Кристаллы сцинтилляторов АIIBVI и детекторы на их основе для цифровой радиографии
Вивчені сцинтиляційні характеристики кристалів з’єднань АIIBVI, легованих ізовалентним активатором, досліджена структура центров люмінісценції. Порівняльний аналіз раніше запропонованих механізмів випромінювання на ізоватентних ловушках або на центрах за участю власних точених дефектів кристалічної...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Українське матеріалознавче товариство
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/15850 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кристаллы сцинтилляторов АIIBVI и детекторы на их основе для цифровой радиографии / В.Д. Рыжиков, Б.В. Гринев, А.Д. Ополонин, Е.К. Лисецкая, С.Н. Галкин // Вісник Українського матеріалознавчого товариства. — 2008. — № 1(1). — С. 106-121. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-15850 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Рыжиков, В.Д. Гринев, Б.В. Ополонин, А.Д. Лисецкая, Е.К. Галкин, С.Н. 2011-02-01T21:43:41Z 2011-02-01T21:43:41Z 2008 Кристаллы сцинтилляторов АIIBVI и детекторы на их основе для цифровой радиографии / В.Д. Рыжиков, Б.В. Гринев, А.Д. Ополонин, Е.К. Лисецкая, С.Н. Галкин // Вісник Українського матеріалознавчого товариства. — 2008. — № 1(1). — С. 106-121. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. XXXX-0036 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/15850 661:548.55; 661.539.1.074; 661.143 Вивчені сцинтиляційні характеристики кристалів з’єднань АIIBVI, легованих ізовалентним активатором, досліджена структура центров люмінісценції. Порівняльний аналіз раніше запропонованих механізмів випромінювання на ізоватентних ловушках або на центрах за участю власних точених дефектів кристалічної решітки доводить до висновку про перевагу саме другого механізму. Була відпрацьована дослідно-промислова технологія отримання сцинтиляторів ZnSe (Te) діаметром до 40 мм та довжиною до 100 мм. Елементи з цих кристалів поставляються замовникам для використання детекторних блоках інспекційної та медичної апаратури. Перевагами цього сцинтилятору разом з високим світло виходом є низький рівень післясвечіння негігроскопічність, термо- та радіаційна стабільність. Изучены сцинтилляционные характеристики кристаллов соединений АIIBVI, легированных изовалентным активатором, исследована структура центров люминесценции. Сопоставительный анализ ранее предлагаемых механизмов излучения на изовалентных ловушках или на центрах с участием собственных точечных дефектов (СТД) кристаллической решетки приводит к выводу о предпочтительности второго механизма. Была отработана опытно-промышленная технология получения сцинтилляторов ZnSe(Te) диаметром до 40 мм и длиной до 100 мм. Проводятся поставки элементов из этих кристаллов заказчикам для использования в детекторных блоках инспекционной и медицинской аппаратуры. Преимуществами этого сцинтиллятора наряду с высоким световыходом, является низкий уровень послесвечения, негигроскопичность, термо- и радиационная стабильность. Scintillation characteristics of АIIBVI compound crystals doped by isovalent activator have been studied. Luminescence centers structure has been investigated. Comparative analysis of proposed earlier emission mechanisms by means of isovalent traps or centers of crystal lattice native point defects (NPD) allows to make a conclusion about the preference of the second mechanism. The pilot production technology of ZnSe(Te) scintillators with the diameter of 40 mm and length of 100 mm has been worked out. The elements of these crystals have been supplied to customers for their application in the detector blocks of inspection and medical apparatus. The main advantages of this scintillator are the followings: low persistence level, nonhygroscopic property, thermal and emission stability. ru Українське матеріалознавче товариство Результати впровадження наукових досліджень Кристаллы сцинтилляторов АIIBVI и детекторы на их основе для цифровой радиографии AIIBVI Scintillator Crystals and Detectors on their base for Digital Radiography Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Кристаллы сцинтилляторов АIIBVI и детекторы на их основе для цифровой радиографии |
| spellingShingle |
Кристаллы сцинтилляторов АIIBVI и детекторы на их основе для цифровой радиографии Рыжиков, В.Д. Гринев, Б.В. Ополонин, А.Д. Лисецкая, Е.К. Галкин, С.Н. Результати впровадження наукових досліджень |
| title_short |
Кристаллы сцинтилляторов АIIBVI и детекторы на их основе для цифровой радиографии |
| title_full |
Кристаллы сцинтилляторов АIIBVI и детекторы на их основе для цифровой радиографии |
| title_fullStr |
Кристаллы сцинтилляторов АIIBVI и детекторы на их основе для цифровой радиографии |
| title_full_unstemmed |
Кристаллы сцинтилляторов АIIBVI и детекторы на их основе для цифровой радиографии |
| title_sort |
кристаллы сцинтилляторов аiibvi и детекторы на их основе для цифровой радиографии |
| author |
Рыжиков, В.Д. Гринев, Б.В. Ополонин, А.Д. Лисецкая, Е.К. Галкин, С.Н. |
| author_facet |
Рыжиков, В.Д. Гринев, Б.В. Ополонин, А.Д. Лисецкая, Е.К. Галкин, С.Н. |
| topic |
Результати впровадження наукових досліджень |
| topic_facet |
Результати впровадження наукових досліджень |
| publishDate |
2008 |
| language |
Russian |
| publisher |
Українське матеріалознавче товариство |
| format |
Article |
| title_alt |
AIIBVI Scintillator Crystals and Detectors on their base for Digital Radiography |
| description |
Вивчені сцинтиляційні характеристики кристалів з’єднань АIIBVI, легованих ізовалентним активатором, досліджена структура центров люмінісценції. Порівняльний аналіз раніше запропонованих механізмів випромінювання на ізоватентних ловушках або на центрах за участю власних точених дефектів кристалічної решітки доводить до висновку про перевагу саме другого механізму. Була відпрацьована дослідно-промислова технологія отримання сцинтиляторів ZnSe (Te) діаметром до 40 мм та довжиною до 100 мм. Елементи з цих кристалів поставляються замовникам для використання детекторних блоках інспекційної та медичної апаратури. Перевагами цього сцинтилятору разом з високим світло виходом є низький рівень післясвечіння негігроскопічність, термо- та радіаційна стабільність.
