Luminescent properties of ZnSxSe₍₁₋x₎ mixed crystals obtained by solid-phase synthesis and melt-growing
The luminescence characteristics of ZnSxSe₍₁₋x₎ mixed crystals (MC) obtained by solid-phase synthesis and melt-growing were studied. In X-ray luminescence spectra of ZnSxSe₍₁₋x₎ powdered MC synthesized from ZnS and ZnSe powders, where x = 0.90 to 0.99, a non-elementary band with λmax ~ 520 nm (I₁)...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Functional Materials |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | Galkin, S.M., Trubaieva, O.G., Lalayants, O.I., Rybalka, I.A., Shevchenko, O.A., Bryleva, K.Yu., Golinka-Bezshyyko, L.O. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/154078 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Luminescent properties of ZnSxSe₍₁₋x₎ mixed crystals obtained by solid-phase synthesis and melt-growing / S.M. Galkin, O.G. Trubaieva, O.I. Lalayants, I.A. Rybalka, O.A. Shevchenko, K.Yu. Bryleva, L.O. Golinka-Bezshyyko // Functional Materials. — 2018. — Т. 25, № 1. — С. 21-27. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Mixed ZnSxSe₁-x crystals for digital radiography detectors
за авторством: Trubaieva, O.G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O.G., та інші
Опубліковано: (2018)
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Mixed ZnSxSe1–x crystals as a possible material for alpha-particle and X-ray detectors
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Investigation of band gap width in mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018)
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
Scintillation materials based on solid solutions ZnSxSe1–x
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. H. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)
Змішані кристали ZnSxSe1–x як можливі матеріали для детекторів альфа та рентгенівського випромінювання
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
The peculiarities of the properties of ZnSxSe₁-x nanocrystals obtained by self-propagating high-temperature synthesis
за авторством: Kovalenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Kovalenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Mechanism of photoinduced luminescence degradation in CdSxSe₁₋x quantum dots
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2003)
Growing and study of optical and luminescence properties of scintillation oxide crystals
за авторством: Nagornaya, L.L., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Nagornaya, L.L., та інші
Опубліковано: (2005)
Argon activation in air at medical cyclotron RDS ECLIPSE during production of ¹⁸F
за авторством: Bezshyyko, O.A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Bezshyyko, O.A., та інші
Опубліковано: (2009)
Using of calculated neutron multiplicities for determination of the excitation energy of fission fragments
за авторством: Bezshyyko, O.A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Bezshyyko, O.A., та інші
Опубліковано: (2007)
Dose calculations for CBM experiment
за авторством: Bezshyyko, O.A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Bezshyyko, O.A., та інші
Опубліковано: (2007)
Analysis of characteristics of the photonuclear reactions with charged particles in output channel using EMPIRE II and TALYS codes
за авторством: Bezshyyko, O.A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Bezshyyko, O.A., та інші
Опубліковано: (2007)
Effect of the growing features on luminescence and thermal glow of CdWO₄ scintillation crystals
за авторством: Luchechko, A.P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Luchechko, A.P., та інші
Опубліковано: (2005)
Photoinduced structural changes in As₁₀₀₋xSx layers
за авторством: Stronski, A., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Stronski, A., та інші
Опубліковано: (2000)
Urbach’s rule peculiarities in structures with CdSxSe₁₋x nanocrystals
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2002)
On some features of low-temperature mixed crystallization of CsI solutions obtained from industrial wastes
за авторством: Boyarintsev, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Boyarintsev, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2017)
Wine-growing and fruit-growing on the Low Dnieper sands
за авторством: V. V. Shevchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. V. Shevchuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Degradation of chlorophyll luminescence in plants
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Degradation of chlorophyll luminescence in plants
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: O. V. Vakulenko, та інші
Опубліковано: (2012)
Amphoteric center of luminescence in CdS
за авторством: Artem'jeva, O. O., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Artem'jeva, O. O., та інші
Опубліковано: (2005)
Luminescence of nanostructures based on semiconductor nitrides
за авторством: Menkovich, E.A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Menkovich, E.A., та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of electrical and photovoltaic properties In-CdSxTe1-x-Si-In structure
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)
Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe₁₋x quantum dots
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2010)
Luminescent analysis of the quality of CdS nanocrystals depending on technological parameters
за авторством: Bogoslovskaya, A.B., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bogoslovskaya, A.B., та інші
Опубліковано: (2019)
Cross-sections in photonuclear reactions with multiple neutron emission
за авторством: Bezshyyko, O.A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bezshyyko, O.A., та інші
Опубліковано: (2019)
ZnWO₄ luminescent films obtained by hydrothermal method
за авторством: Fedorov, A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Fedorov, A., та інші
Опубліковано: (2013)
Post-anodic formation of luminescent porous silicon layers in atmospheric environment
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2005)
Optical investigations of thermostimulated changes in an ensemble of CdSxSe₁₋x quantum dots embedded into borosilicate glass matrix
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2001)
Nonlinear interaction of the elliptically polarized light with CdSxSe1-x quantum dots
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2010)
Схожі ресурси
-
Mixed ZnSxSe₁-x crystals for digital radiography detectors
за авторством: Trubaieva, O.G., та інші
Опубліковано: (2018) -
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018) -
Effect of sulfur on the scintillation properties of mixed ZnSxSe1–x crystals
за авторством: O. G. Trubaeva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018) -
Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)