Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
Наведено технологічні особливості формування двошарових металічних контактів до дискретних приймачів інфрачервоного та терагерцового діапазонів спектра, виготовлених на основі епітаксійних шарів CdHgTe, вирощених на підкладках CdZnTe методом рідкофазної епітаксії. Знайдено оптимальну комбінацію ме...
Saved in:
| Published in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Date: | 2019 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2019
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160237 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe / З.Ф. Цибрій // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 9. — С. 34-40. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-160237 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Цибрій, З.Ф. 2019-10-28T16:17:56Z 2019-10-28T16:17:56Z 2019 Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe / З.Ф. Цибрій // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 9. — С. 34-40. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2019.09.034 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160237 621.384.3 Наведено технологічні особливості формування двошарових металічних контактів до дискретних приймачів інфрачервоного та терагерцового діапазонів спектра, виготовлених на основі епітаксійних шарів CdHgTe, вирощених на підкладках CdZnTe методом рідкофазної епітаксії. Знайдено оптимальну комбінацію металів (адгезивний шар — струмопровідний шар), які створюють омічний контакт до p- та n-областей CdHgTe в процесі виготовлення дискретних детекторів за планарною технологією. Виміряні вольт-амперні характеристики контактів Mo—Au і Mo—In до епітаксійних шарів р-CdHgTe демонструють лінійний характер як при кімнатній температурі, так і при Т = 80 К. The technological features of the formation of two-layer metal contacts to discrete detectors for the infrared and terahertz spectral bands made on the basis of epitaxial layers of CdHgTe grown on CdZnTe substrates by the liquid phase epitaxy method are given. The optimal combination of metals (adhesive layer — conductive layer), which creates an ohmic contact to the p- and n-types of CdHgTe in the process of discrete detectors manufacturing by the planar technology is found. Measured current-voltage characteristics of the Mo—Au and Mo—In contacts to the epitaxial layers of p-CdHgTe show a linear behavior both at room temperature and at T = 80 K. Приведены технологические особенности формирования двуслойных металлических контактов к дискретным приемникам инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии. Найдено оптимальную комбинацию металлов (адгезивный слой — токопроводящий слой), которые создают омический контакт к p- и n-областям CdHgTe в процессе изготовления дискретных детекторов по планарной технологии. Измеренные вольт-амперные характеристики контактов Mo—Au и Mo—In к эпитаксиальным слоям р-CdHgTe демонстрируют линейный характер как при комнатной температуре, так и при Т = 80 К. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Фізика Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe Features of the technology of formation of metal contacts to discrete IR and THz radiation detectors based on CdHgTe epitaxial layers Особенности технологии формирования металлических контактов к дискретным ИК и ТГц приемникам излучения на основе эпитаксиальных слоев CdHgTe Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe |
| spellingShingle |
Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe Цибрій, З.Ф. Фізика |
| title_short |
Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe |
| title_full |
Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe |
| title_fullStr |
Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe |
| title_full_unstemmed |
Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe |
| title_sort |
особливості технології формування металічних контактів до дискретних іч та тгц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів cdhgte |
| author |
Цибрій, З.Ф. |
| author_facet |
Цибрій, З.Ф. |
| topic |
Фізика |
| topic_facet |
Фізика |
| publishDate |
2019 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Доповіді НАН України |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Features of the technology of formation of metal contacts to discrete IR and THz radiation detectors based on CdHgTe epitaxial layers Особенности технологии формирования металлических контактов к дискретным ИК и ТГц приемникам излучения на основе эпитаксиальных слоев CdHgTe |
| description |
Наведено технологічні особливості формування двошарових металічних контактів до дискретних приймачів інфрачервоного та терагерцового діапазонів спектра, виготовлених на основі епітаксійних шарів
CdHgTe, вирощених на підкладках CdZnTe методом рідкофазної епітаксії. Знайдено оптимальну комбінацію
металів (адгезивний шар — струмопровідний шар), які створюють омічний контакт до p- та n-областей
CdHgTe в процесі виготовлення дискретних детекторів за планарною технологією. Виміряні вольт-амперні характеристики контактів Mo—Au і Mo—In до епітаксійних шарів р-CdHgTe демонструють лінійний
характер як при кімнатній температурі, так і при Т = 80 К.
The technological features of the formation of two-layer metal contacts to discrete detectors for the infrared
and terahertz spectral bands made on the basis of epitaxial layers of CdHgTe grown on CdZnTe substrates by
the liquid phase epitaxy method are given. The optimal combination of metals (adhesive layer — conductive
layer), which creates an ohmic contact to the p- and n-types of CdHgTe in the process of discrete detectors manufacturing
by the planar technology is found. Measured current-voltage characteristics of the Mo—Au and
Mo—In contacts to the epitaxial layers of p-CdHgTe show a linear behavior both at room temperature and
at T = 80 K.
Приведены технологические особенности формирования двуслойных металлических контактов к дискретным приемникам инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев CdHgTe, выращенных на подложках CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии. Найдено
оптимальную комбинацию металлов (адгезивный слой — токопроводящий слой), которые создают омический контакт к p- и n-областям CdHgTe в процессе изготовления дискретных детекторов по планарной
технологии. Измеренные вольт-амперные характеристики контактов Mo—Au и Mo—In к эпитаксиальным
слоям р-CdHgTe демонстрируют линейный характер как при комнатной температуре, так и при Т = 80 К.
|
| issn |
1025-6415 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160237 |
| citation_txt |
Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe / З.Ф. Цибрій // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 9. — С. 34-40. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT cibríizf osoblivostítehnologííformuvannâmetalíčnihkontaktívdodiskretnihíčtatgcpriimačívvipromínûvannânaosnovíepítaksíinihšarívcdhgte AT cibríizf featuresofthetechnologyofformationofmetalcontactstodiscreteirandthzradiationdetectorsbasedoncdhgteepitaxiallayers AT cibríizf osobennostitehnologiiformirovaniâmetalličeskihkontaktovkdiskretnymikitgcpriemnikamizlučeniânaosnoveépitaksialʹnyhsloevcdhgte |
| first_indexed |
2025-12-07T19:04:14Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:04:14Z |
| _version_ |
1850877415564247041 |