Integer quantum Hall effect and topological phase transitions in silicene

We numerically investigate the effects of disorder on the quantum Hall effect (QHE) and the quantum phase transitions in silicene based on a lattice model. It is shown that for a clean sample, silicene exhibits an unconventional QHE near the band center, with plateaus developing at ν = 0, ±2, ±6, ....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Condensed Matter Physics
Date:2017
Main Authors: Liu, Y.L., Luo, G.X., Xu, N., Tian, H.Y., Ren, C.D.
Format: Article
Language:English
Published: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2017
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/157026
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Integer quantum Hall effect and topological phase transitions in silicene / Y.L. Liu, G.X. Luo, N. Xu, H.Y. Tian, C.D. Ren // Condensed Matter Physics. — 2017. — Т. 20, № 4. — С. 43701: 1–7. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:We numerically investigate the effects of disorder on the quantum Hall effect (QHE) and the quantum phase transitions in silicene based on a lattice model. It is shown that for a clean sample, silicene exhibits an unconventional QHE near the band center, with plateaus developing at ν = 0, ±2, ±6, . . ., and a conventional QHE near the band edges. In the presence of disorder, the Hall plateaus can be destroyed through the float-up of extended levels toward the band center, in which higher plateaus disappear first. However, the center ν = 0 Hall plateau is more sensitive to disorder and disappears at a relatively weak disorder strength. Moreover, the combination of an electric field and the intrinsic spin-orbit interaction (SOI) can lead to quantum phase transitions from a topological insulator to a band insulator at the charge neutrality point (CNP), accompanied by additional quantum Hall conductivity plateaus. Проведено числове дослiдження впливу безладу на квантовий Голiв ефект (КГЕ) та квантовi фазовi переходи у сiлiценi на основi ґраткової моделi. Показано, що у випадку чистого зразка, сiлiцен проявляє нетрадицiйний КГЕ поблизу центру зони, де утворюються плато при ν = 0, ±2, ±6, . . ., i традицiйний КГЕ поблизу країв зони. При наявностi безладу, плато Гола можуть бути зруйнованi за рахунок спливання розтягнутих рiвнiв в напрямку до центру зони, де першими зникають вищi плато. Однак, центр ν = 0 плато Гола є бiльш чутливим до безладу i зникає при вiдносно слабiй силi безладу. Крiм того, поєднання електричного поля та властивої спiн-орбiтальної взаємодiї може призвести до квантових фазових переходiв вiд топологiчного дiелектрика до зонного дiелектрика у точцi нейтральностi заряду, що супроводжується утворенням додаткових плато квантової провiдностi Гола.
ISSN:1607-324X