Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса

Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса

В условиях высоких давлений и температур выращены монокристаллы алмаза типа Ib размером до 5–6 мм и массой до 2,4 карат. С помощью инфракрасной и оптической микроскопии, а также метода избирательного травления исследованы дефектно-примесный состав и дислокационная структура таких кристаллов. Минимиз...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Сверхтвердые материалы
Datum:2016
Hauptverfasser: Супрун, Е.М., Каленчук, В.А., Ивахненко, С.А., Куцай, А.М., Лысаковский, В.В., Заневский, О.А., Дуфу, В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2016
Schlagworte:
Получение, структура, свойства
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160050
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса / Е.М. Супрун, В.А. Каленчук, С.А. Ивахненко, А.М. Куцай, В.В. Лысаковский, О.А. Заневский, В. Дуфу, В. Шенлинь // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 6. — С. 3-8. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-160050
record_format dspace
spelling Супрун, Е.М.
Каленчук, В.А.
Ивахненко, С.А.
Куцай, А.М.
Лысаковский, В.В.
Заневский, О.А.
Дуфу, В.
Дуфу, В.
2019-10-21T15:25:14Z
2019-10-21T15:25:14Z
2016
Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса / Е.М. Супрун, В.А. Каленчук, С.А. Ивахненко, А.М. Куцай, В.В. Лысаковский, О.А. Заневский, В. Дуфу, В. Шенлинь // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 6. — С. 3-8. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
0203-3119
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160050
539.89 : 620.178
В условиях высоких давлений и температур выращены монокристаллы алмаза типа Ib размером до 5–6 мм и массой до 2,4 карат. С помощью инфракрасной и оптической микроскопии, а также метода избирательного травления исследованы дефектно-примесный состав и дислокационная структура таких кристаллов. Минимизация температуры выращивания позволила получать кристаллы типа Ib кубического габитуса, в которых находятся дефектные области в форме конуса с диаметром основания 0,2–1,8 мм и высотой 0,5–2,5 мм. Исследование конусообразных дефектных областей с применением избирательного травления показало, что ямки травления при выходе их на поверхность граней имеют тетрагональную форму, плотность дислокаций в них превышает в 70–100 раз плотность дислокаций в кристаллах, выращенных при обычных условиях. Наблюдаемые дефектные области образуются в процессе роста кристаллов алмаза при снижении температуры на ~ 30–35 °С на фронте кристаллизации из-за увеличения теплоотвода в направлении затравочного кристалла.
В умовах високих тисків і температур було вирощено монокристали алмазу типу Ib разміром до 5–6 мм і масою до 2,4 карат. За допомогою інфрачервоної та оптичної мікроскопії, а також методу вибіркового травлення досліджено дефектно-домішковий склад і дислокаційну структуру таких кристалів. Мінімізація температури вирощування дозволила отримувати кристали типу Ib кубічного габітусу, в яких знаходяться дефектні області у формі конуса з діаметром основи 0,2–1,8 мм і висотою 0,5–2,5 мм. Дослідження конусоподібних дефектних областей із застосуванням вибіркового травлення показало, що ямки травлення при виході їх на поверхню граней мають тетрагональну форму, щільність дислокацій в них перевищує у 70–100 раз щільність дислокацій в кристалах, отриманих за звичайних умов. Дефектні області, які спостерігаємо, утворюються в процесі росту кристалів алмазу при зниженні температури на ~ 30–35 °С на фронті кристалізації по причині збільшення тепловідводу в напрямку затравочного кристалу.
Under the conditions of high pressure and temperature grown single crystals of diamond type Ib up to 5–6 mm and a weight of up to 2.4 ct. Investigated defect-impurity composition and dislocation structure of crystals by infrared and optical microscopy, as well as the method of selective etching. Minimizing the growth temperature allowed to obtain crystals of type Ib cubic habit, that include defective areas in the form of a cone with a base diameter of 0.2–1.8 mm and a height of 0.5–2.5 mm. Study tapered defective areas using a selective etching showed that the etch pits at an exit surface on its faces have a tetragonal shape; dislocation density in them exceeds the number contained in the crystals grown under standard conditions in 70–100 times .It is concluded that the observed defective areas are formed during the growth of diamond crystal at lower temperature at ~ 30–35 °C at the front because of the increased crystallization heat sink in the direction of the seed crystal.
ru
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Сверхтвердые материалы
Получение, структура, свойства
Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса
spellingShingle Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса
Супрун, Е.М.
Каленчук, В.А.
Ивахненко, С.А.
Куцай, А.М.
Лысаковский, В.В.
Заневский, О.А.
Дуфу, В.
Дуфу, В.
Получение, структура, свойства
