Mechanisms of electron scattering in uniaxially deformed n-Ge‹Sb, Au› single crystals
Temperature dependencies for concentration and the Hall mobility of electrons for the n-GehSbi and n-GehSb, Aui single crystals uniaxially deformed along the crystallographic directions [100] and [111] are obtained on the basis of piezo-Hall effect measurements. A deformation-induced increase of th...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Condensed Matter Physics |
|---|---|
| Дата: | 2019 |
| Автори: | Luniov, S.V., Nazarchuk, P.F., Zimych, A.I., Udovytska, Yu.A., Burban, O.V. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2019
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/157477 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Mechanisms of electron scattering in uniaxially deformed n-Ge‹Sb, Au› single crystals / S.V. Luniov, P.F. Nazarchuk, A.I. Zimych, Yu.A. Udovytska, O.V. Burban // Condensed Matter Physics. — 2019. — Т. 22, № 1. — С. 13702: 1–10. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017)
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015)
The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019)
Вплив сурфактантних підшарів Sb та Ge на структуру плівок Cu і Au
за авторством: Бігун, Р.І., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Бігун, Р.І., та інші
Опубліковано: (2009)
Radiation defects parameters determination in n-Ge single crystals irradiated by high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2016)
Experimental proof of the shape constancy for isoenergetic ellipsoids in n–Ge under strong uniaxial elastic deformation
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2015)
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2015)
Electromagnetic radiation from Au + Au collisions at GeV measured with HADES
за авторством: D. Dittert
Опубліковано: (2019)
за авторством: D. Dittert
Опубліковано: (2019)
Electromagnetic radiation from Au + Au collisions at GeV measured with HADES
за авторством: D. Dittert
Опубліковано: (2019)
за авторством: D. Dittert
Опубліковано: (2019)
Crystallization process in thin stoichiometric GeSbTe films
за авторством: Claudio, D., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Claudio, D., та інші
Опубліковано: (2005)
Crystallization kinetics of Ge₂₂Sb₂₂Tе₅₆ doped with Se and Ni
за авторством: Garsia-Garsia, E., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Garsia-Garsia, E., та інші
Опубліковано: (1998)
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2019)
Component analysis of phonon spectra dychroidism in uniaxially deformed silicon crystal
за авторством: Ye. Matiash, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ye. Matiash, та інші
Опубліковано: (2018)
Subcooling during crystallization of a Ge-Au eutectic on an amorphous germanium substrate
за авторством: R. V. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: R. V. Sukhov, та інші
Опубліковано: (2010)
Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)
Efficiency of H center stabilization in alkali halide crystals at low-temperature uniaxial deformation
за авторством: N. Zhanturina, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: N. Zhanturina, та інші
Опубліковано: (2020)
Переохлаждение при кристаллизации эвтектики Ge-Au на аморфной германиевой подложке
за авторством: Сухов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Сухов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Raman scattering in superlattices with Ge quantum dots
за авторством: Yu. A. Romanyuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. A. Romanyuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Raman scattering in superlattices with Ge quantum dots
за авторством: Yu. A. Romaniuk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Yu. A. Romaniuk, та інші
Опубліковано: (2015)
Experimental evidence of invariability in the shape of n‑Ge isoenergetic ellipsoids influenced by strong uniaxial elastic strains
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)
Investigation of dislocations in Ge single crystals by scanning electron beam
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Nadtochy, V., та інші
Опубліковано: (2004)
Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)
Charge carrier scattering mechanisms in thermoelectric PbTe:Sb
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2014)
Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2015)
Formation mechanisms and geometry of the crack assemble formed under uniaxial cyclic compression of NaCl single crystals
за авторством: Boyko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Boyko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2012)
Raman scattering in LiNiPO₄ single crystal
за авторством: Fomin, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Fomin, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Photoluminescence and light scattering in lead tungstate single crystals
за авторством: Tsapenko, A.B., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Tsapenko, A.B., та інші
Опубліковано: (2005)
Temperature effect on light polarization in uniaxial crystals
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2016)
Temperature effect on light polarization in uniaxial crystals
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2016)
Определение эвтектической температуры изолированных двухфазных наночастиц Au-Ge на аморфной углеродной подложке
за авторством: Крышталь, А.П.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Крышталь, А.П.
Опубліковано: (2015)
The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Efficient core-SiO₂/shell-Au nanostructures for surface enhanced Raman scattering
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Yukhymchuk, V.O., та інші
Опубліковано: (2014)
Propagation of linearly polarized light in a heated uniaxial CdS crystal
за авторством: Virko, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Virko, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface
за авторством: N. L. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: N. L. Dmitruk, та інші
Опубліковано: (2015)
Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)
Generalized deformed oscillators in the framework of unified (q, α, β, γ, ν)-deformation and their oscillator algebras
за авторством: I. M. Burban
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. M. Burban
Опубліковано: (2012)
Generalized deformed oscillators in the framework of unified (q, α, β, γ, ν)-deformation and their oscillator algebras
за авторством: I. M. Burban
Опубліковано: (2012)
за авторством: I. M. Burban
Опубліковано: (2012)
The refractometry of the uniaxially stressed ferroelectrics
за авторством: Romanyuk, M.O., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Romanyuk, M.O., та інші
Опубліковано: (1999)
Hall and magnetoresistance factors in Bi0.88Sb0.12 single crystal doped with Te
за авторством: Kh. A. Gasanova, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kh. A. Gasanova, та інші
Опубліковано: (2015)
Схожі ресурси
-
Determination of the activation energy of A-center in the uniaxially deformed n-Ge single crystals
за авторством: S. V. Lunov, та інші
Опубліковано: (2017) -
Calculation of the ground-state ionization energy for shallow donors in n-Ge single crystals within the Δ1-model for the conduction band
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2015) -
The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019) -
Features of radiation-defect annealing in n-Ge single crystals irradiated with high-energy electrons
за авторством: S. V. Luniov, та інші
Опубліковано: (2019) -
Вплив сурфактантних підшарів Sb та Ge на структуру плівок Cu і Au
за авторством: Бігун, Р.І., та інші
Опубліковано: (2009)