Изучены сцинтилляционные характеристики кристаллов соединений АIIBVI, легированных изовалентным активатором, исследована структура центров люминесценции. Сопоставительный анализ ранее предлагаемых механизмов излучения на изовалентных ловушках или на центрах с участием собственных точечных дефектов (СТД) кристаллической решетки приводит к выводу о предпочтительности второго механизма. Была отработана опытно-промышленная технология получения сцинтилляторов ZnSe(Te) диаметром до 40 мм и длиной до 100 мм. Проводятся поставки элементов из этих кристаллов заказчикам для использования в детекторных блоках инспекционной и медицинской аппаратуры. Преимуществами этого сцинтиллятора наряду с высоким световыходом, является низкий уровень послесвечения, негигроскопичность, термо- и радиационная стабильность.
Scintillation characteristics of АIIBVI compound crystals doped by isovalent activator have been studied. Luminescence centers structure has been investigated. Comparative analysis of proposed earlier emission mechanisms by means of isovalent traps or centers of crystal lattice native point defects (NPD) allows to make a conclusion about the preference of the second mechanism. The pilot production technology of ZnSe(Te) scintillators with the diameter of 40 mm and length of 100 mm has been worked out. The elements of these crystals have been supplied to customers for their application in the detector blocks of inspection and medical apparatus. The main advantages of this scintillator are the followings: low persistence level, nonhygroscopic property, thermal and emission stability.
|
| issn |
XXXX-0036 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/15850 |
| citation_txt |
Кристаллы сцинтилляторов АIIBVI и детекторы на их основе для цифровой радиографии / В.Д. Рыжиков, Б.В. Гринев, А.Д. Ополонин, Е.К. Лисецкая, С.Н. Галкин // Вісник Українського матеріалознавчого товариства. — 2008. — № 1(1). — С. 106-121. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT ryžikovvd kristallyscintillâtorovaiibviidetektorynaihosnovedlâcifrovoiradiografii AT grinevbv kristallyscintillâtorovaiibviidetektorynaihosnovedlâcifrovoiradiografii AT opoloninad kristallyscintillâtorovaiibviidetektorynaihosnovedlâcifrovoiradiografii AT liseckaâek kristallyscintillâtorovaiibviidetektorynaihosnovedlâcifrovoiradiografii AT galkinsn kristallyscintillâtorovaiibviidetektorynaihosnovedlâcifrovoiradiografii AT ryžikovvd aiibviscintillatorcrystalsanddetectorsontheirbasefordigitalradiography AT grinevbv aiibviscintillatorcrystalsanddetectorsontheirbasefordigitalradiography AT opoloninad aiibviscintillatorcrystalsanddetectorsontheirbasefordigitalradiography AT liseckaâek aiibviscintillatorcrystalsanddetectorsontheirbasefordigitalradiography AT galkinsn aiibviscintillatorcrystalsanddetectorsontheirbasefordigitalradiography |
| first_indexed |
2025-11-26T05:12:29Z |
| last_indexed |
2025-11-26T05:12:29Z |
| _version_ |
1850612967485210624 |
| fulltext |
“Вісник” УМТ № 1 (1) 2008
106
УДК 661:548.55; 661.539.1.074; 661.143
В. Д. Рыжиков*, Б. В. Гринев,
А. Д. Ополонин, Е. К. Лисецкая, С. Н. Галкин
КРИСТАЛЛЫ СЦИНТИЛЛЯТОРОВ АIIBVI И ДЕТЕКТОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ
ДЛЯ ЦИФРОВОЙ РАДИОГРАФИИ
Вивчені сцинтиляційні характеристики кристалів з’єднань АIIBVI, легованих ізовалентним
активатором, досліджена структура центров люмінісценції. Порівняльний аналіз раніше за-
пропонованих механізмів випромінювання на ізоватентних ловушках або на центрах за участю
власних точених дефектів кристалічної решітки доводить до висновку про перевагу саме друго-
го механізму. Була відпрацьована дослідно-промислова технологія отримання сцинтиляторів
ZnSe (Te) діаметром до 40 мм та довжиною до 100 мм. Елементи з цих кристалів поставля-
ються замовникам для використання детекторних блоках інспекційної та медичної апаратури.
Перевагами цього сцинтилятору разом з високим світло виходом є низький рівень післясвечіння
негігроскопічність, термо- та радіаційна стабільність.
Ключові слова: кристали сцинтиляторів, комбіновані детектори, томографи, центри
люмінісценціїї, ізовалентні домішки.
Введение
В большинстве компьютерных томографов (КТ) применяются комбиниро-
ванные детекторы “сцинтиллятор-фотодиод” (СЦ-ФД). Широкий динамический
диапазон чувствительности (103–104) и малая апертура детекторов обеспечивают
высокое пространственное разрешение много элементных детекторов. Необхо-
димым условием для быстрого опроса большого числа каналов детекторов (1000
каналов и более) являются короткое время высвечивания и низкий уровень по-
слесвечения сцинтилляторов. Послесвечение, допустимое для сцинтилляторов
третьего поколения томографов, разработанных в девяностых годах, составляло
0,1% через 10 мс. В настоящее время его значение должно быть в пределах
(0,01–0,001)% через 10 мс.
Послесвечение широко используемых щелочно-галоидных кристаллов
CsI(Tl) — около 1% через 10 мс. Характеристики монокристаллов сложных
оксидов CdWO4 соответствуют вышеназванным требованиям. Однако, при
работе в паре с кремниевым ФД световыход CdWO4 не превышает 25–30%
относительно CsI(Tl). Таким образом, остается актуальной проблема разработ-
ки сцинтилляторов, превосходящих по световыходу, кинетике люминесценции
и спектральному согласованию с ФД CsI(Tl).
D.C.Thomas, Madden, Merz и др. в работах [1, 2] представили методику
получения сцинтилляторов на основе кристаллов АIIBVI, легированных изова-
лентными примесями (ИВП) и содержащих изоэлектронные ловушки. Сцин-
тиллятор CdS(Te) был исследован более детально, чем другие. Данный сцин-
тиллятор рекомендовался главным образом к применению в области
спектрометрии. Томография в то время еще не получила широкого развития.
Наши ранние работы [3, 4] заполнили этот пробел. Усовершенствование
технологии изготовления CdS(Te) обеспечило получение таких кристаллов,
*©Гриньов Борис Вікторович, директор Інституту сцинтиляційних матеріалів НАН
України, академік НАН України, видатний вчений в галузі матеріалознавства,
спеціалізується в дослідженнях та розробці сцинтиляційних матеріалів, В. Д. Рижиков,
А. Д. Ополонін, Є. К. Лисецька, С. Н. Галкін — співробітники цього ж Інституту.
IV. Результати впровадження наукових досліджень
107
послесвечение которых в 2–3 раза ниже по сравнению с CsI(Tl). Однако, све-
товыход CdS(Te) оставался низким даже в условиях хорошего спектрального
согласования с кремниевым ФД. Более углубленные исследования механизма
излучательной рекомбинации показали, что природа полос люминесценции на
длинах волн λмакс = 600 нм и λмакс = 730 нм, раньше приписывалась изолиро-
ванным и спаренным изоэлектронным ловушкам, принципиально различаю-
щимся по механизмам передачи энергии возбуждения.
Сравнение результатов, полученных при исследовании нелегированного кри-
сталла CdS, подверженного бомбардировке электронами [5, 6], отжигу в парах
собственных компонентов [7], а также изовалентному легированию [8] указывают
на то, что междоузельный кадмий Cdi (Л-600 нм) и вакансия серы VS (Л-730 нм)
участвуют в образовании излучательных центров рекомбинации (рис. 1).
а б в
Рис. 1. Спектры люминесценции кристаллов сульфида кадмия:
а — облученных быстрыми электронами с энергией более 115 кэВ (1,2) и более 280 кэВ (3);
б — после выращивания (1), отожженных в парах серы (2), вакууме (3); в — легированного
теллуром после выращивания (1), после отжига в парах кадмия (2), среде стехиометричес-
кого состава 900оС (3) и 600оС (4)
В то же время невысокое значение световыхода CdS(Te) (около 60% отно-
сительно CsI(Tl)), и наличие медленной компоненты люминесценции ограни-
чили применение CdS(Te) в детекторах типа СЦ-ФД. Проблема разработки
альтернативного сцинтиллятора хорошо согласованного с ФД, на наш взгляд,
могла быть решена путем углубленных исследований природы центров люми-
несценции и методик получения кристаллов ZnSe с изовалентными примеся-
ми, например, ZnSe (Te) и ZnSe (Te, O).
Цель данной работы заключалась в выяснении природы центров люминес-
ценции и механизмов излучения соединений AIIBVI, легированных ИВП, на осно-
ве оптических, спектроскопических и кинетических характеристик кристаллов.
Базируясь на понимании структуры центров люминесценции, стало воз-
можным создать воспроизводимую технологию получения сцинтилляторов
для применения в инспекционной и медицинской аппаратуре и организовать
их опытно-промышленное производство.
Технология выращивания кристаллов
Кристаллы AIIBVI выращивали методом Бриджмена из расплава под давлением
инертного газа (1–5) · 105 Па. В кристаллах CdS(Te) вследствие термического раз-
ложения, а также взаимодействия серы с углеродом возникает недостаток серы. Со-
ответственно, непосредственно после выращивания кристаллов можно обнаружить
полосы люминесценции Л-600нм (Cdi) и Л-730нм (Vs). Прокаливание в парах Cd
110
I ,
о
тн
. е
д.
I
от
н.
е
д.
1
2
3
λ, нм
500 700 900
1
2
3
λ, нм
500 700 900 1100
1
2
3
4
λ, нм
500 700 900 1100
“Вісник” УМТ № 1 (1) 2008
108
увеличивает интенсивность полосы 600 нм, в то время как полоса Л-730 нм остается
преобладающей вплоть до 300 K из-за менее интенсивного термогашения.
В случае кристаллов ZnSe в процессе выращивания термическое разложе-
ние можно представить следующей реакцией: ZnSe = Zn + 1/2Se2
Естественно предположить, что атомарный цинк должен обладать более
высокой диффузионной способностью относительно двухатомных молекул
селена. Поэтому в кристаллах ZnSe, выращенных из расплава, естественно
ожидать избыточное содержание селена.
Как показано Кулаковым [9] кристаллы ZnSe, выращенные методом
Бриджмена, имеют избыток селена, достигающий в некоторых случаях
0,18 % ат. В противоположность CdS, эти кристаллы имеют высокое удельное
сопротивление (108–1010 Ω⋅см), и при 300 K сцинтилляционные свойства прак-
тически не проявляются. Согласно ранним работам J.Watkines [10], введение
Te способствует образованию вакансий цинка (VZn) и формированию комплек-
са (VZn, Zni, TeSе). Дальнейший отжиг в парах Zn повышает концентрацию де-
фектов этого типа и стимулирует сцинтилляционные свойства кристалла.
Подтверждением участия вакансии цинка VZn в формировании тройного
сцинтилляционного комплекса является то, что введение Zn в избыточных ко-
личествах в шихту непосредственно перед выращиванием кристалла приводит
к полному отсутствию люминесценции в ZnSe(Te). Сцинтиллятор ZnSe(Te),
получаемый по разработанной нами многоступенчатой методике, содержит
серию ноу-хау, и до настоящего времени авторы являют эксклюзивными про-
изводителями данного материала.
Центры излучения в кристаллах АIIBVI с изовалентной примесью
Известно, что сцинтилляционные параметры кристаллов АIIBVI определя-
ются ансамблем собственных точечных дефектов (СТД) кристаллической ре-
шетки [1–11]. Авторы указанных работ внесли существенный вклад в понима-
ние влияния СТД на основные характеристики бинарных полупроводниковых
соединений и показали, что наряду с традиционными методами введения СТД
путем целенаправленного отклонения от стехиометрии и радиационного повре-
ждения, мощным средством формирования СТД является легирование изова-
лентной примесью (ИВП).
ИВП, совпадающая по формальной валентности с замещаемым атомом ре-
шетки, отличается от него энергией ионизации, электроотрицательностью, степе-
нью ионности связи с атомами соседней подрешетки, ионным радиусом [12]. Ма-
териалы с изоэлектронными ловушками (ИЭЛ) могут выступать в качестве как
сцинтилляторы.
Атом примеси изоэлектронно замещает атом соответствующего элемента,
формируя ИЭЛ. Эти ловушки захватывают носитель противоположного знака
(дырку или электрон), которые, в свою очередь, привлекают заряд противопо-
ложной полярности, формируя экситон. Излучение света может происходить в
результате рекомбинации этих зарядов под действием проникающей радиации.
Известно, что электроотрицательность (по Малликену) — это полусумма
энергии ионизации I и сродства атома к электрону А, то есть ∆ε ∼ (I+A)/2. Чем
больше разность электроотрицательностей атомов, образующих связь, тем
сильнее смещается валентная электронная пара к более электроотрицательно-
му атому и тем более полярна связь, а, следовательно, больше эффективный
заряд, находящийся на соседних атомах.
IV. Результати впровадження наукових досліджень
109
По характеру взаимодействия ИВП разделяют на примеси 1-го и 2-го ро-
да. ИВП 1-го рода формируют в зоне локальные одиночные состояния. ИВП 2-
го рода участвует в формировании разрешенных зон, т.е. формируется непре-
рывный ряд твердых растворов (ТР).
Одновременно с формированием зонной структуры ввиду различия атом-
ных, ионных радиусов создаются локальные искажения решетки, приводящие
к генерации СТД.
Величина локализованной энергии, возникающей в кристалле в результате
введения ИВП, зависит главным образом от: разности электроотрицательно-
стей ИВП и замещаемого атома, величины локальных искажений решетки
вследствие внедрения ИВП и величины спин-орбитального взаимодействия
ИВП и окружающих атомов.
Таким образом, легирование ИВП – один из наиболее эффективных спо-
собов введения СТД в кристаллическую решетку.
Структура центров излучения в кристаллах ZnSe(Te) и его механизм.
В кристаллах ZnSe(Te) непосредственно после выращивания (из сырья
стехиометрического состава) наблюдается люминесценция в ИК области, а
после отжига образцов в цинке – излучение с максимумом на длине волны
640 нм (Л-640), или в еще более коротковолновой области в зависимости от
условий термообработки (рис. 2) [13]. Подобная эволюция имеет место в ра-
диационно-поврежденных или нестехиометрических кристаллах [10, 11].
Рис. 2. Спектры люминесценции кристаллов селенида цинка:
1 — ZnSe:Zn (отжиг в Zn), 80 K; 2 — ZnSe:Zn, 300 K; 3 — ZnSe(Te) — легирование Те, 300
К; 4 — ZnSe(Te):Zn, 300 K; 5 — после облучения быстрыми электронами, 80 К
Введение в селенид цинка примеси теллура, из-за заметных различий в атом-
ных и ионных радиусах Se и Te, сопровождается локальной деформацией решетки
λ, нм
1
2
3
45
1
3
5
1
0,2
0,6
500 600 700 800
I,
от
н.
е
д.
:10
“Вісник” УМТ № 1 (1) 2008
110
и локализацией дырки в окрестности вакансии металлоида, что стимулирует обра-
зование стабильного комплекса Френкеля VZn + Zni (рис. 3) [10].
SeSeSee
SeSeSee[ ]
а б
Se Se Se Te Zn
SeSeSee [ ]
в г
Рис. 3. Структура вакансии металла (a); возможности движения междуузельного Zn (в–г)
в течение термальной конверсии в кристалле ZnSe (Te)
Исследования ЭПР [10] показали, что VZn — неустойчивый и самоотжи-
гающийся дефект, то есть он может исчезать благодаря Zni уже при T = 150–
400 K, тогда как комплекс [V-
Zn Te0] продолжает быть стабильным вплоть до
500 K (рис. 4).
Рис. 4. Стадии при прокаливании состояния вакансии Zn и комплексов дефектов
в кристалле ZnSe
0 200 400 600
VI
VII
VIII
VIV
Температура отжига, К
V
Zn
(VZn+Te0)
(VZn + ?) (VZn+Cl+)
(VZn+S0)
(VZn+Znj
++)
IV. Результати впровадження наукових досліджень
111
Эти результаты подтверждены нашими опытами прокаливания ZnSe(Te) в
парáх Zn. Интенсивность полосы Л-640, стимулированной СТД решетки, уменьша-
ется, если давление пара Zn превышает 10–5 Pa. Тем не менее, гашение полосы Л-
640 наблюдается только после прокаливания при p > 5 · 10–4 Pa и T = 1300 °C.
Наши исследования легирования ZnSe различными ИВП показали, что
положение максимума спектра излучения и его интенсивность могут изме-
няться в широких пределах (рис. 5) [11]. По оптимальному сочетанию сцин-
тилляционных свойств кристаллов предпочтение при последующих исследо-
ваниях было отдано ZnSe(Te) и ZnSe (Te, O), различающихся по спектрам
излучения и кинетическим параметрам свечения.
Рис. 5. Спектры излучения сцинтилляторов A2B6
Экспериментальные исследования центров люминесценции ZnSe(Te)
Люминесцентные характеристики сцинтилляторов существенно зависят
от плотности накачки, типа возбуждения и трансформации во времени.
При возбуждении кристаллов, отожженных в парах цинка — ZnSe(Te): Zn
быстрыми электронами с энергией 150 кэВ (ток в импульсе около 1 A/cm2 , τ =
15 нс) в первые 20–30 нс наблюдается интенсивный пик катодолюминесценции
(КЛ) с высвечиванием в “голубой” (максимум 460–490 нм) области и в “крас-
ной” области 600–640 нм, максимум которой “разгорается” через 0,5–1 мкс, а
через 10 мкс происходит “перекачка” энергии излучения в длинноволновую
(750–830 нм) полосу (рис. 6). Подобная картина изменения спектра фотолюми-
несценции наблюдается при возбуждении ZnSe(Te):Zn лазером (3,49 эВ).
λ, nm
400 450 500 550 600 650 700 750
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I,
ar
b.
u
ni
ts
ZnSe(Te)
ZnSe(Te)
ZnSe(MeIII,O)
ZnCdS(Te)
ZnSe(Cd)
CsI(Tl)
Si-PhD
CdWO4
“Вісник” УМТ № 1 (1) 2008
112
Рис. 6. Трансформация во времени спектра КЛ (энергия электродов 150 кэВ) кристаллов
ZnSe(Te): Zn : 1 — спектр в момент возбуждения; 2–7— с задержкой 10 нс, 300 нс, 1 мкс,
10 мкс, 100 мкс, 1мс
Характерным является значительное различие времени высвечивания и
интенсивности люминесценции в разных частях спектра эмиссии. “Голубая”
люминесценция имеет время высвечивания 1 нс и интенсивность на 3 порядка
выше обычной “красной” эмиссии. Но при комнатной температуре, “голубая”
люминесценция существует только благодаря очень высокой интенсивности
возбуждения.
Мы также наблюдали термическое гашение люминесценции (ТГЛ) для
кристаллов ZnSe и ZnSe(Te) (рис. 7).
Интенсивность и температурное положение локальных максимумов на кри-
вых ТГЛ зависят от наличия в кристалле ИВП, режима послеростовой обработ-
ки и уровня возбуждения [11]. Кривые (1, 3, 5) полосы Л-630 в области перегиба
имеют локальные максимумы, причем в случае ZnSe(Te):Zn как температурное
положение подъема на кривой ТГЛ, так и характер окончательного ее затухания
в высокотемпературной (Т>350К) области свидетельствуют о повышенной тер-
мостабильности центров излучательной рекомбинации в данном материале по
сравнению с другими разновидностями исследованных кристаллов.
Такие люминесцентные свойства кристаллов ZnSe(Te):Zn соответствуют
данным о высокой термостабильности центров (VZn, Zni, TeS). Кроме резуль-
татов, по наклону кривых ТГЛ в высокотемпературных участках рассчитаны
энергии активации ЕТ соответствующих уровней промежуточного захвата: для
полос Л — 560–0,24 эВ; Л-630 (Л-640) — 0,62–0,65эВ для кристаллов ZnSe и
0,65–0,70 эВ для ZnSe(Te):Zn; оценочное значение ЕТ для Л-730–0,8–1 эВ.
Данные об энергиях активации Еа ловушек и соотношение интенсивнос-
тей пиков термолюминесценции различных кристаллов на основе ZnSe пред-
ставлены в таблице 1 и на рис.8.
0
0,5
0,5
0,5
0,5
0,5
1,0
0,5
0,5
1,0
2,0
0
0
0
0
0
0
400 600 800 1000
400 600 800 1000
400 600 800 1000
400 600 800 1000
400 600 800 1000
400 600 800 1000
400 600 800 1000
Длина волны, нм
И
нт
ен
си
вн
ос
ть
,
X 10
X 102
X 102
X 103
IV. Результати впровадження наукових досліджень
113
Рис. 7. Кривые ТГЛ РЛ кристаллов ZnSe (1,2), ZnSe:Zn (2’), ZnSe(Te) (3,4), ZnSe(Te):Zn (5).
Кривые 1,3,5 соответствуют Л-630, 2, 2’ — Л-560, 4 — L-730
Рис. 8. Кривые ТЛ кристаллов ZnSe(Te) (1); ZnSe(Te) после отжига в вакууме (2), в парах
Se (3) и Te (4). Сплошные линии — Л-630, штриховые — Л-730
1
1
2
2
3
0
0 2 4 6 8 10 12
Ig
(и
нт
ен
си
вн
ос
ть
),
от
н.
е
д.
Ig (интенсивность), отн. ед.
103/Температура, K1
1
2 2`
3
4
5
100 150 200 250
60
40
20
0
6
4
2
0
И
нт
ен
си
вн
ос
ть
,
от
н.
. е
д.
И
нтенсивность,
отн.. е д.
Температура, K
“Вісник” УМТ № 1 (1) 2008
114
Таблица 1
Соотношение интенсивностей люминесценции в пиках термолюминесценции кри-
сталлов на основе ZnSe
Энергия активации (эВ) для пика ТЛ
0,13 0,29 0,41 ≥ 0,6 Материал
Интенсивность люминесценции, отн.ед*
ZnSe 0,1 0,55 0,2 —
ZnSe:Zn 1 — 5 ~ 1
ZnSe:Se 0,1 0,3 — 0,1*
ZnSe(Te):Zn — — — —
ZnSe(Te):Se 3,5 2 2* 1,5*
ZnSe(Te):Te 7 2,5 0,5* —
ZnSe(Te) 40 5 30* 3*
*Пики термолюминесценции, отмеченные* высвечивают в полосе Л-730; осталь-
ные — в Л-640.
Для кристаллов ZnSe(Te), неотожженных в цинке, выявлены пики термо-
люминесценции с двумя основными каналами излучательной рекомбинации:
при Еа < 0,3 эВ. В спектрах термолюминесценции, как правило, доминирует
полоса Л-640, при Еа > 0,4–0,5 эВ — Л-730. Для кристаллов ZnSe(Te), ото-
жженных в цинке, при экспозиционных дозах рентгеновского излучения до 8 ·
10–2 А/кг (Uа ≤ 40 кВ) пики ТЛ образцов не наблюдались и с учетом макси-
мальной для данного типа кристаллов интенсивности основной полосы Л-640
и низким уровнем послесвечения 0,05% через 1–5 мс) можно сделать вывод о
доминировании центра излучательной рекомбинации [VZn Te Zni] и сущест-
венной деградации прочих центров промежуточного захвата в этом сцинтил-
ляторе. У кристаллов ZnSe(Te) непосредственно после выращивания преобла-
дают компоненты с временами высвечивания 0,3–0,5 и 8–10 мкс, причем
можно разделить кристаллы на две группы с преобладанием той или иной
компоненты (рис. 9, кривые 1, 2) [11].
После термообработки в парах Zn преобладает длинновременная компо-
нента (τ = 50–70 мкс). Кривые затухания, построенные в логарифмических ко-
ординатах, свидетельствуют о том, что они содержат набор от трех до пяти
экспоненциальных компонент (для разных групп кристаллов). Характерные
времена затухания каждой компоненты τe можно определить из выражения:
)/ln( 21
12
II
tt
e
−
τ =
На прямолинейных участках (рис. 10) выраженных в логарифмических
координатах времена затухания составляют 0,8; 4; 8–10; 30–50 мкс и I1 и I2 со-
ответствуют интенсивности свечения на границах прямолинейных участков; t2
и t1 — время высвечивания в этих точках. Так как спектр люминесценции кри-
сталлов ZnSe(Te) носит сложный характер и содержит полосы Л-560–580, Л-
600, Л-730, можно предположить, что разные времена высвечивания соответ-
ствуют различным спектральным составляющим.
