До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопор...
Saved in:
| Published in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Date: | 2019 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2019
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/158108 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-158108 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Гайдар, Г.П. 2019-07-15T15:53:59Z 2019-07-15T15:53:59Z 2019 До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2019.05.067 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/158108 621.315.592 У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопору в інших кристалографічних напрямках, де вказаний ефект значний за величиною. В рамках теории анизотропного рассеяния для многодолинных полупроводников n-Ge и n-Sі получены полезные для практического применения выражения, которые позволяют рассчитывать значения тензосопротивления в насыщении для кристаллографических направлений, где этот эффект незначительный, по результатам измерений тензосопротивления в других кристаллографических направлениях, где указанный эффект значительный по величине. In the framework of the theory of anisotropic scattering, the expressions useful for the practical application are obtained for many-valley semiconductors such as n-Ge and n-Si. These relations allow us to calculate the tensoresistance in saturation for crystallographic directions, where this effect is very small, by using the measurement results of tensoresistance in other crystallographic directions, where this effect has large values. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Фізика До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 К методологии определения тензосопротивления n-Ge и n-Sі в кристаллографических направлениях 〈110〉 On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉 Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 |
| spellingShingle |
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 Гайдар, Г.П. Фізика |
| title_short |
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 |
| title_full |
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 |
| title_fullStr |
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 |
| title_full_unstemmed |
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 |
| title_sort |
до методології визначення тензоопору n-ge та n-si у кристалографічних напрямках 〈110〉 |
| author |
Гайдар, Г.П. |
| author_facet |
Гайдар, Г.П. |
| topic |
Фізика |
| topic_facet |
Фізика |
| publishDate |
2019 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Доповіді НАН України |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
К методологии определения тензосопротивления n-Ge и n-Sі в кристаллографических направлениях 〈110〉 On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉 |
| description |
У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в
насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопору в інших кристалографічних напрямках, де вказаний ефект значний за величиною.
В рамках теории анизотропного рассеяния для многодолинных полупроводников n-Ge и n-Sі получены
полезные для практического применения выражения, которые позволяют рассчитывать значения тензосопротивления в насыщении для кристаллографических направлений, где этот эффект незначительный,
по результатам измерений тензосопротивления в других кристаллографических направлениях, где
указанный эффект значительный по величине.
In the framework of the theory of anisotropic scattering, the expressions useful for the practical application are
obtained for many-valley semiconductors such as n-Ge and n-Si. These relations allow us to calculate the tensoresistance
in saturation for crystallographic directions, where this effect is very small, by using the measurement
results of tensoresistance in other crystallographic directions, where this effect has large values.
|
| issn |
1025-6415 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/158108 |
| citation_txt |
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT gaidargp dometodologííviznačennâtenzooporungetansiukristalografíčnihnaprâmkah110 AT gaidargp kmetodologiiopredeleniâtenzosoprotivleniângeinsívkristallografičeskihnapravleniâh110 AT gaidargp onthemethodologyoftensoresistancedeterminationforngeandnsiinthecrystallographicdirections110 |
| first_indexed |
2025-12-07T19:23:54Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:23:54Z |
| _version_ |
1850878653795139584 |