Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора
Вивчались пробійні процеси у фосфідо-галієвих світлодіодах. Проведені оцінки величини коефіцієнта ударної іонізації у вихідних зразках. Показано, що опромінення нейтронами спричиняє збільшення зворотнього струму, обумовленого існуванням потенціального бар’єра. Значна кількість мікроплазм свідчить пр...
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/15664 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора / Н.В. Друзенко, В.І. Куц, О.В. Мосолаб, Л.В. Ушата, Ю.Г. Гришин, В.П. Тартачник, Л.І. Чирко, В.Я. Опилат, С.Б. Смирнов, В.Ф. Ластовецький, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 112-116. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859482389134180352 |
|---|---|
| author | Друзенко, Н.В. Куц, В.І. Мосолаб, О.В. Ушата, Л.В. Гришин, Ю.Г. Тартачник, В.П. Чирко, Л.І. Опилат, В.Я. Смирнов, С.Б. Ластовецький, В.Ф. Литовченко, П.Г. |
| author_facet | Друзенко, Н.В. Куц, В.І. Мосолаб, О.В. Ушата, Л.В. Гришин, Ю.Г. Тартачник, В.П. Чирко, Л.І. Опилат, В.Я. Смирнов, С.Б. Ластовецький, В.Ф. Литовченко, П.Г. |
| citation_txt | Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора / Н.В. Друзенко, В.І. Куц, О.В. Мосолаб, Л.В. Ушата, Ю.Г. Гришин, В.П. Тартачник, Л.І. Чирко, В.Я. Опилат, С.Б. Смирнов, В.Ф. Ластовецький, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 112-116. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| description | Вивчались пробійні процеси у фосфідо-галієвих світлодіодах. Проведені оцінки величини коефіцієнта ударної іонізації у вихідних зразках. Показано, що опромінення нейтронами спричиняє збільшення зворотнього струму, обумовленого існуванням потенціального бар’єра. Значна кількість мікроплазм свідчить про суттєву неоднорідність досліджуваних p-n-переходів.
Изучены пробойные процессы в фосфидо-галлиевых светодиодах. Проведены оценки величины коэффициента ударной ионизации в исходных образцах. Показано, что облучение нейтронами влечет за собой увеличение обратного тока, обусловленного существованием потенциального барьера. Значительное количество микроплазм свидетельствует о существенной неоднородности исследуемых p-n-переходов.
Breakdown processes in phosphide-gallium light-emitting have been studied were studied. The coefficient of collision ionization in initial samples has been estimated. It was shown that neutron irradiation results in increase of the reverse current caused by existence of potential barrier. The significant amount of microplasmas is the manifestation of essential inhomogeneity of p-n junctions studied.
|
| first_indexed | 2025-11-24T15:05:03Z |
| format | Article |
| fulltext |
112
ВОПРОСЫ АТОМНОЙ НАУКИ И ТЕХНИКИ. 2010. №1.
Серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение (95), с. 112-116.
УДК 621.315.592
ДЕГРАДАЦІЙНІ ТА ВІДНОВНІ ПРОЦЕСИ
У ЗВОРОТНЬОЗМІЩЕНИХ ФОСФІДО-ГАЛІЄВИХ ДІОДАХ,
СПРИЧИНЕНІ ШВИДКИМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА
***Н.В. Друзенко, *В.І. Куц, ***О.В. Мосолаб, ***Л.В. Ушата, *Ю.Г. Гришин,
*В.П. Тартачник, * Л.І.Чирко, **В.Я. Опилат, ****С.Б. Смирнов,
*В.Ф. Ластовецький, *П.Г. Литовченко
*Інститут ядерних досліджень НАН України, Київ, Україна,
E-mail: interdep@kinr.kiev.ua, факс +38(044)525-44-63, тел. +38(044)265-36-39;
**Національний педагогічний університет ім. Драгоманова, Київ, Україна,
E-mail: npu@ukr.net, тел. +38(044)221-99-33;
***Національний технічний університет України
«Київський політехнічний інститут», Київ, Україна,
Е-mail: post@ntu-kpi.kiev.ua, тел. +38(044)236-79-89;
****Севастопольський національний університет ядерної енергії та промисловості,
Севастополь, Україна, тел. +38(0692)71-00-69
Вивчались пробійні процеси у фосфідо-галієвих світлодіодах. Проведені оцінки величини коефіцієнта
ударної іонізації у вихідних зразках. Показано, що опромінення нейтронами спричиняє збільшення
зворотнього струму, обумовленого існуванням потенціального бар’єра. Значна кількість мікроплазм
свідчить про суттєву неоднорідність досліджуваних p-n-переходів.
