Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation

The electronic property of NiFe₂O₄ nanowire device is investigated through nonequilibrium Green’s functions (NEGF) in combination with density functional theory (DFT). The electronic transport properties of NiFe₂O₄ nanowire are studied in terms of density of states, transmission spectrum and I–V c...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Condensed Matter Physics
Date:2017
Main Authors: Nagarajan, V., Chandiramouli, R
Format: Article
Language:English
Published: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2017
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/156991
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation / V. Nagarajan, R. Chandiramouli // Condensed Matter Physics. — 2017. — Т. 20, № 2. — С. 23301: 1–12. — Бібліогр.: 65 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-156991
record_format dspace
spelling Nagarajan, V.
Chandiramouli, R
2019-06-19T12:23:59Z
2019-06-19T12:23:59Z
2017
Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation / V. Nagarajan, R. Chandiramouli // Condensed Matter Physics. — 2017. — Т. 20, № 2. — С. 23301: 1–12. — Бібліогр.: 65 назв. — англ.
1607-324X
PACS: 31.10.+z, 31.25.-v, 61.46.+w, 61.66.Fn, 73.63.Rt, 85.30.-z
DOI:10.5488/CMP.20.23301
arXiv:1706.10148
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/156991
The electronic property of NiFe₂O₄ nanowire device is investigated through nonequilibrium Green’s functions (NEGF) in combination with density functional theory (DFT). The electronic transport properties of NiFe₂O₄ nanowire are studied in terms of density of states, transmission spectrum and I–V characteristics. The density of states gets modified with the applied bias voltage across NiFe₂O₄ nanowire device, the density of charge is observed both in the valence band and in the conduction band on increasing the bias voltage. The transmission spectrum of NiFe₂O₄ nanowire device gives the insights on the transition of electrons at different energy intervals. The findings of the present work suggest that NiFe₂O₄ nanowire device can be used as negative differential resistance (NDR) device and its NDR property can be tuned with the bias voltage, which may be used in microwave device, memory devices and in fast switching devices.
Електроннi властивостi NiFe₂O₄ нанодротового пристрою дослiджується з використанням методу нерiвноважних функцiй Грiна в комбiнацiї з теорiєю функцiоналу густини. Властивостi електронного переносу NiFe₂O₄ нанодроту вивчаються в термiнах густини станiв, спектру трансмiсiї та I–V характеристик. Густина станiв змiнюється при прикладаннi змiщувальної напруги через NiFe₂O₄ нанодротовий пристрiй, густина заряду спостерiгається як у валентнiй зонi, так i в зонi провiдностi при збiльшеннi напруги змiщення. Спектр трансмiсiї NiFe₂O₄ нанодротового пристрою дає уявлення про перехiд електронiв на рiзних енергетичних iнтервалах. Результати даної роботи наводять на думку, що NiFe₂O₄ нанодротовий пристрiй може бути використаний як негативний диференцiйний опiр, i ця його властивiсть може бути регульована за допомогою напруги змiщення, що може мати потенцiйне використання у мiкрохвильових пристроях, пристроях пам’ятi i в перемикальних пристроях.
en
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
Condensed Matter Physics
Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation
Дослiдження з перших принципiв нiкель-феритового нанодротового пристрою з негативним диференцiйним опором
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation
spellingShingle Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation
Nagarajan, V.
Chandiramouli, R
title_short Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation
title_full Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation
title_fullStr Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation
title_full_unstemmed Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation
title_sort investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation
author Nagarajan, V.
Chandiramouli, R
author_facet Nagarajan, V.
Chandiramouli, R
publishDate 2017
language English
container_title Condensed Matter Physics
publisher Інститут фізики конденсованих систем НАН України
format Article
title_alt Дослiдження з перших принципiв нiкель-феритового нанодротового пристрою з негативним диференцiйним опором
description The electronic property of NiFe₂O₄ nanowire device is investigated through nonequilibrium Green’s functions (NEGF) in combination with density functional theory (DFT). The electronic transport properties of NiFe₂O₄ nanowire are studied in terms of density of states, transmission spectrum and I–V characteristics. The density of states gets modified with the applied bias voltage across NiFe₂O₄ nanowire device, the density of charge is observed both in the valence band and in the conduction band on increasing the bias voltage. The transmission spectrum of NiFe₂O₄ nanowire device gives the insights on the transition of electrons at different energy intervals. The findings of the present work suggest that NiFe₂O₄ nanowire device can be used as negative differential resistance (NDR) device and its NDR property can be tuned with the bias voltage, which may be used in microwave device, memory devices and in fast switching devices. Електроннi властивостi NiFe₂O₄ нанодротового пристрою дослiджується з використанням методу нерiвноважних функцiй Грiна в комбiнацiї з теорiєю функцiоналу густини. Властивостi електронного переносу NiFe₂O₄ нанодроту вивчаються в термiнах густини станiв, спектру трансмiсiї та I–V характеристик. Густина станiв змiнюється при прикладаннi змiщувальної напруги через NiFe₂O₄ нанодротовий пристрiй, густина заряду спостерiгається як у валентнiй зонi, так i в зонi провiдностi при збiльшеннi напруги змiщення. Спектр трансмiсiї NiFe₂O₄ нанодротового пристрою дає уявлення про перехiд електронiв на рiзних енергетичних iнтервалах. Результати даної роботи наводять на думку, що NiFe₂O₄ нанодротовий пристрiй може бути використаний як негативний диференцiйний опiр, i ця його властивiсть може бути регульована за допомогою напруги змiщення, що може мати потенцiйне використання у мiкрохвильових пристроях, пристроях пам’ятi i в перемикальних пристроях.
issn 1607-324X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/156991
citation_txt Investigation on nickel ferrite nanowire device exhibiting negative differential resistance — a first-principles investigation / V. Nagarajan, R. Chandiramouli // Condensed Matter Physics. — 2017. — Т. 20, № 2. — С. 23301: 1–12. — Бібліогр.: 65 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT nagarajanv investigationonnickelferritenanowiredeviceexhibitingnegativedifferentialresistanceafirstprinciplesinvestigation
AT chandiramoulir investigationonnickelferritenanowiredeviceexhibitingnegativedifferentialresistanceafirstprinciplesinvestigation
AT nagarajanv doslidžennâzperšihprincipivnikelʹferitovogonanodrotovogopristroûznegativnimdiferenciinimoporom
AT chandiramoulir doslidžennâzperšihprincipivnikelʹferitovogonanodrotovogopristroûznegativnimdiferenciinimoporom
first_indexed 2025-12-07T16:59:34Z
last_indexed 2025-12-07T16:59:34Z
_version_ 1850869572555505664