Зображення обкладинки

Spatial-temporal redistribution of point defects in three-layer stressed nanoheterosystems within the limits of self-assembled deformation-diffusion model

The model of spatial-temporal distribution of point defects in a three-layer stressed nanoheterosystem GaAs/InxGa₁-xAs/GaAs considering the self-assembled deformation-diffusion interaction is constructed. Побудовано модель просторово-часового розподiлу точкових дефектiв у тришаровiй напруженiй наног...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Condensed Matter Physics
Дата:2015
Автори: Peleshchak, R.M., Kulyk, N.Ya., Doroshenko, M.V.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2015
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/153567
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Spatial-temporal redistribution of point defects in three-layer stressed nanoheterosystems within the limits of self-assembled deformation-diffusion model / R.M. Peleshchak, N.Ya. Kulyk, M.V. Doroshenko // Condensed Matter Physics. — 2015. — Т. 18, № 2. — С. 23602: 1–12. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси