Анализ кинетики роста первичных кристаллов кремния в заэвтектических силуминах при модифицировании порошком карбида кремния

Проанализирована кинетика роста фазы первичного кремния в условиях модифицирования порошком карбида кремния. На основании проведенного анализа предложена методика прогнозирования размеров кристаллов первичного кремния. Проаналізовано кінетику росту фази первинного кремнію в умовах модифікування поро...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Процессы литья
Datum:2014
1. Verfasser: Дмитришина, Я.Ю.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технологічний інститут металів та сплавів НАН України 2014
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/159883
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Анализ кинетики роста первичных кристаллов кремния в заэвтектических силуминах при модифицировании порошком карбида кремния / Я.Ю. Дмитришина // Процессы литья. — 2014. — № 6. — С. 42-48. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Проанализирована кинетика роста фазы первичного кремния в условиях модифицирования порошком карбида кремния. На основании проведенного анализа предложена методика прогнозирования размеров кристаллов первичного кремния. Проаналізовано кінетику росту фази первинного кремнію в умовах модифікування порошком карбіду кремнію. На підставі проведеного аналізу запропоновано методику прогнозування розмірів кристалів первинного кремнію. The kinetic of primary silicon crystals growth in terms of modification of SiC powder is analyzed. Prediction of the primary silicon crystals size is proposed and based on performed analysis.
ISSN:0235-5884