Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора

• Дата: 2010
• Автори: Друзенко, Н.В., Куц, В.І., Мосолаб, О.В., Ушата, Л.В., Гришин, Ю.Г., Тартачник, В.П., Чирко, Л.І., Опилат, В.Я., Смирнов, С.Б., Ластовецький, В.Ф., Литовченко, П.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2010
• Теми: Физика радиационных и ионно-плазменных технологий
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/15664
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора / Н.В. Друзенко, В.І. Куц, О.В. Мосолаб, Л.В. Ушата, Ю.Г. Гришин, В.П. Тартачник, Л.І. Чирко, В.Я. Опилат, С.Б. Смирнов, В.Ф. Ластовецький, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 112-116. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Вивчались пробійні процеси у фосфідо-галієвих світлодіодах. Проведені оцінки величини коефіцієнта ударної іонізації у вихідних зразках. Показано, що опромінення нейтронами спричиняє збільшення зворотнього струму, обумовленого існуванням потенціального бар’єра. Значна кількість мікроплазм свідчить про суттєву неоднорідність досліджуваних p-n-переходів.