Пробій діодних напівпровідникових структур,
коли не говорити про окремі випадки його
застосування у лавинних діодах, стабілітронах,
транзисторах та ін., є небажаним явищем: при
перевищенні деякої критичної межі струму він стає
незворотнім.
Світлодіодні джерела світла, входячи до складу
різноманітних перетворювачів електричних
сигналів, можуть використовуватись як у колах
змінного струму, так і працювати в імпульсному
режимі, що обумовлює можливість зворотнього
перевантаження, а відтак і виникнення пробою.
Проникаюча радіація, створюючи додаткову
кількість дефектів структури у перехідних областях,
провокує розвиток локальних лавинних процесів –
мікроплазм, які передують формуванню суцільного
шнура струму. Такі мікропробої виникають
переважно в областях, збагачених точковими
дефектами. Стохастичний характер
мікроплазмового свічення є причиною зростання
рівня як електричних, так і оптичних шумів.
Прогнозування надійності елементів
мікроелектронної техніки, особливо приладів, що
функціонують у екстремальних умовах, грунтується
на уявленнях про механізми утворення пробійних
ділянок ВАХ. Тому метою проведених досліджень
було визначення характеристичних параметрів
пробою промислових фосфідо-галієвих світлодіодів
і дослідження впливу проникаючої радіації на
пробійні процеси зворотньозміщеного приладу.
Одержані результати можуть бути корисні при
розробці методів підвищення радіаційної стійкості
засобів зв'язку та спостереження, які працюють в
зонах із підвищеними рівнями дозових навантажень.
ЕКСПЕРИМЕНТ
У поданій роботі досліджувались фосфідо-галієві
світлодіоди, виготовлені методом подвійної
рідинної епітаксії на підкладинці, вирощеній
способом Чохральського. Плівки n- та p-типу
легувались відповідно Te до концентрації
n=2·1017 см-3 та Zn p=8·1017 см-3. Вимірювання ВАХ
проводились в інтервалі температур 77…300 К.
Опромінення швидкими нейтронами (Е = 1 МеВ)
здійснювалось на реакторі ІР-100 у межах
інтегральних потоків 1013…1016 см-2.
РЕЗУЛЬТАТИ ТА ОБГОВОРЕННЯ
Згідно з означенням коефіцієнт ударної іонізації
визначається числом пар носіїв струму,
згенерованих одним носієм на одиниці довжини
шляху:
dx
dn
n
1
=α . (1)
Величину α для наших зразків спробуємо
оцінити, скориставшись запропонованим у роботі
[1] способом.
Якщо швидкість електрона до і після удару υi та
υf відповідно, то закони збереження імпульсу та
енергії часток для одновимірного випадку матимуть
вигляд:
ppnnfnin mmmm υυυυ ++= , (2)
2222
2222
ppnnfnin mmm
Egm υυυυ
+++= , (3)
де υn - та υp – швидкості електрона та дірки
утвореної пари.
113
Мінімальна енергія електрона, тобто енергія
іонізації, може бути одержана із законів збереження
(2, 3) та при умові υf = υn = υp = υ. Визначимо із
рівняння (2) величину υ:
pn
in
mm
m
+
=
2
υυ . (4)
Підставляючи вираз υ у рівняння (3), одержимо
2
22
22
)2(
2)2(2
pn
in
pnin mm
mEgmmEgm
+
+=++=
υυυ ; (5)
Eg
mm
mm
pn
n
in 2}
2
1{2 =
+
−υ ; (6)
Eg
mm
mmm
pn
pnin
i +
+
==
2
2
2υε . (7)
Число носіїв із енергією, вищою енергії іонізіції
(ε > iε ), для невиродженого електронного газу з
температурою Te пропорційне
.kTe
i
e
ε
−
(8)
З іншого боку
e
ee
e
d TkTTkeE
ττ
υ ≈
−
=
)(
2
3
, (9)
де dυ - дрейфова швидкість електрона; Т -
температура зразка; eτ - час релаксації.