IV. Результати впровадження наукових досліджень
115
Рис. 9. Зависимость от
времени интенсивности
высвечивания кристал-
лов ZnSe(Te) после вы-
ращивания (1, 2) и после
термообработки в па-
рах цинка (3)
Рис. 10. Характеристи-
ческие времена высве-
чивания кристаллов
ZnSe(Te): t1 = 1 мкс, t2 =
3 мкс, t3 = 8-10 мкс
В соответствии с требованием к устройствам КT более важным парамет-
ром, чем время высвечивания является уровень послесвечения через заданное
время после воздействия возбуждающего импульса. Типичные значения уров-
ня послесвечения для ZnSe(Te) приведены в таблице 2.
1
2
3
0 5 10 15 20
20 40 60 80
0,5
1,0
0,0
Время, мкс
Время, мкс
t1=1.1 ms
t2=3.3 ms
t3=10 ms
0 5 10 15 20
5
4
3
2
1
И
нт
ен
си
вн
ос
ть
, о
тн
. е
д.
Время, мкс
“Вісник” УМТ № 1 (1) 2008
116
Таблица 2
Типичные значения уровня послесвечения для ZnSe(Te)
Время после воздействия импульса
рентгеновского излучения, мкс Уровень послесвечения, %
0,5 0,9
1 0,25
2 0,04
3 < 0,01
Термодинамический анализ процессов образования дефектов в ZnSe(Te)
указывает на то, что, если концентрация ИВП небольшая, то концентрация до-
полнительных вакансий цинка пропорциональная им — [VZn] ~ [TeSe], и энергия
миграции атомов цинка Zni (и их испарение) уменьшается. Введение Te сопро-
вождается увеличением интенсивности люминесценции ZnSe. Следовательно,
совместно с дефектами VZn, теллур формирует ассоциативные центры излуча-
тельной рекомбинации типа (Te 0
SeV Zn). Для кристаллов ZnSe (Te,O) (принци-
пиально рабочая полоса L-605 нм) возможно образование ассоциаций типа
(O0
SeTe0
SeVZn), (O0
SeV Zn) или (OSeVZnMeIII
ZnZni). Поперечное сечение захвата
возбужденных носителей заряда даже больше, чем у центров (Te 0SeV Zn).
В схеме излучательных переходов [11] (рис. 11) приняты во внимание ука-
занные выше возможности формирования и поведения оптически активных
центров в ZnSe(Te). Если в кристаллах ZnSe(Te) существуют центры люми-
несценции двух типов (один характеризуется более высокой энергией активи-
зации, а другой — большим сечением захвата), то спектр излучения, испус-
каемого ZnSe(Te), должен изменяться при изменениях температуры. Этот
феномен наблюдался в экспериментах по термическому гашению рентгенов-
ской люминесценции таких кристаллов. Излучательные переходы в ZnSe
с ИВП, где участвуют центры (VZn, TeS, OSe и др), происходят согласно анало-
гичным схемам. Соответственно конфигурационной модели [11], излучатель-
ная рекомбинация осуществляется путем захвата центром [VZnTeSeZni] нерав-
новесных электронов. Для всех разновидностей кристаллов ZnSe(Te) кинетика
и спектральный состав полосы Л-640 не элементарны. Только для кристаллов
ZnSe(Te):Zn можно наблюдать высокую стабильность данных параметров,
указывающую на доминирование приведенного на модели канала излучатель-
ной рекомбинации (рис. 12). Сопоставимые параметры сцинтилляторов приве-
дены в таблице 3.
Таблица 3
Сопоставимые параметры сцинтилляторов
Тип кри-
сталла Световыход Время высвечи-
вания, мкс
Уровень послес-
вечения через 10
мс, %
Максимум
спектра из-
лучения, нм
CsI(Tl) 100 <1 >1 540
CdS(Te) 30-40 <0,3 0,5 730
ZnSe(Te),s 120-140 40-50 <0,01 640
ZnSe(Te) f 70-80 3-5 <0,01 605
IV. Результати впровадження наукових досліджень
117
Рис. 11. Схема излучательных и неизлучательных переходов в ZnSe (ИВП)
Рис. 12. Диаграмма конфигурационных кривых для излучательных переходов в ZnSe(Te)
Преимущества и недостатки сцинтилляторов ZnSe(Te)
Наряду с очевидными преимуществами (высокий световыход, малая
инерционность, радиационная и климатическая стойкость), ZnSe(Te) имеет
существенные недостатки — относительно высокий коэффициент оптического
поглощения (0,2см–1) собственного излучения и низкий эффективный атомный
номер (Zэфф = 33). Эти параметры ограничивают оптическую и радиационную
длину сцинтилляционных элементов.
Ситуация значительно изменилась в процессе развития цифровой радио-
графии. В медицинских компьютерных томографах КТ и инспекционных ска-
нерах нового поколения основой разработки чувствительного элемента стано-
C
A
E,
e
V
1
ECA=2.59
0.02
3
2
0 0.02 0.04
q , A
dFC=0.66 ET=0.6
Eg
1. 7
ET=0 ECA=1.05
V
e- e- e-
e+ e+ e+
e+
TeSe
VZn
L-635
L-605
ZnI
MIIIOSeVZn
Conduction band
Ex
ci
ta
tio
n
Valence band
“Вісник” УМТ № 1 (1) 2008
118
вится двухэнергетическая система обнаружения, что вызвало интерес к ZnSe.
В этой системе использовались два типа детекторов — для регистрации низ-
ких энергий (НД) и высоких энергий (ВД). Требования к выбору таких детек-
торов противоречивы. НД (30–40 keV) должен быть не чувствительным в об-
ласти высокой энергии (140–160 keV) и наоборот. В классическом обзоре
Harrison's [14], описан двухэнергетический детектор, состоящий из двух сцин-
тилляторов оксисульфида иттрия и оксисульфида гадолиния соответственно.
Клинические результаты продемонстрировали возможность наблюдения мяг-
ких тканей тела на фоне кости, и наоборот.
