Розрахунок розподілу температури при НРНТ-вирощуванні монокристалів алмазу в комірках з двома ростовими шарами

Розрахунок розподілу температури при НРНТ-вирощуванні монокристалів алмазу в комірках з двома ростовими шарами

Методом скінченних елементів виконано розрахунки розподілу температур в ростових комірках АВТ типу “тороїд” ТС40. Проведено експериментальні дослідження процесу вирощування монокристалів алмазу типу ІІа у комірках високого тиску з двома ростовими шарами. Показано, що при використанні матеріалів комі...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Сверхтвердые материалы
Дата:2017
Автори: Бурченя, А.В., Лисаковський, В.В., Гордєєв, С.О., Івахненко, С.О., Куцай, О.М., Супрун, О.М.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2017
Теми:
Получение, структура, свойства
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160114
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Розрахунок розподілу температури при НРНТ-вирощуванні монокристалів алмазу в комірках з двома ростовими шарами / А.В. Бурченя, В.В. Лисаковський, С.О. Гордєєв, С.О. Івахненко, О.М. Куцай, О.М. Супрун // Сверхтвердые материалы. — 2017. — № 3. — С. 3-10. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-160114
record_format dspace
spelling Бурченя, А.В.
Лисаковський, В.В.
Гордєєв, С.О.
Івахненко, С.О.
Куцай, О.М.
Супрун, О.М.
2019-10-23T17:47:21Z
2019-10-23T17:47:21Z
2017
Розрахунок розподілу температури при НРНТ-вирощуванні монокристалів алмазу в комірках з двома ростовими шарами / А.В. Бурченя, В.В. Лисаковський, С.О. Гордєєв, С.О. Івахненко, О.М. Куцай, О.М. Супрун // Сверхтвердые материалы. — 2017. — № 3. — С. 3-10. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
0203-3119
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160114
548.736
Методом скінченних елементів виконано розрахунки розподілу температур в ростових комірках АВТ типу “тороїд” ТС40. Проведено експериментальні дослідження процесу вирощування монокристалів алмазу типу ІІа у комірках високого тиску з двома ростовими шарами. Показано, що при використанні матеріалів комірки з відповідними властивостями та визначеній конфігурації системи резистивного нагріву градієнти температур складають 5,4–5,6 °С/мм, швидкість росту – 2,46 мг/год. Загальна маса одержаних структурно досконалих монокристалів алмазу типу ІІа у верхньому та нижньому ростових шарах складає 1,18 та 1,13 карат відповідно, вміст азоту – 1–3 ppm для усіх вирощених кристалів.
Calculation of temperature distribution in the growth cells of high pressure apparatus type “toroid” ТС40 was held with using finite element method. Experimental study of the process of growing single diamond crystals type IIa in high pressure was held with using two growth layers. It was shown that for the growing cell that was fabricated with using materials of appropriate properties and imposing a system configuration of resistive heating, the temperature gradients were been 5.4 and 5.6 °C/mm, the rate of growth of 2.46 mg/hour. Total mass of structurally perfect single diamond crystals of type IIa, that were obtained, in the upper and lower layers of growth cell were 1.18 and 1.13 ct, in accordance with a nitrogen content of 1–3 ppm in all of diamond crystals.
Методом конечных элементов проведены расчеты распределения температур в ростовых ячейки АВД типа “тороид” ТС40. Проведены экспериментальные исследования процесса выращивания монокристаллов алмаза типа IIa в ячейках высокого давления с двумя ростовыми слоями. Показано, что при использовании материалов ячейки с соответствующими свойствами и определенной системой резистивного нагрева градиенты температур составляют 5,4–5,6 °С/мм, скорость роста – 2,46 мг/ч. Общая маса полученных структурно совершенных монокристаллов алмаза типа ІІа в верхнем и нижнем ростовых слоях составляет 1,18 і 1,13 карат соответственно, содержание азота – 1–3 ppm во всех полученных кристаллах.
uk
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
Сверхтвердые материалы
Получение, структура, свойства
Розрахунок розподілу температури при НРНТ-вирощуванні монокристалів алмазу в комірках з двома ростовими шарами
Calculation of the temperature distribution at the HPHT growing of diamond single crystals in cells with two growth layers
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Розрахунок розподілу температури при НРНТ-вирощуванні монокристалів алмазу в комірках з двома ростовими шарами
spellingShingle Розрахунок розподілу температури при НРНТ-вирощуванні монокристалів алмазу в комірках з двома ростовими шарами
Бурченя, А.В.
Лисаковський, В.В.
Гордєєв, С.О.
Івахненко, С.О.
Куцай, О.М.
Супрун, О.М.
Получение, структура, свойства
title_short Розрахунок розподілу температури при НРНТ-вирощуванні монокристалів алмазу в комірках з двома ростовими шарами
title_full Розрахунок розподілу температури при НРНТ-вирощуванні монокристалів алмазу в комірках з двома ростовими шарами