В області сильних полів, коли температура
електронного газу перевищує температуру гратки
принаймні вдвічі, дрейфова швидкість перестає
залежати від поля і стає рівною [2]
*3
8
m
Ep
d π
υ = , (10)
Ep - енергія оптичного фонона. Для GaP
Ep = 0.0469 еВ. Тоді GaP
dυ = 5.59·105 м/с.
Якщо час релаксації eτ вважати постійним, то
добуток dυ · eτ рівний середній довжині вільного
пробігу l . Згідно з (8)
)exp()exp(
0eElkT
ii εεα −=−≈ . (11)
У випадку, коли l0 пропорційна напруженості
поля Е, одержуємо [2]:
⎥
⎥
⎦
⎤
⎢
⎢
⎣
⎡
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛−≈
2
exp
E
bAα . (12)
Результати експерименту свідчать, що для GaP
залежність коефіціента іонізації від поля найкраще
задовольняється співвідношенням (12), де
А=0.4·108 м-1, b=1.18·108 В/м. Напруженість поля в
збідненій області p-n-переходу можна оцінити,
вважаючи, що її ширина визначається як
2
1
0 )](2[ UUk
Nq
d
d
−=
εε , (13)
де Uk – контактна різниця потенціалів.
Для наших зразків концентрація донорів
слаболегованої області становила n=1017 см-3.
Результати проведених розрахунків подані на рис. 1.
Видно, що в інтервалі напруженостей полів
(3.5…7)·107 В/м коефіцієнт іонізації різко
збільшується від 103 до 2.3·106 м-1. Відмітимо, що
залежність )(Eα , одержана нами (див. рис. 1),
добре узгоджується з результатом, приведеним у
роботі [2].
Рис. 1. Залежність коефіцієнта іонізації
від напруженості електричного поля у GaP
Довжина вільного пробігу носія лімітується
розсіянням на іонізованих домішках, на акустичних
та оптичних фононах. В разі значної концентрації
вільних носіїв слід брати до уваги також електрон-
електронне розсіяння, при якому енергія електрона
хаотично розподіляється між електронами
провідності. При n=1017 см-3 останній фактор є
несуттєвим.
Залежність довжини вільного пробігу l від
температури для наших зразків можна розрахувати,
скориставшись одним із параметрів модифікованої
теорії Бараффа [3,4]:
,
20 ⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛=
kT
Epthll (14)
де 0l = const, pE - енергія оптичного фонона.
Константу 0l можна одержати, знаючи величину
вільного пробігу l електрона при кімнатній
температурі, яка становить
o
Al K )336(300 ±= [2].
Згідно з нашими оцінками
o
Al GaP 28.500 = .
Результати зроблених розрахунків подані на
рис. 2. Знаючи залежність )(Tl , можна,
скориставшись співвідношенням [2]
eElEp = , (15)
103
104
105
106
107
3 4 5 6 7 8 9 10
α
(E
),
м-1
E/10 , В/м7
114
одержати також температурну залежність величини
поля Е, при якому дрейфова швидкість електрона
виходить на насичення.
Рис. 2. Залежність довжини вільного пробігу
електрона від температури зразка
З рис. 2 видно, що в широкому інтервалі
температур )(TE є лінійною функцією температури
BATE += , де А=3·104 В/(м·град); В=4·106 В/м.
У германієвих та кремнієвих діодах при
напругах пробою, більших Eg6 /q, переважає
лавинний механізм пробою [3]. Застосування цього
критерію для GaP дає значення пробійної напруги
13.3 В.
Якщо ж скористатися наближеною
універсальною формулою для більшості
використовуваних напівпровідників
4
3
16
2
3
101.1
60
−
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
⎟⎟
⎠
⎞
⎜⎜
⎝
⎛
=
NE
V g
np
(16)
( gE , еВ; N, см-3), одержимо npV =31 В.
На рис. 3 показані зворотні гілки ВАХ вихідного
та опроміненого (Ф=5·1016 см-2) червоного GaP-
діода, зняті при Т=300 К. Видно, що пробій
вихідних зразків розпочинається при BU np 13≈ , що
свідчить про його лавинну природу. Опромінення
нейтронами (Ф=5·1016 см-2) зсовує зворотні ВАХ в
область вищих напруг (майже на 5 В), причому як у
вихідних, так і в опромінених діодах їхня
температурна залежність – немонотонна: зниження
температури до 96 К зменшує величину напруги
пробою, але вже при Т=77 К вона різко зростає.
