Influence of electric fields on dielectric properties of GPI ferroelectric

Using modified microscopic model of GPI by taking into account the piezoelectric coupling with strains εi in the frames of two-particle cluster approximation, the components of polarization vector and static dielectric permittivity tensor of the crystal at applying the external transverse electri...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Condensed Matter Physics
Datum:2017
Hauptverfasser: Zachek, I.R., Levitskii, R.R., Vdovych, A.S., Stasyuk, I.V.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2017
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/157002
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Influence of electric fields on dielectric properties of GPI ferroelectric / I.R. Zachek, R.R. Levitskii, A.S. Vdovych, I.V. Stasyuk // Condensed Matter Physics. — 2017. — Т. 20, № 2. — С. 23706: 1–17. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Using modified microscopic model of GPI by taking into account the piezoelectric coupling with strains εi in the frames of two-particle cluster approximation, the components of polarization vector and static dielectric permittivity tensor of the crystal at applying the external transverse electric fields E₁ and E₃ are calculated. An analysis of the influence of these fields on thermodynamic characteristics of GPI is carried out. A satisfactory quantitative description of the available experimental data for these characteristics has been obtained at a proper choice of the model parameters Використовуючи модель GPI, модифiковану шляхом врахування п’єзоелектричного зв’язку з деформацiями εi в наближеннi двочастинкового кластера, розраховано компоненти вектора поляризацiї та тензора статичної дiелектричної проникностi кристала при прикладаннi зовнiшнiх поперечних електричних полiв E₁ i E₃. Проведено аналiз впливу цих полiв на дiелектричнi характеристики GPI. При належному виборi параметрiв теорiї отримано задовiльний кiлькiсний опис наявних експериментальних даних для цих характеристик.
ISSN:1607-324X