Сквид-магнитометр для структуроскопии конструкционных материалов
Представлена конструкция магнитометра для ранней диагностики радиационных повреждений конструкционных материалов. Магнитометр представляет собой измеритель магнитной восприимчивости материалов на базе гелиевого криостата-экрана с использованием сверхпроводящего квантового интерференционного детектор...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/15670 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Сквид-магнитометр для структуроскопии конструкционных материалов / А.В. Федорченко, В.Ю. Ляхно, В.И. Шнырков // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 1. — С. 150-156. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Представлена конструкция магнитометра для ранней диагностики радиационных повреждений конструкционных материалов. Магнитометр представляет собой измеритель магнитной восприимчивости материалов на базе гелиевого криостата-экрана с использованием сверхпроводящего квантового интерференционного детектора с высокочастотным возбуждением (ВЧ СКВИД). Проведен анализ особенностей подобных магнитометров, их характеристики и оценки предельно достижимых параметров в применяемых схемах. Описаны конструктивные особенности основных частей измерительного комплекса, методы оптимизации основных параметров, алгоритмы работы и калибровки. Исследованы источники помех при измерении магнитных свойств материалов в полях В = 3…4 Тл и приведены методы понижения внешних электромагнитных шумов с помощью специальной конструкции криостата-экрана. Приведены образцовые сигналы с измерителя и достигнутые параметры чувствительности к изменениям магнитного момента образца, стабилизации температуры образца и скорости испарения жидкого гелия. |
|---|