Недостаток этих детекторов — относительно большое время высвечивания и
высокий уровень послесвечения. Детектор для низкой области энергии должен
обладать высокой чувствительностью, хорошим согласование спектра эмиссии с
областью чувствительности кремниевого ФД, низким послесвечением и средним
уровнем эффективного атомного номера Zэфф. Оптимальное сочетание этих пара-
метров имеет селенид цинка. В этом случае указанные недостатки ZnSe(Te) прак-
тически незаметны на фоне преимуществ перед другими сцинтилляторами по
световыходу, спектру люминесценции и кинетике. Таким образом,
мультиэнергетические рентгеновские интроскопы и компьютерные томографы —
наиболее перспективная область применения ZnSe(Te).
Идентификация предметов в инспектируемых объектах методом
двухэнергетической цифровой радиографии
Преобразование рентгеновского излучения детектирующей системой типа
сцинтиллятор-фотодиод (С-ФД) в виде линейки с последующим усилением и
оцифровкой сигнала широко используется в устройствах неразрушающего
контроля [14—18].
Нами теоретически показано и экспериментально подтверждено, что ме-
тодом двухэнергетической цифровой радиографии можно увеличить точность
идентификации веществ в инспектируемом объекте по атомному номеру. Эф-
фективный атомный номер неизвестного материала восстанавливается из об-
щего сигнала теневого рентгеновского изображения путем математической
обработки [15, 16].
Это позволяет с более высокой вероятностью (до 80—90%) выявлять ор-
ганику на фоне неорганики, как и органику (взрывчатые вещества) на фоне
органики. Этот метод находит применение в инспекционных приборах (при
таможенном досмотре), медицинской и технической диагностике.
Эксклюзивный сцинтиллятор ZnSe(Te) заполнил пустующую нишу в ряду
детекторов СЦ-ФД для современных многоканальных низкоэнергетических
радиационных средств визуализации теневого рентгеновского излучения.
В двухэнергетической радиографии детектирующая система состоит из
двух линеек типа С-ФД, расположенных одна за другой. Ближняя к источнику
рентгеновского излучения система оптимизирована для регистрации низко-
энергетического (30-50кэВ) излучения (НД), а расположенная за ней — для
детектирования высокоэнергетического (80–120 кэВ) излучения (ВД). В каче-
стве сцинтилляторов используются в первом случае ZnSe(Te) толщиной
0,5 мм, в другом — CsI(Tl) толщиной 4 мм, соответственно.
В работах [17–19] авторы показали, что, используя упрощенную модель
двухэнергетической линейки детекторов и спектр рентгеновской трубки с
вольфрамовым анодом, можно оценить отношения сигналов ВД и НД при на-
личии объекта контроля (различной толщины и химического состава). Для оп-
IV. Результати впровадження наукових досліджень
119
ределения эффективного атомного номера вещества возможно использование
в качестве признака вещества отношения сигналов ВД/НД с учетом суммарно-
го сигнала (ВД + НД). На примере выявления веществ, незначительно
различающихся по атомному номеру, показана оценка идентификации
веществ в реальной цифровой радиографической системе [20–24].
Переход к томографическому методу увеличивает время, необходимое для
сканирования, в то время как устройства, предназначенные для практического
использования, должны функционировать в реальном масштабе времени. Воз-
можный путь решения был продемонстрирован фирмой Smith-Heimann (Гер-
мания) в их последней модели сканера Hi-Scan 10080 EDtS (Рис. 13) при ис-
пользовании “псевдо-томографии” и низкоэнергетического детектора нашей
разработки. Эта фирма первая широко использовала кристалл в детектирую-
щем тракте последнего поколения интроскопа, который в автоматическом ре-
жиме выявляет взрывчатку благодаря уникальным параметрам ZnSe(Te). По-
средством двухэнергетической радиографии компания получила изображения
тест-объектов с использованием сцинтилляторов ZnSe(Te) в одном случае и
CsI(Tl) в другом случае — в качестве низкоэнергетического детекторов, а ок-
сисульфида гадолиния — в качесте высокоэнергетического детектора.
Рис. 13. Фотография скане-
ра Hi-Scan EDtS 10080
Из полученных данных следует, что применение сцинтиллятора ZnSe(Te)
гарантирует более точную идентификацию предметов в багаже (рис. 14). Ана-
логичные образы, полученные с помощью CsI(Tl) характеризуются некоррект-
ным окрашиванием предметов в инспектируемом объекте (рис. 15). Так, на-
пример, оранжевый цвет металлических частей (вместо голубого), является
следствием длительного послесвечения CsI(Tl).
Рис. 14. Рентгеновское
изображение предметов в
инспектируемом чемода-
не, полученное при исполь-
зовании сцинтиллятора
ZnSe(Te) в качестве низко-
энергетического детек-
тора
“Вісник” УМТ № 1 (1) 2008
120
Рис. 15. Рентгеновское
изображение предметов в
инспектируемом чемодане,
полученное при использова-
нии сцинтиллятора CsI(Tl)
в качестве низкоэнергети-
ческого детектора
Кристалл ZnSe(Te) также применяли в медицинском компьютерном томо-
графе (Санкт-Петербург, НИИЭФА) при онкологических исследованиях (рис.
16). Выражаем благодарность д-ру Владиславу Шишову за представленное
изображение.
Рис. 16. Изображение,
полученное при томо-
графии человека
Таким образом, теория и эксперимент показывают, что эксклюзивный
сцинтиллятор ZnSe(Te) является лучшим из известных в мире кристалличе-
ских материалов для низкоэнергетической линейки детекторов и находит ши-
рокое применение в цифровой радиографии.
Работа выполнена при поддержке программы INTAS (Project Nr.05-104-7519).
Изучены сцинтилляционные характеристики кристаллов соединений АIIBVI, легированных изо-
валентным активатором, исследована структура центров люминесценции. Сопоставительный
анализ ранее предлагаемых механизмов излучения на изовалентных ловушках или на центрах с уча-
стием собственных точечных дефектов (СТД) кристаллической решетки приводит к выводу о
предпочтительности второго механизма. Была отработана опытно-промышленная технология
получения сцинтилляторов ZnSe(Te) диаметром до 40 мм и длиной до 100 мм. Проводятся поставки
элементов из этих кристаллов заказчикам для использования в детекторных блоках инспекционной и
медицинской аппаратуры. Преимуществами этого сцинтиллятора наряду с высоким световыходом,
является низкий уровень послесвечения, негигроскопичность, термо- и радиационная стабильность.
Ключевые слова: кристаллы сцинтилляторов, комбинированные детекторы, томо-
графы, центры люминесценции, изовалентные примеси.
