Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond
Application of diamond is determined by its oxidation behaviour in some measure. Oxidation process of single-crystal diamond prepared under high pressure and high temperature has been studied by the thermal analysis, scanning electron microscope and Raman spectrometer. The result of a simultaneous...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Сверхтвердые материалы |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
2017
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160093 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond / L.M. Yang, J.H. Gong, Z.M. Yue, S.N. Liu, Q.L. Chen, J. Gao // Сверхтвердые материалы. — 2017. — № 1. — С. 27-34. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862743540461731840 |
|---|---|
| author | Yang, L.M. Gong, J.H. Yue, Z.M. Liu, S.N. Chen, Q.L. Gao, J. |
| author_facet | Yang, L.M. Gong, J.H. Yue, Z.M. Liu, S.N. Chen, Q.L. Gao, J. |
| citation_txt | Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond / L.M. Yang, J.H. Gong, Z.M. Yue, S.N. Liu, Q.L. Chen, J. Gao // Сверхтвердые материалы. — 2017. — № 1. — С. 27-34. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Сверхтвердые материалы |
| description | Application of diamond is determined by its oxidation behaviour in some measure. Oxidation process of single-crystal diamond prepared under high pressure and high temperature has been studied by the thermal analysis, scanning electron microscope and Raman spectrometer. The result of a simultaneous thermal analysis indicates that single-crystal diamond is oxidized at ~ 818 °C at a heating rate of 5°C/min in the flowing oxygen. Based on the data of the thermal analysis at different heating rates, the activation energy is calculated by the Kissinger method. A weight loss rate increases with the rising heat treatment temperature from 600 to 800°C. After the oxidation at 800 °C, etch pits emerge on the {100} surfaces of single-crystal diamond, while the {111} surfaces are smooth. Shapes of the etch pits on the {100} surfaces are inverted pyramidal hollows, with edges direction parallel to the <110> direction.
Застосування алмазу в якійсь мірі визначається його поведінкою при окисленні. За допомогою термічного аналізу, скануючої електронної мікроскопії і спектроскопії комбінаційного розсіювання світла вивчено процес окислення монокристалічного алмазу, отриманого при високому тиску і високій температурі. Одночасний термічний аналіз показав, що монокристалічний алмаз окислюється при ~ 818 °С при швидкості нагріву 5 °С/хв в потоці кисню. На основі даних термічного аналізу при різних швидкостях нагрівання розраховано енергію активації за методом Кіссінджера. Швидкість втрати ваги зростає з підвищенням температури термообробки від 600 до 800 °C. Після окислення при температурі 800 °С ямки травлення з’являються на поверхні {100} монокристалічного алмазу, в той час як поверхні {111} гладкі. Форма ямок на поверхнях {100} – перевернуті пірамідальні западини з ребрами в напрямку паралельному <110>.
Применение алмаза в какой-то мере определяется его поведением при окислении. С помощью термического анализа, сканирующей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света изучен процесс окисления монокристаллического алмаза, полученного при высоком давлении и высокой температуре. Одновременный термический анализ показывает, что монокристаллический алмаз окисляется при ~ 818 °С при скорости нагрева 5 °С/мин в потоке кислорода. На основе данных термического анализа при различных скоростях нагрева рассчитана энергия активации по методу Киссинджера. Скорость потери веса возрастает с повышением температуры термообработки от 600 до 800 °C. После окисления при температуре 800 °С ямки травления появляются на поверхности {100} монокристаллического алмаза, в то время как поверхности {111} гладкие. Форма ямок на поверхностях {100} – перевернутые пирамидальные впадины с ребрами в направлении параллельном <110>.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:30:44Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-160093 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0203-3119 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T20:30:44Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Yang, L.M. Gong, J.H. Yue, Z.M. Liu, S.N. Chen, Q.L. Gao, J. 2019-10-22T17:09:16Z 2019-10-22T17:09:16Z 2017 Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond / L.M. Yang, J.H. Gong, Z.M. Yue, S.N. Liu, Q.L. Chen, J. Gao // Сверхтвердые материалы. — 2017. — № 1. — С. 27-34. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. 