Зменшення величини пробійної напруги при
зниженні температури очевидно слід пов'язувати зі
зростанням довжини вільного пробігу носія струму.
Дійсно, як видно з рис. 2 в інтервалі температури від
300 до 100 К l збільшується майже вдвічі завдяки
зменшенню концентрації оптичних фононів у
кристалі. Зростання напруги пробою, починаючи з
температури 96 К, обумовлене кількісно
переважаючим ефектом розширення збідненої
області p-n-переходу і відповідним зменшенням
напруженості електричного поля.
Рис. 3. Зворотні гілки ВАХ вихідного (1) та
опроміненого (Ф=5·1016 см-2) (2) червоного
GaP-діода, зняті при 300 К
Дію опромінення швидкими частинками на
діодні структури детально проаналізовано в роботі
[5], де величина зворотнього струму розглядається
як сума двох компонентів – струму насичення sI та
генераційного струму dI , джерелом якого є
збіднена область p-n-переходу:
,
p
i
p
p
n
i
dszv
sdqnD
n
sqnIII
ττ
+=+= (17)
де d, s – товщина та площа p-n-переходу відповідно.
Дозова залежність концентрації вільних носіїв
Φ−= Kn
n enn 0 (18)
та часу життя pτ визначається через відносну
швидкість видалення носіїв
Φ
=
d
dn
n
Kn
0
1
(19)
та коефіцієнт пошкодження часу життя К1:
01
01
1
1
0
11
τ
τ
ττ Κ
Φ+Κ
=
Κ
Φ
+=
p
,
Φ+Κ
Κ
=
01
01
τ
ττ p . (20)
Підставивши значення nn та pτ в (17),
одержимо:
,)0()0(
)()(
1
01
1
01
10
01
10
01
2
K
KI
K
KeI
K
Ksdqn
K
KDpe
n
sqnI
d
Kn
s
iKn
n
i
zv
Φ+
+
Φ+
=
Φ+
+
Φ+
=
Φ
Φ
ττ
τ
τ
τ
τ
де )0(sI , )0(dI - струми у неопроміненому p-n-
переході.
Видно, що опромінення p-n-переходу швидкими
частинками приводить до зростання обох компонент
зворотнього струму і до зменшення падіння напруги
на p-n-переході. Вплив зміни опору бази діода
20
30
40
50
100 200 300 400 500 600
l·1
0
, м
10
T, K
-5-10-15-20
4·10-3
0
Iзв.,мА
Uзв.,В
1
2
8·10-3
1,2·10-2
1,6·10-2
(21)
115
можна оцінити, вважаючи, що зміна провідності
базової області головним чином визначається
падінням концентрації вільних носіїв. Падіння
напруги на базовій частині діода
ΦΦ
Φ−
==
=====
KnKn
Knбб
eUбeIR
s
l
eqn
I
s
l
qn
I
s
lIIRU
)0(
11
0
0
0 μμ
ρ
зростає в результаті захвату носіїв струму рівнями
радіаційних дефектів і відповідного різкого
збільшення опору бази, що обумовлює зменшення
величини струму. Таким чином, падіння напруги на
p-n-переході та на базі діода при опроміненні
змінюються врізнобіч.
При зворотному зміщенні значної кількості
досліджуваних діодів виникають локальні пробої,
які супроводжуються яскравим свіченням –
мікроплазми. Спектр випромінювання таких центрів
– неперервний і містить кванти з енергією
Egh >ν , що свідчить про лавинно-розрядну
природу механізму їхнього виникнення. Середній
розмір однієї мікроплазми становить мd μ12≈ .
Слід відмітити також, що на відміну від кремнієвих
діодів, де мікроплазмове свічення має вигляд
окремих oсциляцій, у фосфіді галію випромінюючі
центри не змінюють свого положення на поверхні
діода і їхнє свічення стабільне в часі. Лавинна
природа мікроплазм у діодах GaP вперше була
виявлена у роботі [8]. Відомо, що місцями їхнього
зародження є неоднорідності, які приводять до
звуження переходу або скупчення дислокацій,
оточених атмосферами Котрелла, чи виділення
другої фази.
