Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов
Показано, что интерметаллические соединения InSb и GaSb после циклирования потенциала в интервале
 (+1.4 — –1,6) В в растворах гидроксидов натрия или калия приобретают способность при катодной поляризации насыщаться щелочными металлами. По результатам анодной хронопотенциометрии выполнена оц...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | Омельчук, А.А., Ускова, H.H., Близнюк, А.В., Савчук, Р.Н. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/15190 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов / А.А. Омельчук, H.H. Ускова, А.В. Близнюк, Р.Н. Савчук // Украинский химический журнал. — 2008. — Т. 74, № 6. — С. 95-98. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
за авторством: Омельчук, А.О., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Омельчук, А.О., та інші
Опубліковано: (2008)
GaSb whiskers in sensor electronics
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Chemical-dynamic polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb crystals with (NH₄)₂Cr₂O₇-HBr-citric acid etching composition
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)
InSb фотодіоди (Огляд. Частина I)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2018)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
Berry phase in strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2018)
InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2016)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. V. Beketov, та інші
Опубліковано: (2017)
Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)
Trap-assisted conductivity in anodic oxide on InSb
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Beketov, G.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
за авторством: Цымбал, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Цымбал, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Superconductivity and weak anti-localization in GaSb whiskers under strain
за авторством: N. Liakh-Kaguy, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: N. Liakh-Kaguy, та інші
Опубліковано: (2019)
Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
Polarization dependences of radiation emission by hot carriers in InSb
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. M. Bondar, та інші
Опубліковано: (2016)
Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇
за авторством: Левченко, И.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Левченко, И.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Stariy, та інші
Опубліковано: (2017)
Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)
Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)
Calculation of absorption coefficients of InSb₁₋xBix solid solutions
за авторством: Vyklyuk, J.I., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Vyklyuk, J.I., та інші
Опубліковано: (2000)
Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb
за авторством: Stariy, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Stariy, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Elastic strains influence during GaSb/InAs heteroepitaxy from liquid phase
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Shutov, S.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Схожі ресурси
-
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017) -
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011) -
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011) -
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2003) -
Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
за авторством: Омельчук, А.О., та інші
Опубліковано: (2008)