Анализ кинетики роста первичных кристаллов кремния в заэвтектических силуминах при модифицировании порошком карбида кремния
Проанализирована кинетика роста фазы первичного кремния в условиях модифицирования порошком карбида кремния. На основании проведенного анализа предложена методика прогнозирования размеров кристаллов первичного кремния. Проаналізовано кінетику росту фази первинного кремнію в умовах модифікування поро...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Процессы литья |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технологічний інститут металів та сплавів НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/159883 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Анализ кинетики роста первичных кристаллов кремния в заэвтектических силуминах при модифицировании порошком карбида кремния / Я.Ю. Дмитришина // Процессы литья. — 2014. — № 6. — С. 42-48. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Проанализирована кинетика роста фазы первичного кремния в условиях модифицирования порошком карбида кремния. На основании проведенного анализа предложена методика прогнозирования размеров кристаллов первичного кремния.
Проаналізовано кінетику росту фази первинного кремнію в умовах модифікування порошком карбіду кремнію. На підставі проведеного аналізу запропоновано методику прогнозування розмірів кристалів первинного кремнію.
The kinetic of primary silicon crystals growth in terms of modification of SiC powder is analyzed. Prediction of the primary silicon crystals size is proposed and based on performed analysis.
|
|---|---|
| ISSN: | 0235-5884 |