Всі ці фактори приводять до збільшення
електричного поля, або ж до зростання коефіцієнта
іонізації у недосконалій частині переходу [6,7].
Рис. 4. Мікроплазмове свічення зворотньозміщеного
GaP-світлодіода
На рис. 4 приведено знімок зразка, одержаний
при зворотньому зміщенні ВU zv 20−= . Як можна
помітити, локальні спалахи свічення розташовані по
поверхні діода в середньому з однаковою густиною,
що свідчить про хаотичний характер розподілу
макронеоднорідностей у зразку.
ВИСНОВКИ
Розраховано залежності коефіцієнта ударної
іонізації від напруженості електричного поля та
температурні залежності довжини вільного пробігу
носіїв струму у кристалах GaP в рамках теорії
Бараффа.
Досліджено вплив опромінення нейтронами на
зворотні гілки ВАХ фосфідо-галієвих діодів.
Встановлено, що радіаційна обробка спричиняє
збільшення зворотнього струму через p-n-перехід;
зростання опору бази в результаті введення
радіаційних дефектів приводить до зменшення zvI .
Різке падіння величини пробійного струму в
інтервалі температур 96…77 К обумовлене
зниженням напруженості електричного поля у
збідненій області p-n-переходу внаслідок його
розширення. Значне число мікроплазм у зворотньо-
зміщених діодах GaP свідчить про неоднорідність p-
n-переходу та про велику концентрацію дислокацій
у зразку.
ЛІТЕРАТУРА
1. К. Зеегер. Физика полупроводников. М.:
"Мир", 1977, 613 с.
2. И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. Лавинный
пробой p-n-перехода в полупроводниках. Л.:
"Энергия", 1980, 150 с.
3. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices.
New York: "John Wiley & Sons", 1981, 908 p.
4. T.P. Pearsall. Impact ionization Rates for
Electrons and Holes in Ga0.47In0.53As // Appl. Phys. Lett.
1980, v. 36, p. 218-224.
5. Ф.П. Коршунов. Радиационная физика
кристаллов и p-n-переходов. Минск: "Наука и
техника", 1972, 125 с.
6. Е.Ф. Венгер, М. Грендел, В. Даншика,
Р.В. Конакова, И.В. Прокопенко, Ю.А. Тхорик,
Л.С. Хазан. Структурная релаксация в
полупроводниковых кристаллах и приборных
структурах. 1994, 245 с.
7. Б.С. Берман, В.В. Евстропов, Б.В. Царенков.
Свойства отдельных микроплазм в GaP p-n-
структурах // ФТТ. 1971, т.5, в.1, с.134-137.
8. K. Maeda Temperature dependence of pair band
luminescence in GaP // J. Phys. Chem. Solids. 1965,
v. 26, p.595-601.
`Статья поступила в редакцию 04.08.2008 г.
(22)
116
ДЕГРАДАЦИОННЫЕ И ВОССТАНОВИТЕЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ
В ОБРАТНОСМЕЩЕННЫХ ФОСФИДО-ГАЛЛИЕВЫХ ДИОДАХ,
ВЫЗВАННЫЕ БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ РЕАКТОРА
Н.В. Друзенко, В.И. Куц, О.В. Мосолаб, Л.В. Ушата, Ю.Г. Гришин, В.П. Тартачник, Л.И. Чирко,
В.Я. Опилат, С.Б. Смирнов,В.Ф. Ластовецкий, П.Г. Литовченко
Изучены пробойные процессы в фосфидо-галлиевых светодиодах. Проведены оценки величины
коэффициента ударной ионизации в исходных образцах. Показано, что облучение нейтронами влечет за
собой увеличение обратного тока, обусловленного существованием потенциального барьера. Значительное
количество микроплазм свидетельствует о существенной неоднородности исследуемых p-n-переходов.
