Cover Image

До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉

У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників n-Ge та n-Si одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розраховувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків, де цей ефект незначний, за результатами вимірювання т...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Доповіді НАН України
Date:	2019
Main Author:	Гайдар, Г.П.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2019
Subjects:	Фізика
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/158108
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉 / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 5. — С. 67-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2013)

До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2022)

Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge 〈As〉 під впливом термовідпалів
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2018)

Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2020)

Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n–Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації
by: Гайдар, Г.П., et al.
Published: (2015)

Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n–Si
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2014)

Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій
by: Гайдар, Г.П., et al.
Published: (2021)

Вплив ізовалентної домішки Ge і термовідпалів на електрофізичні властивості кристалів кремнію
by: Гайдар, Г.П., et al.
Published: (2016)

On the methodology of tensoresistance determination for n-Ge and n-Si in the crystallographic directions 〈110〉
by: H. P. Haidar
Published: (2019)

Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2012)

Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
by: Козирев, Ю.М., et al.
Published: (2010)

Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si
by: Гайдар, Г.П., et al.
Published: (2017)

Деформаційні ефекти у кристалах германію діркової провідності
by: Гайдар, Г.П.
Published: (2023)

Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge
by: Баранський, П.І., et al.
Published: (2016)

Эффективность генерации планарных диодов n⁺−n−n⁺ c туннельными границами
by: Прохоров, Э.Д., et al.
Published: (2014)

Генерация хемо-ЭДС в наноразмерных структурах с p–n-переходами на основе SiC
by: Стыров, В.В., et al.
Published: (2013)

Study of surface influence on the n-Ge(110) electroreflectance spectra and their polarization spectroscopy
by: Vlasenko, O.I., et al.
Published: (2009)

Первопринципное моделирование ближнего порядка в аустените Fe–N
by: Тимошевский, А.Н., et al.
Published: (2012)

Исследование физических состояний водных растворов оксиэтилированных производных ацетамида со степенью полимеризации n = 1 и n = 7 ÷ 8 методом оптической криомикроскопии
by: Животова, Е.Н., et al.
Published: (2007)

Peculiariries of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
by: P. I. Baranskii, et al.
Published: (2012)

Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity
by: Baranskii, P.I., et al.
Published: (2012)

Поняття адаптації в різних напрямках психології
by: Ніколаєнко, Св., et al.
Published: (2012)

Поняття адаптації в різних напрямках психології
by: Ніколаєнко, Св., et al.
Published: (2011)

The method of shear modulus determination for n-Ge and n-Si single crystals
by: V. I. Shvabiuk, et al.
Published: (2017)

Особливості фізичних процесів формування кремнієвих поверхнево-бар’єрних структур
by: Гайдар, Г.П., et al.
Published: (2024)

Исследование физических состояний бинарных систем вода—оксиэтилированный глицерин со степенью полимеризации n = 5 и 25 при температурах ниже 273 К методом криомикроскопии
by: Животова, Е.Н., et al.
Published: (2007)

Some peculiarities of thermopower anisotropy in undeformed and elastically deformed n – Si and n – Ge single crystals
by: G. P. Gaidar, et al.
Published: (2015)

Investigations of physical mechanisms of metal-insulator transition in highly strained n-Si and n-Ge crystals
by: Budzulyak, S.I., et al.
Published: (2003)

Взаємовідносини ЗУНР і Гетьманату Павла Скоропадського: на різновекторних напрямках
by: Пиріг, Р.
Published: (2018)

Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
by: P. I. Baranskyi, et al.
Published: (2016)

Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавiтацiйної обробки в рiдкому азотi
by: Савкiна, Р.К., et al.
Published: (2015)

Розвиток методології визначення границь кар'єрів
by: Блізнюков, В.Г., et al.
Published: (2018)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals
by: H. P. Haidar, et al.
Published: (2017)

Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
by: Afanasieva, T.V., et al.
Published: (2022)

Люмінесценція гідроксилапатиту кальцію при рентгенівському опроміненні
by: Дорошенко, І.Ю., et al.
Published: (2020)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Semenov, A. V., et al.
Published: (2012)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)

Застосування методу оберненої задачі розсіювання до рівняння Вахненка–Паркеса для опису взаємодії солітону з періодичною хвилею
by: Вахненко, В.О.
Published: (2011)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
by: G. P. Gaidar
Published: (2012)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
by: Gaidar, G.P.
Published: (2012)