Зображення обкладинки

Current transport through ohmic contacts to indiume nitride with high defect density

The temperature dependences of contact resistivity are measured for Pd/Ti/Au ohmic contacts toward indium nitride (with different doping level 2.0ċ10¹⁸ and 8.3ċ10¹⁸ cm⁻³) over the wide temperature range (4.2 - 380 K). The growing curves are obtained in the entire investigated temperature range for b...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Functional Materials
Дата:	2018
Автори:	Sai, P.O., Safriuk, N.V., Shynkarenko, V.V., Brunkov, P.N., Jmerik, V.N., Ivanov, S.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2018
Теми:	Characterization and properties
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/157174
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Current transport through ohmic contacts to indiume nitride with high defect density / P.O. Sai, N.V. Safriuk, V.V. Shynkarenko, P.N. Brunkov, V.N. Jmerik, S.V. Ivanov // Functional Materials. — 2018. — Т. 25, № 3. — С. 486-489. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: Sai, P.O.
Опубліковано: (2016)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)

Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: P. O. Sai
Опубліковано: (2016)

Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)

Metrological aspects of researching the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
за авторством: Sheremet, V.N.
Опубліковано: (2014)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: M. S. Boltovets, та інші
Опубліковано: (2010)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2019)

On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)

Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices
за авторством: Ivanov, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of microwave treatment on current flow mechanism in ohmic contacts to GaN
за авторством: Sheremet, V.N.
Опубліковано: (2013)

Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
за авторством: V. N. Litvinenko, та інші
Опубліковано: (2020)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n⁺ -n doping step
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Metrological aspects of studying the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2014)

Complex index of refraction of indium nitride InN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Complex index of refraction of indium nitride InN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2013)

Investigation of defective structure of indium phosphide on the edges of digestion
за авторством: Ya. O. Sychikova
Опубліковано: (2012)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au Ti Pd2Si p+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)

Vacuum wetting and contact interaction of some of the metallic melts with indium and tin oxides
за авторством: M. F. Hryhorenko, та інші
Опубліковано: (2021)

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n⁺ -GaN ohmic contacts
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2018)