Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора

• Дата: 2010
• Автори: Друзенко, Н.В., Куц, В.І., Мосолаб, О.В., Ушата, Л.В., Гришин, Ю.Г., Тартачник, В.П., Чирко, Л.І., Опилат, В.Я., Смирнов, С.Б., Ластовецький, В.Ф., Литовченко, П.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
• Теми: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/15664
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора / Н.В. Друзенко, В.І. Куц, О.В. Мосолаб, Л.В. Ушата, Ю.Г. Гришин, В.П. Тартачник, Л.І. Чирко, В.Я. Опилат, С.Б. Смирнов, В.Ф. Ластовецький, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 112-116. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Вивчались пробійні процеси у фосфідо-галієвих світлодіодах. Проведені оцінки величини коефіцієнта ударної іонізації у вихідних зразках. Показано, що опромінення нейтронами спричиняє збільшення зворотнього струму, обумовленого існуванням потенціального бар’єра. Значна кількість мікроплазм свідчить про суттєву неоднорідність досліджуваних p-n-переходів. Изучены пробойные процессы в фосфидо-галлиевых светодиодах. Проведены оценки величины коэффициента ударной ионизации в исходных образцах. Показано, что облучение нейтронами влечет за собой увеличение обратного тока, обусловленного существованием потенциального барьера. Значительное количество микроплазм свидетельствует о существенной неоднородности исследуемых p-n-переходов. Breakdown processes in phosphide-gallium light-emitting have been studied were studied. The coefficient of collision ionization in initial samples has been estimated. It was shown that neutron irradiation results in increase of the reverse current caused by existence of potential barrier. The significant amount of microplasmas is the manifestation of essential inhomogeneity of p-n junctions studied.