Spatial-temporal redistribution of point defects in three-layer stressed nanoheterosystems within the limits of self-assembled deformation-diffusion model

• Veröffentlicht in: Condensed Matter Physics
• Datum: 2015
• Hauptverfasser: Peleshchak, R.M., Kulyk, N.Ya., Doroshenko, M.V.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2015
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/153567
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Spatial-temporal redistribution of point defects in three-layer stressed nanoheterosystems within the limits of self-assembled deformation-diffusion model / R.M. Peleshchak, N.Ya. Kulyk, M.V. Doroshenko // Condensed Matter Physics. — 2015. — Т. 18, № 2. — С. 23602: 1–12. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

The model of spatial-temporal distribution of point defects in a three-layer stressed nanoheterosystem GaAs/InxGa₁-xAs/GaAs considering the self-assembled deformation-diffusion interaction is constructed. Побудовано модель просторово-часового розподiлу точкових дефектiв у тришаровiй напруженiй наног...