Scintillation characteristics of АIIBVI compound crystals doped by isovalent activator have been
studied. Luminescence centers structure has been investigated. Comparative analysis of proposed ear-
lier emission mechanisms by means of isovalent traps or centers of crystal lattice native point defects
(NPD) allows to make a conclusion about the preference of the second mechanism. The pilot production
technology of ZnSe(Te) scintillators with the diameter of 40 mm and length of 100 mm has been worked
out. The elements of these crystals have been supplied to customers for their application in the detector
blocks of inspection and medical apparatus. The main advantages of this scintillator are the followings:
low persistence level, nonhygroscopic property, thermal and emission stability.
Keywords: scintilators crystals, combined detectors, tomografs, centers of luminiscentions,
isovalent additions.
IV. Результати впровадження наукових досліджень
121
1. Cuthbert D. G., Thomas D. G. Optical properties of tellurium as an isoelectronic traps in
sulphide cadmium. – J, Appl.Phys. – 1968, 39, No. 3, P. 1573–1580.
2. Madden T., Miller J., Merz J. – The use of semiconductors, doped with isoelectronic
traps in scintillation counting. – IEEE Trans. Nucl. Sci. – 1968 8–15, №1, P. 47–51.
3. Ryzhikov V., Shapiro O., Ignatov S., Silin V. – Afterglow scintillation materials used by
X-ray CT. – Pribory i tehnica experiment. (rus.) – 1986, No. 4, P. 155–157.
4. Verbitskiy O., Gulaev F., Ryzhikov V., Silin V. Combine detector for X-ray CT (rus.). –
Rus. Patent No. 1639272 from 28.03.1993 priority 14.06.1989.
5. Kulp B. A., Kelley R. H. – Displacement of the sulphide atom in CdS by electron
bombardment. – Phys. Rev. – 1960, 31, No. 6, P. 1057–1061.
6. Kulp B. A. – Displacement cadmium atom in single crystals CdS by electron
bombardment. – Phys. Rev. – 1962, 125, No. 4, P. 1865–1869.
7. Susa N., Watanabe H., Wada M. – Effect annealing in Cd or S vapour on photoelectronic
properties of CdS single. – Jap. J. Appl. Phys. – 1976, 15, No. 12, P. 2365–2370.
8. Ryzhikov V., Chaikovskiy E. – Creation new scintillation materials based on compounds
A2B6 by isovalent doped. – Izvestiya Academii Nauk SSSR (rus.), ser. Phys. – 1979, 43
No. 6, P. 1150–1154.
9. Kulakov M., Fadeev A. – About stoichmetry crystals ZnSe growing from melt. – Izvestiya
Academii Nauk SSSR (rus.), sec. inorg. Mater. – 1981, 17, No. 9, P. 1566–1570.
10. Watkins G. – Defects of lattice in compounds A2B6. in Book Point Defects of Lattice. –
(rus.), Moscow, Mir. – 1979, P. 221–242.
11. Ryzhikov V., Starzhinskiy N. – Properties and peculiar of application of
isoelectronically doped A2B6 compound-based scintillators. – J. Korea Asso. Radiat.
Prot. – 2005, 30, No. 2, P. 77–84.
12. Cuthbert J., Thomas D., Brown W. et al. – Патент США № 627883. – 1967; №
3586856, 1971.
13. Вакуленко О. В., Лысый В. С., Рыжиков В. Д. и др. – Влияние термообработки и
легирования теллуром на интенсивность примесной люминесценции монокри-
сталлов селенида цинка. – ЖПС. – 1990. – 53, № 4. – С. 673–675
14. Harrison R. M. Digital radiography − a review of detector design. – Nucl. Instr. and
Meth.– 1991, A310, 24–34 ().
15. Ryzhikov V., Naydenov S., Kozin D. et al. – Multi-energy radiography on the basis of
Scintillator-photodiode detectors. – Nucl. Instr. and Meth.– 2003, A505, 549–551.
16. Naydenov S. V., Ryzhikov V. D., Smith C. F. – Direct reconstruction of the effective
atomic number of materials by the method of multi-energy radiography – Nucl. Instrum.
Meth.– 2004, B215, 552–560.
17. Ryzhikov V., Naydenov S., Opolonin A. et al. – Multi-energy radiography for non-
destructive testing on the base of scintillation crystal detectors. – 16th World Conference
on Non-Destructive Testing, Monreal, Canada, August 30 – September 3, 2004.
18. Ryzhikov V. D., Starzhinskiy N. G., Gal'chinetskii L. P. et al. – Scintillator-photodiode
detecting systems for two-level X-ray inspection systems. – 15th World Conference on
Non-Destructive Testing, Rome (Italy), 15-21 October, 2000, Abstracts Book, 466 p.
19. Grynyov B., Ryzhikov V., Kyung Kim Jong, Moosung Jae. – Scintillator crystals,
radiation detectors and instruments on their base. – National Academy of Sciences of
Ukraine, Scientific and Technological Corporation “Institute for Single Crystals”
Ukraine-Kharkiv-2004, 374 p.
20. Ryzhikov V. D., Naydenov S. Opolonin A. et al. – Looking for New Possibilities to
Improve Properties of Two-energy detectors of Scintillator-Photodiod” Type for
Inspection System of International Security. – 14th International Workshop on Room-
Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors, IEEE conference, 2004,
Rome, Italia, 239 p.
21. Naydenov S. V., Ryzhikov V. D. – Determining Chemical Compositions by Method of
Multi-Energy Radiography. – Technical Physics Letters. – 2002, 28, No. 5, P. 357–360.
22. Naydenov S., Ryzhikov V., Smith C. F. – Multi-energy approach in radiography and
introscopy. – NIM. – 2005, A 537, P. 462–466.
23. Рыжиков В. Д., Лисецкая Е. К., Ополонин А. Д. – Цифровая радиография для технической
диагностики сварных конструкций. – Международный информационно-технический жур-
нал. Оборудование и инструмент для профессионалов. – 2005, № 10(69), 30 с.
24. Ryzhikov V. D., Galkin S. N., Voronkin E. F. et al. – Distinguishing materials in inspected
objects by digital radiography – Proceeding of SPIE, Hard X-Ray and Gamma-Ray Detector
Physics. – 2005, 11, Crimea(Ukraine), 1–3 August, San Diego, California, USA.
|