DEGRADATION AND RECOVERY PROCESSES IN REVERSE-BIASED PHOSPHIDE-
GALLIUM DIODES INDUCED BY REACTOR FAST NEUTRONS
N.V. Druzenko, V.I. Kuts, O.V. Mosolab, L.V. Ushata, Ju.G. Grishin, V.P. Tartachnik, L.I. Chirko,
V.J. Opilat, S.B. Smirnov, V.F. Lastovetsky, P.G. Litovchenko
Breakdown processes in phosphide-gallium light-emitting have been studied were studied. The coefficient of
collision ionization in initial samples has been estimated. It was shown that neutron irradiation results in increase of
the reverse current caused by existence of potential barrier. The significant amount of microplasmas is the
manifestation of essential inhomogeneity of p-n junctions studied.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-15664 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-24T15:05:03Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Друзенко, Н.В. Куц, В.І. Мосолаб, О.В. Ушата, Л.В. Гришин, Ю.Г. Тартачник, В.П. Чирко, Л.І. Опилат, В.Я. Смирнов, С.Б. Ластовецький, В.Ф. Литовченко, П.Г. 2011-01-31T10:01:17Z 2011-01-31T10:01:17Z 2010 Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора / Н.В. Друзенко, В.І. Куц, О.В. Мосолаб, Л.В. Ушата, Ю.Г. Гришин, В.П. Тартачник, Л.І. Чирко, В.Я. Опилат, С.Б. Смирнов, В.Ф. Ластовецький, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 112-116. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/15664 621.315.592 Вивчались пробійні процеси у фосфідо-галієвих світлодіодах. Проведені оцінки величини коефіцієнта ударної іонізації у вихідних зразках. Показано, що опромінення нейтронами спричиняє збільшення зворотнього струму, обумовленого існуванням потенціального бар’єра. Значна кількість мікроплазм свідчить про суттєву неоднорідність досліджуваних p-n-переходів. Изучены пробойные процессы в фосфидо-галлиевых светодиодах. Проведены оценки величины коэффициента ударной ионизации в исходных образцах. Показано, что облучение нейтронами влечет за собой увеличение обратного тока, обусловленного существованием потенциального барьера. Значительное количество микроплазм свидетельствует о существенной неоднородности исследуемых p-n-переходов. Breakdown processes in phosphide-gallium light-emitting have been studied were studied. The coefficient of collision ionization in initial samples has been estimated. It was shown that neutron irradiation results in increase of the reverse current caused by existence of potential barrier. The significant amount of microplasmas is the manifestation of essential inhomogeneity of p-n junctions studied. uk Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора Деградационные и восстановительные процессы в обратносмещенных фосфидо-галлиевых диодах, вызванные быстрыми нейтронами реактора Degradation and recovery processes in reverse-biased phosphidegallium diodes induced by reactor fast neutrons Article published earlier |
| spellingShingle | Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора Друзенко, Н.В. Куц, В.І. Мосолаб, О.В. Ушата, Л.В. Гришин, Ю.Г. Тартачник, В.П. Чирко, Л.І. Опилат, В.Я. Смирнов, С.Б. Ластовецький, В.Ф. Литовченко, П.Г. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title | Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора |
| title_alt | Деградационные и восстановительные процессы в обратносмещенных фосфидо-галлиевых диодах, вызванные быстрыми нейтронами реактора Degradation and recovery processes in reverse-biased phosphidegallium diodes induced by reactor fast neutrons |
| title_full | Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора |
| title_fullStr | Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора |
| title_full_unstemmed | Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора |
| title_short | Деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора |
| title_sort | деградаційні та відновні процеси у зворотньозміщених фосфідо-галієвих діодах, спричинені швидкими нейтронами реактора |
| topic | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/15664 |
