До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в
 насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання т...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2019 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/158108 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862731098425917440 |
|---|---|
| author | Гайдар, Г.П. |
| author_facet | Гайдар, Г.П. |
| citation_txt | До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в
насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопору в інших кристалографічних напрямках, де вказаний ефект значний за величиною.
В рамках теории анизотропного рассеяния для многодолинных полупроводников n-Ge и n-Sі получены
полезные для практического применения выражения, которые позволяют рассчитывать значения тензосопротивления в насыщении для кристаллографических направлений, где этот эффект незначительный,
по результатам измерений тензосопротивления в других кристаллографических направлениях, где
указанный эффект значительный по величине.
In the framework of the theory of anisotropic scattering, the expressions useful for the practical application are
obtained for many-valley semiconductors such as n-Ge and n-Si. These relations allow us to calculate the tensoresistance
in saturation for crystallographic directions, where this effect is very small, by using the measurement
results of tensoresistance in other crystallographic directions, where this effect has large values.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:23:54Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-158108 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:23:54Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гайдар, Г.П. 2019-07-15T15:53:59Z 2019-07-15T15:53:59Z 2019 До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2019.05.067 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/158108 621.315.592 У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в
 насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання тензоопору в інших кристалографічних напрямках, де вказаний ефект значний за величиною. В рамках теории анизотропного рассеяния для многодолинных полупроводников n-Ge и n-Sі получены
 полезные для практического применения выражения, которые позволяют рассчитывать значения тензосопротивления в насыщении для кристаллографических направлений, где этот эффект незначительный,
 по результатам измерений тензосопротивления в других кристаллографических направлениях, где
 указанный эффект значительный по величине. In the framework of the theory of anisotropic scattering, the expressions useful for the practical application are
 obtained for many-valley semiconductors such as n-Ge and n-Si. These relations allow us to calculate the tensoresistance
 in saturation for crystallographic directions, where this effect is very small, by using the measurement
 results of tensoresistance in other crystallographic directions, where this effect has large values. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Фізика До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 К методологии определения тензосопротивления n-Ge и n-Sі в кристаллографических направлениях 〈110〉 On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉 Article published earlier |
| spellingShingle | До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 Гайдар, Г.П. Фізика |
| title | До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 |
| title_alt | К методологии определения тензосопротивления n-Ge и n-Sі в кристаллографических направлениях 〈110〉 On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉 |
| title_full | До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 |
| title_fullStr | До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 |
| title_full_unstemmed | До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 |
| title_short | До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 |
| title_sort | до методології визначення тензоопору n-ge та n-si у кристалографічних напрямках 〈110〉 |
| topic | Фізика |
| topic_facet | Фізика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/158108 |
| work_keys_str_mv | AT gaidargp dometodologííviznačennâtenzooporungetansiukristalografíčnihnaprâmkah110 AT gaidargp kmetodologiiopredeleniâtenzosoprotivleniângeinsívkristallografičeskihnapravleniâh110 AT gaidargp onthemethodologyoftensoresistancedeterminationforngeandnsiinthecrystallographicdirections110 |