Зображення обкладинки

Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation

The theory of nucleation of nanoscale structures of the adsorbed atoms (adatoms), which occurs as a result of the self-consistent interaction of adatoms with the surface acoustic wave and electronic subsystem is developed. Temperature regimes of formation of nanoclusters on n-GaAs surface under the...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Condensed Matter Physics
Дата:	2015
Автори:	Peleshchak, R.M., Kuzyk, O.V., Dan'kiv, O.O.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2015
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/155795
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Temperature regimes of formation of nanometer periodic structure of adsorbed atoms in GaAs semiconductors under the action of laser irradiation / R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, O.O. Dan'kiv // Condensed Matter Physics. — 2015. — Т. 18, № 4. — С. 43801: 1–8. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

The effect of the electric field on the nucleation of the nanometer periodic structure of adatoms in GaAs semiconductor under the action of laser irradiation
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Non-linear model of impurity diffusion in nanoporous materials upon ultrasonic treatment
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2014)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)

Interaction between a surface acoustic wave and adsorbed atoms
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)

Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)

Formation of periodic structures under the influence of an acoustic wave in semiconductors with a two-component defect subsystem
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2016)

Formation of periodic structures under the influence of an acoustic wave in semiconductors with a two-component defect subsystem
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2016)

Dispersion law and the dependence of the surface acoustic mode width on the concentration of adsorbed atoms
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2017)

Dispersion law and the dependence of the surface acoustic mode width on the concentration of adsorbed atoms
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2017)

Periodic subsurface structures in GaAs formed by spatially modulated nanosecond pulse laser irradiation
за авторством: Moscal, D.S., та інші
Опубліковано: (2007)

Influence of the mirror image forces on dispersion and phonon acoustic mode width of quasi-Rayleigh wave interacting with the adsorbed atoms
за авторством: Seneta, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2018)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Electron- and hole-phonon interaction in quantum dot embedded into semiconductor medium (GaAs/AlxGa₁₋xAs)
за авторством: Tkach, M.V., та інші
Опубліковано: (2001)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)

The theory of electron states on the dynamically deformed adsorbed surface of a solid
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)

Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)

TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)

Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Laser-stimulated enhancement of the reflectance of single-crystalline n-GaAs(100)
за авторством: P. O. Hentsar, та інші
Опубліковано: (2017)

Laser-stimulated enhancement of the reflectance of single-crystalline n-GaAs(100)
за авторством: P. O. Gentsar, та інші
Опубліковано: (2017)

Dynamics of He atoms adsorbed on a carbon nanotube
за авторством: Strzhemechny, M.A., та інші
Опубліковано: (2011)

Dynamics of He atoms adsorbed on a carbon nanotube
за авторством: M. A. Strzhemechny, та інші
Опубліковано: (2011)

Influence of the mirror image forces on dispersion and phonon acoustic mode width of quasi-Rayleigh wave interacting with the adsorbed atoms
за авторством: Ya. Seneta, та інші
Опубліковано: (2018)

Discrete atomic vibrations localized on defects in linear chains of atoms adsorbed by carbon nanobundles
за авторством: S. B. Feodosyev, та інші
Опубліковано: (2019)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)

Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)

Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)