Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules

Using the group theory and the method of invariants, it is shown how the vibronic potential can be written in a matrix form and the corresponding adiabatic potentials can be found. The molecule having D₃d symmetry is considered herein as an example. The symmetries of normal vibrations active in Jahn...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Condensed Matter Physics
Date:2014
Main Authors: Bercha, S.A., Rizak, V.M.
Format: Article
Language:English
Published: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2014
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/153508
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules / S.A. Bercha, V.M. Rizak // Condensed Matter Physics. — 2014. — Т. 17, № 2. — С. 23701:1-8. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862719937386119168
author Bercha, S.A.
Rizak, V.M.
author_facet Bercha, S.A.
Rizak, V.M.
citation_txt Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules / S.A. Bercha, V.M. Rizak // Condensed Matter Physics. — 2014. — Т. 17, № 2. — С. 23701:1-8. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Condensed Matter Physics
description Using the group theory and the method of invariants, it is shown how the vibronic potential can be written in a matrix form and the corresponding adiabatic potentials can be found. The molecule having D₃d symmetry is considered herein as an example. The symmetries of normal vibrations active in Jahn-Teller's effect were defined. E-E vibronic interaction was considered to obtain vibronic potential energy in a matrix form and thus the adiabatic potential. Significant differences are shown in the construction of a secular matrix D(k) for defining a dispersion law for charge carriers in the crystals and the matrix of vibronic potential energy, which depends on the normal coordinates of normal vibrations active in Jahn-Teller's effect. Dispersion law of charge carriers in the vicinity of Γ point of Brillouin zone of the crystal with D₃d² symmetry was considered as an example. У роботi показано як, використовуючи теоретико-груповий метод i метод iнварiантiв, можна одержати
 вiбронний потенцiал, записаний у матричному виглядi, та вiдповiднi адiабатичнi потенцiали. В якостi
 прикладу розглядається молекула з симетрiєю D₃d
 . Визначено симетрiю нормальних коливань, активних в ян-теллерiвському ефектi. Розглянуто E − E вiбронний зв’язок для одержання вiбронної потенцiальної енергiї у матричному виглядi та адiабатичний потенцiал. Вказано на iстотнi вiдмiнностi у побудовi
 секулярної матрицi D(~k) для знаходження закону дисперсiї електронного спектру в кристалах i матрицi
 вiбронної потенцiальної енергiї, залежної вiд нормальних координат активного в ян-теллерiвському ефектi нормального коливання. В якостi прикладу розглядується закон дисперсiї носiїв струму в околi точки
 Γ зони Брiллюена кристалу з симетрiєю D
 ²
 ₃d
 .
first_indexed 2025-12-07T18:22:25Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-153508
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1607-324X
language English
last_indexed 2025-12-07T18:22:25Z
publishDate 2014
publisher Інститут фізики конденсованих систем НАН України
record_format dspace
spelling Bercha, S.A.
Rizak, V.M.
2019-06-14T10:41:28Z
2019-06-14T10:41:28Z
2014
Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules / S.A. Bercha, V.M. Rizak // Condensed Matter Physics. — 2014. — Т. 17, № 2. — С. 23701:1-8. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.
1607-324X
arXiv:1407.2427
DOI:10.5488/CMP.17.23701
PACS: 71.70.Ej, 71.20.-b, 61.50.Ah, 02.20.-a, 31.15.Hz
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/153508
Using the group theory and the method of invariants, it is shown how the vibronic potential can be written in a matrix form and the corresponding adiabatic potentials can be found. The molecule having D₃d symmetry is considered herein as an example. The symmetries of normal vibrations active in Jahn-Teller's effect were defined. E-E vibronic interaction was considered to obtain vibronic potential energy in a matrix form and thus the adiabatic potential. Significant differences are shown in the construction of a secular matrix D(k) for defining a dispersion law for charge carriers in the crystals and the matrix of vibronic potential energy, which depends on the normal coordinates of normal vibrations active in Jahn-Teller's effect. Dispersion law of charge carriers in the vicinity of Γ point of Brillouin zone of the crystal with D₃d² symmetry was considered as an example.
У роботi показано як, використовуючи теоретико-груповий метод i метод iнварiантiв, можна одержати
 вiбронний потенцiал, записаний у матричному виглядi, та вiдповiднi адiабатичнi потенцiали. В якостi
 прикладу розглядається молекула з симетрiєю D₃d
 . Визначено симетрiю нормальних коливань, активних в ян-теллерiвському ефектi. Розглянуто E − E вiбронний зв’язок для одержання вiбронної потенцiальної енергiї у матричному виглядi та адiабатичний потенцiал. Вказано на iстотнi вiдмiнностi у побудовi
 секулярної матрицi D(~k) для знаходження закону дисперсiї електронного спектру в кристалах i матрицi
 вiбронної потенцiальної енергiї, залежної вiд нормальних координат активного в ян-теллерiвському ефектi нормального коливання. В якостi прикладу розглядується закон дисперсiї носiїв струму в околi точки
 Γ зони Брiллюена кристалу з симетрiєю D
 ²
 ₃d
 .
Author (B.S.A.) wishes to thank Dr. Glukhov K.E. for helpful discussions and critical reading of the
 manuscript.
en
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
Condensed Matter Physics
Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules
Спiльнiсть i вiдмiннiсть у побудовi законiв дисперсiї носiїв заряду в напiвпровiдникових кристалах i адiабатичних потенцiалiв у молекулах
Article
published earlier
spellingShingle Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules
Bercha, S.A.
Rizak, V.M.
title Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules
title_alt Спiльнiсть i вiдмiннiсть у побудовi законiв дисперсiї носiїв заряду в напiвпровiдникових кристалах i адiабатичних потенцiалiв у молекулах
title_full Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules
title_fullStr Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules
title_full_unstemmed Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules
title_short Similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules
title_sort similarities and differences in the construction of dispersion laws for charge carriers in semiconductor crystals and adiabatic potentials in molecules
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/153508
work_keys_str_mv AT berchasa similaritiesanddifferencesintheconstructionofdispersionlawsforchargecarriersinsemiconductorcrystalsandadiabaticpotentialsinmolecules
AT rizakvm similaritiesanddifferencesintheconstructionofdispersionlawsforchargecarriersinsemiconductorcrystalsandadiabaticpotentialsinmolecules
AT berchasa spilʹnistʹividminnistʹupobudovizakonivdispersiínosiívzarâduvnapivprovidnikovihkristalahiadiabatičnihpotencialivumolekulah
AT rizakvm spilʹnistʹividminnistʹupobudovizakonivdispersiínosiívzarâduvnapivprovidnikovihkristalahiadiabatičnihpotencialivumolekulah