Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation
The theory of nucleation of nanoscale structures of the adsorbed atoms (adatoms), which occurs as a result of the self-consistent interaction of adatoms with the surface acoustic wave and electronic subsystem is developed. Temperature regimes of formation of nanoclusters on n-GaAs surface under the...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Дата: | 2015 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2015
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/155795 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation / R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan'kiv // Condensed Matter Physics. — 2015. — Т. 18, № 4. — С. 43801: 1–8. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862613551824240640 |
|---|---|
| author | Peleshchak, R.M. Kuzyk, O.V. Dan'kiv, O.O. |
| author_facet | Peleshchak, R.M. Kuzyk, O.V. Dan'kiv, O.O. |
| citation_txt | Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation / R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan'kiv // Condensed Matter Physics. — 2015. — Т. 18, № 4. — С. 43801: 1–8. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | The theory of nucleation of nanoscale structures of the adsorbed atoms (adatoms), which occurs as a result of the self-consistent interaction of adatoms with the surface acoustic wave and electronic subsystem is developed. Temperature regimes of formation of nanoclusters on n-GaAs surface under the action of laser irradiation are investigated. The offered model permits to choose optimal technological parameters (temperature, doping degree, intensity of laser irradiation) for the formation of the surface periodic defect-deformation structures under the action of laser irradiation.
Розвинуто теорiю нуклеацiї нанорозмiрних структур адсорбованих атомiв (адатомiв), яка вiдбувається в
результатi самоузгодженої взаємодiї адатомiв з поверхневою акустичною хвилею та електронною пiдсистемою. Дослiджено температурнi режими формування нанокластерiв на поверхнi n-GaAs пiд дiєю
лазерного опромiнення. Запропонована модель дозволяє вибрати оптимальнi технологiчнi параметри
(температуру, ступiнь легування, iнтенсивнiсть лазерного опромiнення) для формування поверхневих
перiодичних дефектно-деформацiйних структур пiд дiєю лазерного опромiнення.
|
| first_indexed | 2025-11-29T09:37:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-155795 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-29T09:37:11Z |
| publishDate | 2015 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Peleshchak, R.M. Kuzyk, O.V. Dan'kiv, O.O. 2019-06-17T12:37:35Z 2019-06-17T12:37:35Z 2015 Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation / R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan'kiv // Condensed Matter Physics. — 2015. — Т. 18, № 4. — С. 43801: 1–8. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. 1607-324X DOI:10.5488/CMP.18.43801 arXiv:1512.07801 PACS: 81.07.Bc, 66.30.Lw https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/155795 The theory of nucleation of nanoscale structures of the adsorbed atoms (adatoms), which occurs as a result of the self-consistent interaction of adatoms with the surface acoustic wave and electronic subsystem is developed. Temperature regimes of formation of nanoclusters on n-GaAs surface under the action of laser irradiation are investigated. The offered model permits to choose optimal technological parameters (temperature, doping degree, intensity of laser irradiation) for the formation of the surface periodic defect-deformation structures under the action of laser irradiation. Розвинуто теорiю нуклеацiї нанорозмiрних структур адсорбованих атомiв (адатомiв), яка вiдбувається в
 результатi самоузгодженої взаємодiї адатомiв з поверхневою акустичною хвилею та електронною пiдсистемою. Дослiджено температурнi режими формування нанокластерiв на поверхнi n-GaAs пiд дiєю
 лазерного опромiнення. Запропонована модель дозволяє вибрати оптимальнi технологiчнi параметри
 (температуру, ступiнь легування, iнтенсивнiсть лазерного опромiнення) для формування поверхневих
 перiодичних дефектно-деформацiйних структур пiд дiєю лазерного опромiнення. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation Температурнi режими формування нанометрової перiодичної структури адсорбованих атомiв у напiвпровiднику GaAs пiд дiєю лазерного опромiнення Article published earlier |
| spellingShingle | Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation Peleshchak, R.M. Kuzyk, O.V. Dan'kiv, O.O. |
| title | Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation |
| title_alt | Температурнi режими формування нанометрової перiодичної структури адсорбованих атомiв у напiвпровiднику GaAs пiд дiєю лазерного опромiнення |
| title_full | Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation |
| title_fullStr | Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation |
| title_full_unstemmed | Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation |
| title_short | Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation |
| title_sort | temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in gaas semiconductors under the action of laser irradiation |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/155795 |
| work_keys_str_mv | AT peleshchakrm temperatureregimesofformationofnanometerperiodicstructureofadsorbedatomsingaassemiconductorsundertheactionoflaserirradiation AT kuzykov temperatureregimesofformationofnanometerperiodicstructureofadsorbedatomsingaassemiconductorsundertheactionoflaserirradiation AT dankivoo temperatureregimesofformationofnanometerperiodicstructureofadsorbedatomsingaassemiconductorsundertheactionoflaserirradiation AT peleshchakrm temperaturnirežimiformuvannânanometrovoíperiodičnoístrukturiadsorbovanihatomivunapivprovidnikugaaspiddiêûlazernogooprominennâ AT kuzykov temperaturnirežimiformuvannânanometrovoíperiodičnoístrukturiadsorbovanihatomivunapivprovidnikugaaspiddiêûlazernogooprominennâ AT dankivoo temperaturnirežimiformuvannânanometrovoíperiodičnoístrukturiadsorbovanihatomivunapivprovidnikugaaspiddiêûlazernogooprominennâ |