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2017)
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2017)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
by: Druzhinin, A., et al.
Published: (2017)
by: Druzhinin, A., et al.
Published: (2017)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2019)
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2019)
Berry phase in strained InSb whiskers
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2018)
by: A. Druzhinin, et al.
Published: (2018)
InSb Photodiodes (Review, Part I)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2016)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2016)
InSb Photodiodes (Review, Part II)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2016)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2016)
Berry phase in strained InSb whiskers
by: Druzhinin, A., et al.
Published: (2018)
by: Druzhinin, A., et al.
Published: (2018)
InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2016)
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2016)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
by: Druzhinin, A., et al.
Published: (2019)
by: Druzhinin, A., et al.
Published: (2019)
InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2016)
by: Сукач, А.В., et al.
Published: (2016)
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006)
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006)
Superconductivity and weak anti-localization in GaSb whiskers under strain
by: N. Liakh-Kaguy, et al.
Published: (2019)
by: N. Liakh-Kaguy, et al.
Published: (2019)
Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
by: Цымбал, В.А., et al.
Published: (2001)
by: Цымбал, В.А., et al.
Published: (2001)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
by: V. V. Tetyorkin, et al.
Published: (2024)
by: V. V. Tetyorkin, et al.
Published: (2024)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
by: V. V. Tetyorkin, et al.
Published: (2024)
by: V. V. Tetyorkin, et al.
Published: (2024)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
by: G. V. Beketov, et al.
Published: (2017)
by: G. V. Beketov, et al.
Published: (2017)
Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2017)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2017)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
by: Beketov, G.V., et al.
Published: (2017)
by: Beketov, G.V., et al.
Published: (2017)
Laser – induced donor centers in p-InSb
by: Fedorenko, L., et al.
Published: (2000)
by: Fedorenko, L., et al.
Published: (2000)
Обернення хвильового фронту в InSb(Cu)
by: Linnik, L.F., et al.
Published: (2022)
by: Linnik, L.F., et al.
Published: (2022)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2008)
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2008)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
by: Марончук, И.Е., et al.
Published: (2003)
by: Марончук, И.Е., et al.
Published: (2003)
Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
by: Левченко, И.В., et al.
Published: (2017)
by: Левченко, И.В., et al.
Published: (2017)
Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
by: V. M. Bondar, et al.
Published: (2016)
by: V. M. Bondar, et al.
Published: (2016)
Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
by: V. M. Bondar, et al.
Published: (2016)
by: V. M. Bondar, et al.
Published: (2016)
Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006)
by: Shutov, S.V., et al.
Published: (2006)
Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
by: S. V. Stariy, et al.
Published: (2017)
by: S. V. Stariy, et al.
Published: (2017)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2011)
by: A. V. Sukach, et al.
Published: (2011)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
by: A. Sukach, et al.
Published: (2014)
by: A. Sukach, et al.
Published: (2014)
Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions
by: Vyklyuk, J.I., et al.
Published: (2000)
by: Vyklyuk, J.I., et al.
Published: (2000)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
by: Sukach, A., et al.
Published: (2014)
by: Sukach, A., et al.
Published: (2014)
Similar Items
-
Электрохимическое окисление бинарного сплава InSb в кислых и щелочных электролитах
by: Ускова, Н.Н., et al.
Published: (2007) -
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
by: Levchenko, I.V., et al.
Published: (2017) -
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
by: Andronova, E. V., et al.
Published: (2011) -
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2011) -
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2003)