Use of density functional theory for modeling optical properties of vacancy defects in nanoclusters of various SiC polytypes
We studied electronic properties of the ground and lowest excited states of SiC defective nanoclusters falling into 3C, 2H and 4H polymorphic types. The standard time-dependent DFT method was used along with the economical model-core-potential approximation. Basing on our earlier works, we performed...
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| Veröffentlicht in: | Functional Materials |
|---|---|
| Datum: | 2018 |
| Hauptverfasser: | Zhikol, O.A., Luzanov, A.V., Omelchenko, I.V., Pushkarchuk, A.L., Pushkarchuk, V.A., Nizovstev, A.P., Kilin, S.Ya., Bezyazychnaya, T.V., Kuten', S.A. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2018
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/157143 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Use of density functional theory for modeling optical properties of vacancy defects in nanoclusters of various SiC polytypes / O.A. Zhikol, A.V. Luzanov, I.V. Omelchenko, A.L. Pushkarchuk, V.A. Pushkarchuk, A.P. Nizovstev, S.Ya. Kilin, T.V. Bezyazychnaya, S.A. Kuten' // Functional Materials. — 2018. — Т. 25, № 2. — С. 337-341. — Бібліогр.: 29 назв. — англ. |
Institution
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