0203-3119 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160093 548.736.15:621.794.4 Application of diamond is determined by its oxidation behaviour in some measure. Oxidation process of single-crystal diamond prepared under high pressure and high temperature has been studied by the thermal analysis, scanning electron microscope and Raman spectrometer. The result of a simultaneous thermal analysis indicates that single-crystal diamond is oxidized at ~ 818 °C at a heating rate of 5°C/min in the flowing oxygen. Based on the data of the thermal analysis at different heating rates, the activation energy is calculated by the Kissinger method. A weight loss rate increases with the rising heat treatment temperature from 600 to 800°C. After the oxidation at 800 °C, etch pits emerge on the {100} surfaces of single-crystal diamond, while the {111} surfaces are smooth. Shapes of the etch pits on the {100} surfaces are inverted pyramidal hollows, with edges direction parallel to the <110> direction. Застосування алмазу в якійсь мірі визначається його поведінкою при окисленні. За допомогою термічного аналізу, скануючої електронної мікроскопії і спектроскопії комбінаційного розсіювання світла вивчено процес окислення монокристалічного алмазу, отриманого при високому тиску і високій температурі. Одночасний термічний аналіз показав, що монокристалічний алмаз окислюється при ~ 818 °С при швидкості нагріву 5 °С/хв в потоці кисню. На основі даних термічного аналізу при різних швидкостях нагрівання розраховано енергію активації за методом Кіссінджера. Швидкість втрати ваги зростає з підвищенням температури термообробки від 600 до 800 °C. Після окислення при температурі 800 °С ямки травлення з’являються на поверхні {100} монокристалічного алмазу, в той час як поверхні {111} гладкі. Форма ямок на поверхнях {100} – перевернуті пірамідальні западини з ребрами в напрямку паралельному <110>. Применение алмаза в какой-то мере определяется его поведением при окислении. С помощью термического анализа, сканирующей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света изучен процесс окисления монокристаллического алмаза, полученного при высоком давлении и высокой температуре. Одновременный термический анализ показывает, что монокристаллический алмаз окисляется при ~ 818 °С при скорости нагрева 5 °С/мин в потоке кислорода. На основе данных термического анализа при различных скоростях нагрева рассчитана энергия активации по методу Киссинджера. Скорость потери веса возрастает с повышением температуры термообработки от 600 до 800 °C. После окисления при температуре 800 °С ямки травления появляются на поверхности {100} монокристаллического алмаза, в то время как поверхности {111} гладкие. Форма ямок на поверхностях {100} – перевернутые пирамидальные впадины с ребрами в направлении параллельном <110>. This work was supported by the Natural Science Foundation of Shandong Province (No. ZR2014EMM011) and National Natural Science Foundation of China (No. 51272139). en Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України Сверхтвердые материалы Получение, структура, свойства Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond Article published earlier |
| spellingShingle | Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond Yang, L.M. Gong, J.H. Yue, Z.M. Liu, S.N. Chen, Q.L. Gao, J. Получение, структура, свойства |
| title | Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond |
| title_full | Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond |
| title_fullStr | Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond |
| title_full_unstemmed | Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond |
| title_short | Preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of HPHT single-crystal diamond |
| title_sort | preferential etching by flowing oxygen on the (100) surfaces of hpht single-crystal diamond |
| topic | Получение, структура, свойства |
| topic_facet | Получение, структура, свойства |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160093 |
| work_keys_str_mv | AT yanglm preferentialetchingbyflowingoxygenonthe100surfacesofhphtsinglecrystaldiamond AT gongjh preferentialetchingbyflowingoxygenonthe100surfacesofhphtsinglecrystaldiamond AT yuezm preferentialetchingbyflowingoxygenonthe100surfacesofhphtsinglecrystaldiamond AT liusn preferentialetchingbyflowingoxygenonthe100surfacesofhphtsinglecrystaldiamond AT chenql preferentialetchingbyflowingoxygenonthe100surfacesofhphtsinglecrystaldiamond AT gaoj preferentialetchingbyflowingoxygenonthe100surfacesofhphtsinglecrystaldiamond |