Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe

• Veröffentlicht in: Доповіді НАН України
• Datum: 2019
• ISSN: 1025-6415
• 1. Verfasser: Цибрій, З.Ф.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2019
• Schlagworte: Фізика
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160237
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe / З.Ф. Цибрій // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 9. — С. 34-40. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.

Наведено технологічні особливості формування двошарових металічних контактів до дискретних приймачів інфрачервоного та терагерцового діапазонів спектра, виготовлених на основі епітаксійних шарів
 CdHgTe, вирощених на підкладках CdZnTe методом рідкофазної епітаксії. Знайдено оптимальну комбінацію
 металів (адгезивний шар — струмопровідний шар), які створюють омічний контакт до p- та n-областей
 CdHgTe в процесі виготовлення дискретних детекторів за планарною технологією. Виміряні вольт-амперні характеристики контактів Mo—Au і Mo—In до епітаксійних шарів р-CdHgTe демонструють лінійний
 характер як при кімнатній температурі, так і при Т = 80 К. The technological features of the formation of two-layer metal contacts to discrete detectors for the infrared
 and terahertz spectral bands made on the basis of epitaxial layers of CdHgTe grown on CdZnTe substrates by
 the liquid phase epitaxy method are given. The optimal combination of metals (adhesive layer — conductive
 layer), which creates an ohmic contact to the p- and n-types of CdHgTe in the process of discrete detectors manufacturing
 by the planar technology is found. Measured current-voltage characteristics of the Mo—Au and
 Mo—In contacts to the epitaxial layers of p-CdHgTe show a linear behavior both at room temperature and
 at T = 80 K. Приведены технологические особенности формирования двуслойных металлических контактов к дискретным приемникам инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии. Найдено
 оптимальную комбинацию металлов (адгезивный слой — токопроводящий слой), которые создают омический контакт к p- и n-областям CdHgTe в процессе изготовления дискретных детекторов по планарной
 технологии. Измеренные вольт-амперные характеристики контактов Mo—Au и Mo—In к эпитаксиальным
 слоям р-CdHgTe демонстрируют линейный характер как при комнатной температуре, так и при Т = 80 К.