Buchumschlag

Current transport through ohmic contacts to indiume nitride with high defect density

The temperature dependences of contact resistivity are measured for Pd/Ti/Au ohmic contacts toward indium nitride (with different doping level 2.0ċ10¹⁸ and 8.3ċ10¹⁸ cm⁻³) over the wide temperature range (4.2 - 380 K). The growing curves are obtained in the entire investigated temperature range for b...

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Veröffentlicht in:	Functional Materials
Datum:	2018
Hauptverfasser:	Sai, P.O., Safriuk, N.V., Shynkarenko, V.V., Brunkov, P.N., Jmerik, V.N., Ivanov, S.V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2018
Schlagworte:	Characterization and properties
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/157174
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Current transport through ohmic contacts to indiume nitride with high defect density / P.O. Sai, N.V. Safriuk, V.V. Shynkarenko, P.N. Brunkov, V.N. Jmerik, S.V. Ivanov // Functional Materials. — 2018. — Т. 25, № 3. — С. 486-489. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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