title_short Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса
title_full Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса
title_fullStr Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса
title_full_unstemmed Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса
title_sort дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа ib кубического габитуса
author Супрун, Е.М.
Каленчук, В.А.
Ивахненко, С.А.
Куцай, А.М.
Лысаковский, В.В.
Заневский, О.А.
Дуфу, В.
Дуфу, В.
author_facet Супрун, Е.М.
Каленчук, В.А.
Ивахненко, С.А.
Куцай, А.М.
Лысаковский, В.В.
Заневский, О.А.
Дуфу, В.
Дуфу, В.
topic Получение, структура, свойства
topic_facet Получение, структура, свойства
publishDate 2016
language Russian
container_title Сверхтвердые материалы
publisher Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
format Article
description В условиях высоких давлений и температур выращены монокристаллы алмаза типа Ib размером до 5–6 мм и массой до 2,4 карат. С помощью инфракрасной и оптической микроскопии, а также метода избирательного травления исследованы дефектно-примесный состав и дислокационная структура таких кристаллов. Минимизация температуры выращивания позволила получать кристаллы типа Ib кубического габитуса, в которых находятся дефектные области в форме конуса с диаметром основания 0,2–1,8 мм и высотой 0,5–2,5 мм. Исследование конусообразных дефектных областей с применением избирательного травления показало, что ямки травления при выходе их на поверхность граней имеют тетрагональную форму, плотность дислокаций в них превышает в 70–100 раз плотность дислокаций в кристаллах, выращенных при обычных условиях. Наблюдаемые дефектные области образуются в процессе роста кристаллов алмаза при снижении температуры на ~ 30–35 °С на фронте кристаллизации из-за увеличения теплоотвода в направлении затравочного кристалла. В умовах високих тисків і температур було вирощено монокристали алмазу типу Ib разміром до 5–6 мм і масою до 2,4 карат. За допомогою інфрачервоної та оптичної мікроскопії, а також методу вибіркового травлення досліджено дефектно-домішковий склад і дислокаційну структуру таких кристалів. Мінімізація температури вирощування дозволила отримувати кристали типу Ib кубічного габітусу, в яких знаходяться дефектні області у формі конуса з діаметром основи 0,2–1,8 мм і висотою 0,5–2,5 мм. Дослідження конусоподібних дефектних областей із застосуванням вибіркового травлення показало, що ямки травлення при виході їх на поверхню граней мають тетрагональну форму, щільність дислокацій в них перевищує у 70–100 раз щільність дислокацій в кристалах, отриманих за звичайних умов. Дефектні області, які спостерігаємо, утворюються в процесі росту кристалів алмазу при зниженні температури на ~ 30–35 °С на фронті кристалізації по причині збільшення тепловідводу в напрямку затравочного кристалу. Under the conditions of high pressure and temperature grown single crystals of diamond type Ib up to 5–6 mm and a weight of up to 2.4 ct. Investigated defect-impurity composition and dislocation structure of crystals by infrared and optical microscopy, as well as the method of selective etching. Minimizing the growth temperature allowed to obtain crystals of type Ib cubic habit, that include defective areas in the form of a cone with a base diameter of 0.2–1.8 mm and a height of 0.5–2.5 mm. Study tapered defective areas using a selective etching showed that the etch pits at an exit surface on its faces have a tetragonal shape; dislocation density in them exceeds the number contained in the crystals grown under standard conditions in 70–100 times .It is concluded that the observed defective areas are formed during the growth of diamond crystal at lower temperature at ~ 30–35 °C at the front because of the increased crystallization heat sink in the direction of the seed crystal.
issn 0203-3119
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160050
citation_txt Дефектно-примесный состав монокристаллов алмаза типа Ib кубического габитуса / Е.М. Супрун, В.А. Каленчук, С.А. Ивахненко, А.М. Куцай, В.В. Лысаковский, О.А. Заневский, В. Дуфу, В. Шенлинь // Сверхтвердые материалы. — 2016. — № 6. — С. 3-8. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT suprunem defektnoprimesnyisostavmonokristallovalmazatipaibkubičeskogogabitusa
AT kalenčukva defektnoprimesnyisostavmonokristallovalmazatipaibkubičeskogogabitusa
AT ivahnenkosa defektnoprimesnyisostavmonokristallovalmazatipaibkubičeskogogabitusa
AT kucaiam defektnoprimesnyisostavmonokristallovalmazatipaibkubičeskogogabitusa
AT lysakovskiivv defektnoprimesnyisostavmonokristallovalmazatipaibkubičeskogogabitusa
AT zanevskiioa defektnoprimesnyisostavmonokristallovalmazatipaibkubičeskogogabitusa
AT dufuv defektnoprimesnyisostavmonokristallovalmazatipaibkubičeskogogabitusa
AT dufuv defektnoprimesnyisostavmonokristallovalmazatipaibkubičeskogogabitusa
first_indexed 2025-11-29T10:52:08Z
last_indexed 2025-11-29T10:52:08Z
_version_ 1850854808436604928

Ähnliche Einträge