Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях - Довбня, А.Н.; Ефимов, В.П.; Абызов, А.С.; Шаповал, И.И.; Рыбка, А.В.; Березняк, Е.П.; Закутин, В.В.; Решетняк, Н.Г.; Ромасько, В.П. (Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України, 2010)
Исследуются радиационные процессы формирования аморфно-микрокристаллических гетероструктур с квантовыми нитями, обеспечивающие вывод носителей заряда из объема полупроводника в кремниевых фотопреобразователях нового поколения. Досліджено радіаційні процеси формування аморфно-мікрокристалічних гетероструктур з квантовими нитями, які забезпечують відведення носіїв заряду з об'єму напівпровідника у кремнієвих фотоперетворювачах нового покоління. Radiation processes of formation of amorphous-microcrystalline heterostructures with the quantum threads, providing charge carriers collection from semiconductor bulk in the silicon photoconverters of new generation are investigated.