Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation
The electronic property of NiFe₂O₄ nanowire device is investigated through nonequilibrium Green’s functions
 (NEGF) in combination with density functional theory (DFT). The electronic transport properties of NiFe₂O₄
 nanowire are studied in terms of density of states, transmission sp...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2017
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/156991 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation / V. Nagarajan, R. Chandiramouli // Condensed Matter Physics. — 2017. — Т. 20, № 2. — С. 23301: 1–12. — Бібліогр.: 65 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862706492785819648 |
|---|---|
| author | Nagarajan, V. Chandiramouli, R |
| author_facet | Nagarajan, V. Chandiramouli, R |
| citation_txt | Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation / V. Nagarajan, R. Chandiramouli // Condensed Matter Physics. — 2017. — Т. 20, № 2. — С. 23301: 1–12. — Бібліогр.: 65 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Condensed Matter Physics |
| description | The electronic property of NiFe₂O₄ nanowire device is investigated through nonequilibrium Green’s functions
(NEGF) in combination with density functional theory (DFT). The electronic transport properties of NiFe₂O₄
nanowire are studied in terms of density of states, transmission spectrum and I–V characteristics. The density
of states gets modified with the applied bias voltage across NiFe₂O₄ nanowire device, the density of charge is
observed both in the valence band and in the conduction band on increasing the bias voltage. The transmission spectrum of NiFe₂O₄ nanowire device gives the insights on the transition of electrons at different energy
intervals. The findings of the present work suggest that NiFe₂O₄ nanowire device can be used as negative differential resistance (NDR) device and its NDR property can be tuned with the bias voltage, which may be used
in microwave device, memory devices and in fast switching devices.
Електроннi властивостi NiFe₂O₄ нанодротового пристрою дослiджується з використанням методу нерiвноважних функцiй Грiна в комбiнацiї з теорiєю функцiоналу густини. Властивостi електронного переносу
NiFe₂O₄ нанодроту вивчаються в термiнах густини станiв, спектру трансмiсiї та I–V характеристик. Густина станiв змiнюється при прикладаннi змiщувальної напруги через NiFe₂O₄ нанодротовий пристрiй,
густина заряду спостерiгається як у валентнiй зонi, так i в зонi провiдностi при збiльшеннi напруги змiщення. Спектр трансмiсiї NiFe₂O₄ нанодротового пристрою дає уявлення про перехiд електронiв на рiзних
енергетичних iнтервалах. Результати даної роботи наводять на думку, що NiFe₂O₄ нанодротовий пристрiй може бути використаний як негативний диференцiйний опiр, i ця його властивiсть може бути регульована за допомогою напруги змiщення, що може мати потенцiйне використання у мiкрохвильових
пристроях, пристроях пам’ятi i в перемикальних пристроях.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:59:34Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-156991 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1607-324X |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T16:59:34Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Nagarajan, V. Chandiramouli, R 2019-06-19T12:23:59Z 2019-06-19T12:23:59Z 2017 Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation / V. Nagarajan, R. Chandiramouli // Condensed Matter Physics. — 2017. — Т. 20, № 2. — С. 23301: 1–12. — Бібліогр.: 65 назв. — англ. 1607-324X PACS: 31.10.+z, 31.25.-v, 61.46.+w, 61.66.Fn, 73.63.Rt, 85.30.-z DOI:10.5488/CMP.20.23301 arXiv:1706.10148 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/156991 The electronic property of NiFe₂O₄ nanowire device is investigated through nonequilibrium Green’s functions
 (NEGF) in combination with density functional theory (DFT). The electronic transport properties of NiFe₂O₄
 nanowire are studied in terms of density of states, transmission spectrum and I–V characteristics. The density
 of states gets modified with the applied bias voltage across NiFe₂O₄ nanowire device, the density of charge is
 observed both in the valence band and in the conduction band on increasing the bias voltage. The transmission spectrum of NiFe₂O₄ nanowire device gives the insights on the transition of electrons at different energy
 intervals. The findings of the present work suggest that NiFe₂O₄ nanowire device can be used as negative differential resistance (NDR) device and its NDR property can be tuned with the bias voltage, which may be used
 in microwave device, memory devices and in fast switching devices. Електроннi властивостi NiFe₂O₄ нанодротового пристрою дослiджується з використанням методу нерiвноважних функцiй Грiна в комбiнацiї з теорiєю функцiоналу густини. Властивостi електронного переносу
 NiFe₂O₄ нанодроту вивчаються в термiнах густини станiв, спектру трансмiсiї та I–V характеристик. Густина станiв змiнюється при прикладаннi змiщувальної напруги через NiFe₂O₄ нанодротовий пристрiй,
 густина заряду спостерiгається як у валентнiй зонi, так i в зонi провiдностi при збiльшеннi напруги змiщення. Спектр трансмiсiї NiFe₂O₄ нанодротового пристрою дає уявлення про перехiд електронiв на рiзних
 енергетичних iнтервалах. Результати даної роботи наводять на думку, що NiFe₂O₄ нанодротовий пристрiй може бути використаний як негативний диференцiйний опiр, i ця його властивiсть може бути регульована за допомогою напруги змiщення, що може мати потенцiйне використання у мiкрохвильових
 пристроях, пристроях пам’ятi i в перемикальних пристроях. en Інститут фізики конденсованих систем НАН України Condensed Matter Physics Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation Дослiдження з перших принципiв нiкель-феритового нанодротового пристрою з негативним диференцiйним опором Article published earlier |
| spellingShingle | Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation Nagarajan, V. Chandiramouli, R |
| title | Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation |
| title_alt | Дослiдження з перших принципiв нiкель-феритового нанодротового пристрою з негативним диференцiйним опором |
| title_full | Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation |
| title_fullStr | Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation |
| title_full_unstemmed | Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation |
| title_short | Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation |
| title_sort | investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/156991 |
| work_keys_str_mv | AT nagarajanv investigationonnickelferritenanowiredeviceexhibitingnegativedifferentialresistanceafirstprinciplesinvestigation AT chandiramoulir investigationonnickelferritenanowiredeviceexhibitingnegativedifferentialresistanceafirstprinciplesinvestigation AT nagarajanv doslidžennâzperšihprincipivnikelʹferitovogonanodrotovogopristroûznegativnimdiferenciinimoporom AT chandiramoulir doslidžennâzperšihprincipivnikelʹferitovogonanodrotovogopristroûznegativnimdiferenciinimoporom |