Switching behaviour of stilbene molecular device: a first-principles study
The switching behaviour of stilbene molecular system (SMS) device is investigated with the help of non-equilibrium Green’s function (NEGF) approach using first principles calculation. The transmission spectrum of cisisomers confirmed that more electrons are transferred across the SMS-device using op...
Saved in:
| Published in: | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Date: | 2018 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2018
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/157466 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Switching behaviour of stilbene molecular device: a first-principles study / V. Nagarajan, R. Chandiramouli // Condensed Matter Physics. — 2018. — Т. 21, № 4. — С. 43301: 1–12 . — Бібліогр.: 52 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | The switching behaviour of stilbene molecular system (SMS) device is investigated with the help of non-equilibrium Green’s function (NEGF) approach using first principles calculation. The transmission spectrum of cisisomers confirmed that more electrons are transferred across the SMS-device using optical excitation by the
spin of C=C bond by torsion angle (θ = 180◦
). The current-voltage characteristics show the lower magnitude
of current for trans-stilbene and higher magnitude of current for cis-stilbene for an externally applied bias
voltage. The outcome of the proposed work suggests that cis and trans-stilbene molecular device can be used
as a switch.
Перемикальна поведiнка пристроїв, що працюють на основi стильбенової молекулярної системи (SMS)
дослiджується з використанням методу нерiвноважних функцiй Грiна та першопринципних розрахункiв.
Спектр трансмiсiї cis-iзомерiв пiдтвердив, що бiльша кiлькiсть електронiв переходить через SMS-пристрiй,
використовуючи оптичне збудження спiном зв’язку C=C на торсiйний кут (θ = 180◦
). Вольт-ампернi характеристики вказують на iснування нижчих величин струму для trans-стильбенових пристроїв та вищих
величин струму для cis-стильбенових пристроїв при накладаннi зовнiшньої змiщувальної напруги. В результатi проведеної роботи доведено, що cis i trans-стильбеновий пристрiй можна використовувати в
якостi перемикача.
|
|---|---|
| ISSN: | 1607-324X |