Зображення обкладинки

Method of computation of energies in the fractional quantum Hall effect regime

In a previous work, we reported exact results of energies of the ground state in the fractional quantum Hall effect (FQHE) regime for systems with up to Nе = 6 electrons at the filling factor ν = 1/3 by using the method of complex polar coordinates. In this work, we display interesting computation...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Condensed Matter Physics
Дата:	2016
Автори:	Ammar, M.A., Bentalha, Z., Bekhechi, S.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2016
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/156220
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Method of computation of energies in the fractional quantum Hall effect regime/ M.A. Ammar, Z. Bentalha, S. Bekhechi // Condensed Matter Physics. — 2016. — Т. 19, № 3. — С. 33702: 1–9. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Thermodynamical anomalous Hall effect: quantum regime
за авторством: V. I. Okulov, та інші
Опубліковано: (2014)

On the question of critical exponents universality in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2019)

The current-voltage characteristics of Corbino disk in the quantum Hall effect regime
за авторством: V. Shikin
Опубліковано: (2016)

Tunneling current noise in the fractional quantum Hall effect: when the effective charge is not what it appears to be
за авторством: Snizhko, K.
Опубліковано: (2016)

Tunneling current noise in the fractional quantum Hall effect: when the effective charge is not what it appears to be
за авторством: K. Snizhko
Опубліковано: (2016)

The conditions of longitudinal and Hall conductance critical behavior in quantum Hall regime for heterostructures based on gallium and indium arsenide
за авторством: A. S. Klepikova, та інші
Опубліковано: (2017)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2017)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2013)

Toward theory of quantum Hall effect in graphene
за авторством: Gorbar, E.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Acoustic edge magnetoplasmons and quantum Hall effect
за авторством: V. Shikin, та інші
Опубліковано: (2017)

Quantum Hall interferometers
за авторством: E. V. Devjatov
Опубліковано: (2013)

Nature of localized states in two-dimensional electron systems in the quantum Hall regime: Acoustic studies
за авторством: I. L. Drichko, та інші
Опубліковано: (2017)

Integer quantum Hall effect and topological phase transitions in silicene
за авторством: Liu, Y.L., та інші
Опубліковано: (2017)

SUSY Quantum Hall Effect on Non-Anti-Commutative Geometry
за авторством: Hasebe, K.
Опубліковано: (2008)

Propagation of acoustic edge waves in graphene under quantum Hall effect
за авторством: Vikström, A.
Опубліковано: (2015)

Propagation of acoustic edge waves in graphene under quantum Hall effect
за авторством: A. Vikström
Опубліковано: (2015)

Level statistics for quantum Hall systems
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2005)

Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Phase diagram of the spin quantum Hall transition
за авторством: V. Kagalovsky, та інші
Опубліковано: (2018)

Phase diagram of the spin quantum Hall transition
за авторством: Kagalovsky, V., та інші
Опубліковано: (2018)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: S. V. Gudina, та інші
Опубліковано: (2019)

HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
за авторством: Arapov, Yu.G., та інші
Опубліковано: (2007)

Interlayer tunneling and the problem of superfluidity in bilayer quantum Hall systems
за авторством: Fil, D.V., та інші
Опубліковано: (2007)

Hall effect studies in YBCO films
за авторством: Solovjov, A.L.
Опубліковано: (1998)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

Hall effect and magnetic ordering in RB₁₂
за авторством: Baranovskiy, A.E., та інші
Опубліковано: (2009)

Quantum computing: survey and analysis
за авторством: M. M. Savchuk, та інші
Опубліковано: (2019)

Specific thermoemf and Hall-effect in crystals with monopolar conductivity
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2009)

Experimental detection of quantum oscillations of the anomalous Hall resistance in mercury selenide crystals with cobalt impurities
за авторством: A. T. Lonchakov, та інші
Опубліковано: (2017)

Principles of construction of Current converter based on the Hall-effect device
за авторством: S. H. Taranov, та інші
Опубліковано: (2013)

Including the own fields of quantum emitters in describing generation regimes
за авторством: Kuklin, V.M., та інші
Опубліковано: (2023)

On a Hall Hypothesis
за авторством: Tyutyanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2002)

Topologically protected quantum states and quantum computing in Josephson junctions arrays
за авторством: Ioffe, L.B., та інші
Опубліковано: (2004)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)

Solving Combinatorial Optimization Problems on Quantum Computers
за авторством: Yu. Korolov, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)