Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots

Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots

A spherical quantum dot (QD) heterosystem CdS/SiO2 has been studied. Each QD has a hydrogen-like impurity in its center. Besides that, it has been accounted that a polarization trap for electron exists at the interfaces due to the difference between the QD and matrix dielectric permittivity. It ha...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Condensed Matter Physics
Дата:2017
Автори: Boichuk, V.I., Leshko, R.Ya., Karpyn, D.S.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 2017
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/157030
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots / V.I. Boichuk, R.Ya. Leshko, D.S. Karpyn // Condensed Matter Physics. — 2017. — Т. 20, № 4. — С. 43704: 1–8. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-157030
record_format dspace
spelling Boichuk, V.I.
Leshko, R.Ya.
Karpyn, D.S.
2019-06-19T13:21:04Z
2019-06-19T13:21:04Z
2017
Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots / V.I. Boichuk, R.Ya. Leshko, D.S. Karpyn // Condensed Matter Physics. — 2017. — Т. 20, № 4. — С. 43704: 1–8. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.
1607-324X
PACS: 73.21.La, 78.20.Ci
DOI:10.5488/CMP.20.43704
arXiv:1712.05362
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/157030
A spherical quantum dot (QD) heterosystem CdS/SiO2 has been studied. Each QD has a hydrogen-like impurity in its center. Besides that, it has been accounted that a polarization trap for electron exists at the interfaces due to the difference between the QD and matrix dielectric permittivity. It has been defined that for small QD radii there are surface electron states. For different radii, partial contributions of the surface states into the electron energy caused by the electron-ion and electron-polarization charges interaction have been defined. The linear light absorption coefficient of noninteracting QDs has been calculated taking into account the QD dispersion by the size. It is shown that the surface states can be observed into different ranges of an electromagnetic spectrum.
У роботi дослiджується наногетеросистема сферичних квантових точок (КТ) CdS у матрицi SiO2. Кожна КТ у центрi мiстить водневоподiбну домiшку. Крiм того, враховано, що бiля меж подiлу через рiзницю дiелектричних проникностей виникає поляризацiйна пастка для електрона. Встановлено, що для малих радiусiв КТ iснують поверхневi електроннi стани. Для рiзних радiусiв КТ обчислено парцiальнi внески в енергiю зв’язку поверхневих станiв вiд взаємодiї електрона з iоном домiшки та поляризацiйними зарядами. Проведено обчислення коефiцiєнта мiжрiвневого поглинання гетеросистеми з невзаємодiючими КТ, враховуючи їх дисперсiю за розмiрами. Показано, що поверхневi стани проявляються в рiзних областях спектру.
en
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
Condensed Matter Physics
Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots
Аналiз впливу поляризацiйних пасток i мiлких домiшок на мiжрiвневе поглинання свiтла квантовими точками
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots
spellingShingle Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots
Boichuk, V.I.
Leshko, R.Ya.
Karpyn, D.S.
title_short Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots
title_full Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots
title_fullStr Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots
title_full_unstemmed Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots
title_sort analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots
author Boichuk, V.I.
Leshko, R.Ya.
Karpyn, D.S.
author_facet Boichuk, V.I.
Leshko, R.Ya.
Karpyn, D.S.
publishDate 2017
language English
container_title Condensed Matter Physics
publisher Інститут фізики конденсованих систем НАН України
format Article
title_alt Аналiз впливу поляризацiйних пасток i мiлких домiшок на мiжрiвневе поглинання свiтла квантовими точками
description A spherical quantum dot (QD) heterosystem CdS/SiO2 has been studied. Each QD has a hydrogen-like impurity in its center. Besides that, it has been accounted that a polarization trap for electron exists at the interfaces due to the difference between the QD and matrix dielectric permittivity. It has been defined that for small QD radii there are surface electron states. For different radii, partial contributions of the surface states into the electron energy caused by the electron-ion and electron-polarization charges interaction have been defined. The linear light absorption coefficient of noninteracting QDs has been calculated taking into account the QD dispersion by the size. It is shown that the surface states can be observed into different ranges of an electromagnetic spectrum. У роботi дослiджується наногетеросистема сферичних квантових точок (КТ) CdS у матрицi SiO2. Кожна КТ у центрi мiстить водневоподiбну домiшку. Крiм того, враховано, що бiля меж подiлу через рiзницю дiелектричних проникностей виникає поляризацiйна пастка для електрона. Встановлено, що для малих радiусiв КТ iснують поверхневi електроннi стани. Для рiзних радiусiв КТ обчислено парцiальнi внески в енергiю зв’язку поверхневих станiв вiд взаємодiї електрона з iоном домiшки та поляризацiйними зарядами. Проведено обчислення коефiцiєнта мiжрiвневого поглинання гетеросистеми з невзаємодiючими КТ, враховуючи їх дисперсiю за розмiрами. Показано, що поверхневi стани проявляються в рiзних областях спектру.
issn 1607-324X
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/157030
citation_txt Analysis of the effect of polarization traps and shallow impurities on the interlevel light absorption of quantum dots / V.I. Boichuk, R.Ya. Leshko, D.S. Karpyn // Condensed Matter Physics. — 2017. — Т. 20, № 4. — С. 43704: 1–8. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT boichukvi analysisoftheeffectofpolarizationtrapsandshallowimpuritiesontheinterlevellightabsorptionofquantumdots
AT leshkorya analysisoftheeffectofpolarizationtrapsandshallowimpuritiesontheinterlevellightabsorptionofquantumdots
AT karpynds analysisoftheeffectofpolarizationtrapsandshallowimpuritiesontheinterlevellightabsorptionofquantumdots
AT boichukvi analizvplivupolârizaciinihpastokimilkihdomišoknamižrivnevepoglinannâsvitlakvantovimitočkami
AT leshkorya analizvplivupolârizaciinihpastokimilkihdomišoknamižrivnevepoglinannâsvitlakvantovimitočkami
AT karpynds analizvplivupolârizaciinihpastokimilkihdomišoknamižrivnevepoglinannâsvitlakvantovimitočkami
first_indexed 2025-12-07T15:48:22Z
last_indexed 2025-12-07T15:48:22Z
_version_ 1850865093225480192

Схожі ресурси