title_fullStr Розрахунок розподілу температури при НРНТ-вирощуванні монокристалів алмазу в комірках з двома ростовими шарами
title_full_unstemmed Розрахунок розподілу температури при НРНТ-вирощуванні монокристалів алмазу в комірках з двома ростовими шарами
title_sort розрахунок розподілу температури при нрнт-вирощуванні монокристалів алмазу в комірках з двома ростовими шарами
author Бурченя, А.В.
Лисаковський, В.В.
Гордєєв, С.О.
Івахненко, С.О.
Куцай, О.М.
Супрун, О.М.
author_facet Бурченя, А.В.
Лисаковський, В.В.
Гордєєв, С.О.
Івахненко, С.О.
Куцай, О.М.
Супрун, О.М.
topic Получение, структура, свойства
topic_facet Получение, структура, свойства
publishDate 2017
language Ukrainian
container_title Сверхтвердые материалы
publisher Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
format Article
title_alt Calculation of the temperature distribution at the HPHT growing of diamond single crystals in cells with two growth layers
description Методом скінченних елементів виконано розрахунки розподілу температур в ростових комірках АВТ типу “тороїд” ТС40. Проведено експериментальні дослідження процесу вирощування монокристалів алмазу типу ІІа у комірках високого тиску з двома ростовими шарами. Показано, що при використанні матеріалів комірки з відповідними властивостями та визначеній конфігурації системи резистивного нагріву градієнти температур складають 5,4–5,6 °С/мм, швидкість росту – 2,46 мг/год. Загальна маса одержаних структурно досконалих монокристалів алмазу типу ІІа у верхньому та нижньому ростових шарах складає 1,18 та 1,13 карат відповідно, вміст азоту – 1–3 ppm для усіх вирощених кристалів. Calculation of temperature distribution in the growth cells of high pressure apparatus type “toroid” ТС40 was held with using finite element method. Experimental study of the process of growing single diamond crystals type IIa in high pressure was held with using two growth layers. It was shown that for the growing cell that was fabricated with using materials of appropriate properties and imposing a system configuration of resistive heating, the temperature gradients were been 5.4 and 5.6 °C/mm, the rate of growth of 2.46 mg/hour. Total mass of structurally perfect single diamond crystals of type IIa, that were obtained, in the upper and lower layers of growth cell were 1.18 and 1.13 ct, in accordance with a nitrogen content of 1–3 ppm in all of diamond crystals. Методом конечных элементов проведены расчеты распределения температур в ростовых ячейки АВД типа “тороид” ТС40. Проведены экспериментальные исследования процесса выращивания монокристаллов алмаза типа IIa в ячейках высокого давления с двумя ростовыми слоями. Показано, что при использовании материалов ячейки с соответствующими свойствами и определенной системой резистивного нагрева градиенты температур составляют 5,4–5,6 °С/мм, скорость роста – 2,46 мг/ч. Общая маса полученных структурно совершенных монокристаллов алмаза типа ІІа в верхнем и нижнем ростовых слоях составляет 1,18 і 1,13 карат соответственно, содержание азота – 1–3 ppm во всех полученных кристаллах.
issn 0203-3119
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160114
citation_txt Розрахунок розподілу температури при НРНТ-вирощуванні монокристалів алмазу в комірках з двома ростовими шарами / А.В. Бурченя, В.В. Лисаковський, С.О. Гордєєв, С.О. Івахненко, О.М. Куцай, О.М. Супрун // Сверхтвердые материалы. — 2017. — № 3. — С. 3-10. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT burčenâav rozrahunokrozpodílutemperaturiprinrntviroŝuvannímonokristalívalmazuvkomírkahzdvomarostovimišarami
AT lisakovsʹkiivv rozrahunokrozpodílutemperaturiprinrntviroŝuvannímonokristalívalmazuvkomírkahzdvomarostovimišarami
AT gordêêvso rozrahunokrozpodílutemperaturiprinrntviroŝuvannímonokristalívalmazuvkomírkahzdvomarostovimišarami
AT ívahnenkoso rozrahunokrozpodílutemperaturiprinrntviroŝuvannímonokristalívalmazuvkomírkahzdvomarostovimišarami
AT kucaiom rozrahunokrozpodílutemperaturiprinrntviroŝuvannímonokristalívalmazuvkomírkahzdvomarostovimišarami
AT suprunom rozrahunokrozpodílutemperaturiprinrntviroŝuvannímonokristalívalmazuvkomírkahzdvomarostovimišarami
AT burčenâav calculationofthetemperaturedistributionatthehphtgrowingofdiamondsinglecrystalsincellswithtwogrowthlayers
AT lisakovsʹkiivv calculationofthetemperaturedistributionatthehphtgrowingofdiamondsinglecrystalsincellswithtwogrowthlayers
AT gordêêvso calculationofthetemperaturedistributionatthehphtgrowingofdiamondsinglecrystalsincellswithtwogrowthlayers
AT ívahnenkoso calculationofthetemperaturedistributionatthehphtgrowingofdiamondsinglecrystalsincellswithtwogrowthlayers
AT kucaiom calculationofthetemperaturedistributionatthehphtgrowingofdiamondsinglecrystalsincellswithtwogrowthlayers
AT suprunom calculationofthetemperaturedistributionatthehphtgrowingofdiamondsinglecrystalsincellswithtwogrowthlayers
first_indexed 2025-12-07T13:18:54Z
last_indexed 2025-12-07T13:18:54Z
_version_ 1850855689965010944

Схожі ресурси