Зображення обкладинки

До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉

У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання т...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Доповіді НАН України
Дата:	2019
Автор:	Гайдар, Г.П.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2019
Теми:	Фізика
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/158108
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2013)

До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2022)

Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2018)

Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2020)

Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2014)

Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2021)

Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2016)

On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2019)

Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2012)

Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
за авторством: Козирев, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Деформаційні ефекти у кристалах германію діркової провідності
за авторством: Гайдар, Г.П.
Опубліковано: (2023)

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
за авторством: Баранський, П.І., та інші
Опубліковано: (2016)

Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
за авторством: Стыров, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Первопринципное моделирование ближнего порядка в аустените Fe–N
за авторством: Тимошевский, А.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование физических состояний водных растворов оксиэтилированных производных ацетамида со степенью полимеризации n = 1 и n = 7 ÷ 8 методом оптической криомикроскопии
за авторством: Животова, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2007)

Study of surface influence on the n-Ge(110) electroreflectance spectra and their polarization spectroscopy
за авторством: Vlasenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2009)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: P. I. Baranskii, та інші
Опубліковано: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
за авторством: Baranskii, P.I., та інші
Опубліковано: (2012)

Поняття адаптації в різних напрямках психології
за авторством: Ніколаєнко, Св., та інші
Опубліковано: (2012)

Поняття адаптації в різних напрямках психології
за авторством: Ніколаєнко, Св., та інші
Опубліковано: (2011)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
за авторством: V. I. Shvabiuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Особливості фізичних процесів формування кремнієвих поверхнево-бар’єрних структур
за авторством: Гайдар, Г.П., та інші
Опубліковано: (2024)

Исследование физических состояний бинарных систем вода—оксиэтилированный глицерин со степенью полимеризации n = 5 и 25 при температурах ниже 273 К методом криомикроскопии
за авторством: Животова, Е.Н., та інші
Опубліковано: (2007)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2015)

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals
за авторством: Budzulyak, S.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавiтацiйної обробки в рiдкому азотi
за авторством: Савкiна, Р.К., та інші
Опубліковано: (2015)

Взаємовідносини ЗУНР і Гетьманату Павла Скоропадського: на різновекторних напрямках
за авторством: Пиріг, Р.
Опубліковано: (2018)

Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
за авторством: P. I. Baranskyi, та інші
Опубліковано: (2016)

Розвиток методології визначення границь кар'єрів
за авторством: Блізнюков, В.Г., та інші
Опубліковано: (2018)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
за авторством: H. P. Haidar, та інші
Опубліковано: (2017)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Люмінесценція гідроксилапатиту кальцію при рентгенівському опроміненні
за авторством: Дорошенко, І.Ю., та інші
Опубліковано: (2020)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Застосування методу оберненої задачі розсіювання до рівняння Вахненка–Паркеса для опису взаємодії солітону з періодичною хвилею
за авторством: Вахненко, В.О.
Опубліковано: (2011)

Сужение ультрамягких рентгеновских спектров и изменение зонной энергии электронов вследствие диспергирования порошков рутилоподобного TiO2 до наноразмеров
за авторством: Бекенев, В.Л., та інші
Опубліковано: (2007)

Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
за авторством: Цибрій, З.Ф.
Опубліковано: (2019)