| work_keys_str_mv | AT druzenkonv degradacíinítavídnovníprocesiuzvorotnʹozmíŝenihfosfídogalíêvihdíodahspričineníšvidkimineitronamireaktora AT kucví degradacíinítavídnovníprocesiuzvorotnʹozmíŝenihfosfídogalíêvihdíodahspričineníšvidkimineitronamireaktora AT mosolabov degradacíinítavídnovníprocesiuzvorotnʹozmíŝenihfosfídogalíêvihdíodahspričineníšvidkimineitronamireaktora AT ušatalv degradacíinítavídnovníprocesiuzvorotnʹozmíŝenihfosfídogalíêvihdíodahspričineníšvidkimineitronamireaktora AT grišinûg degradacíinítavídnovníprocesiuzvorotnʹozmíŝenihfosfídogalíêvihdíodahspričineníšvidkimineitronamireaktora AT tartačnikvp degradacíinítavídnovníprocesiuzvorotnʹozmíŝenihfosfídogalíêvihdíodahspričineníšvidkimineitronamireaktora AT čirkolí degradacíinítavídnovníprocesiuzvorotnʹozmíŝenihfosfídogalíêvihdíodahspričineníšvidkimineitronamireaktora AT opilatvâ degradacíinítavídnovníprocesiuzvorotnʹozmíŝenihfosfídogalíêvihdíodahspričineníšvidkimineitronamireaktora AT smirnovsb degradacíinítavídnovníprocesiuzvorotnʹozmíŝenihfosfídogalíêvihdíodahspričineníšvidkimineitronamireaktora AT lastovecʹkiivf degradacíinítavídnovníprocesiuzvorotnʹozmíŝenihfosfídogalíêvihdíodahspričineníšvidkimineitronamireaktora AT litovčenkopg degradacíinítavídnovníprocesiuzvorotnʹozmíŝenihfosfídogalíêvihdíodahspričineníšvidkimineitronamireaktora AT druzenkonv degradacionnyeivosstanovitelʹnyeprocessyvobratnosmeŝennyhfosfidogallievyhdiodahvyzvannyebystrymineitronamireaktora AT kucví degradacionnyeivosstanovitelʹnyeprocessyvobratnosmeŝennyhfosfidogallievyhdiodahvyzvannyebystrymineitronamireaktora AT mosolabov degradacionnyeivosstanovitelʹnyeprocessyvobratnosmeŝennyhfosfidogallievyhdiodahvyzvannyebystrymineitronamireaktora AT ušatalv degradacionnyeivosstanovitelʹnyeprocessyvobratnosmeŝennyhfosfidogallievyhdiodahvyzvannyebystrymineitronamireaktora AT grišinûg degradacionnyeivosstanovitelʹnyeprocessyvobratnosmeŝennyhfosfidogallievyhdiodahvyzvannyebystrymineitronamireaktora AT tartačnikvp degradacionnyeivosstanovitelʹnyeprocessyvobratnosmeŝennyhfosfidogallievyhdiodahvyzvannyebystrymineitronamireaktora AT čirkolí degradacionnyeivosstanovitelʹnyeprocessyvobratnosmeŝennyhfosfidogallievyhdiodahvyzvannyebystrymineitronamireaktora AT opilatvâ degradacionnyeivosstanovitelʹnyeprocessyvobratnosmeŝennyhfosfidogallievyhdiodahvyzvannyebystrymineitronamireaktora AT smirnovsb degradacionnyeivosstanovitelʹnyeprocessyvobratnosmeŝennyhfosfidogallievyhdiodahvyzvannyebystrymineitronamireaktora AT lastovecʹkiivf degradacionnyeivosstanovitelʹnyeprocessyvobratnosmeŝennyhfosfidogallievyhdiodahvyzvannyebystrymineitronamireaktora AT litovčenkopg degradacionnyeivosstanovitelʹnyeprocessyvobratnosmeŝennyhfosfidogallievyhdiodahvyzvannyebystrymineitronamireaktora AT druzenkonv degradationandrecoveryprocessesinreversebiasedphosphidegalliumdiodesinducedbyreactorfastneutrons AT kucví degradationandrecoveryprocessesinreversebiasedphosphidegalliumdiodesinducedbyreactorfastneutrons AT mosolabov degradationandrecoveryprocessesinreversebiasedphosphidegalliumdiodesinducedbyreactorfastneutrons AT ušatalv degradationandrecoveryprocessesinreversebiasedphosphidegalliumdiodesinducedbyreactorfastneutrons AT grišinûg degradationandrecoveryprocessesinreversebiasedphosphidegalliumdiodesinducedbyreactorfastneutrons AT tartačnikvp degradationandrecoveryprocessesinreversebiasedphosphidegalliumdiodesinducedbyreactorfastneutrons AT čirkolí degradationandrecoveryprocessesinreversebiasedphosphidegalliumdiodesinducedbyreactorfastneutrons AT opilatvâ degradationandrecoveryprocessesinreversebiasedphosphidegalliumdiodesinducedbyreactorfastneutrons AT smirnovsb degradationandrecoveryprocessesinreversebiasedphosphidegalliumdiodesinducedbyreactorfastneutrons AT lastovecʹkiivf degradationandrecoveryprocessesinreversebiasedphosphidegalliumdiodesinducedbyreactorfastneutrons AT litovčenkopg degradationandrecoveryprocessesinreversebiasedphosphidegalliumdiodesinducedbyreactorfastneutrons |