Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe
Наведено технологічні особливості формування двошарових металічних контактів до дискретних приймачів інфрачервоного та терагерцового діапазонів спектра, виготовлених на основі епітаксійних шарів
 CdHgTe, вирощених на підкладках CdZnTe методом рідкофазної епітаксії. Знайдено оптимальну комбін...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2019 |
| Автор: | Цибрій, З.Ф. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160237 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe / З.Ф. Цибрій // Доповіді Національної академії наук України. — 2019. — № 9. — С. 34-40. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
за авторством: Балабай, Р.М.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Балабай, Р.М.
Опубліковано: (2012)
ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ
за авторством: Житарюк, В. Г., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Житарюк, В. Г., та інші
Опубліковано: (2013)
Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
за авторством: Житарюк, В.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Житарюк, В.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов
за авторством: Shevchik-Shekera, A. V.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Shevchik-Shekera, A. V.
Опубліковано: (2012)
Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов
за авторством: Шевчик-Шекера, А.В.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Шевчик-Шекера, А.В.
Опубліковано: (2012)
Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Balabai
Опубліковано: (2012)
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2001)
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2013)
Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Kosyachenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2003)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (1999)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
за авторством: Vlasenko, A. I., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Vlasenko, A. I., та інші
Опубліковано: (2004)
Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2010)
Наноструктурування поверхні гетероепітаксіальної плівки CdHgTe методом йонної імплантації Ag⁺
за авторством: Удовицька, Р.С.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Удовицька, Р.С.
Опубліковано: (2015)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2015)
Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: O. B. Smirnov, та інші
Опубліковано: (2015)
Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Власенко, А.И., та інші
Опубліковано: (2001)
Оцінка структурної досконалості епітаксійних плівок залізоітрієвого ґранату
за авторством: Мокляк, В.В.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Мокляк, В.В.
Опубліковано: (2015)
Nanostructurization of a Surface of a Heteroepitaxial CdHgTe Film by a Method of the Ion Implantation of Ag+
за авторством: R. S. Udovytska
Опубліковано: (2015)
за авторством: R. S. Udovytska
Опубліковано: (2015)
ВИЗНАЧЕННЯ ГЕНЕТИЧНОЇ СТАТІ ІНДИВІДУУМА ЗА ДАНИМИ ЦИТОЛОГІЧНОГО ДОСЛІДЖЕННЯ. ВИКОРИСТАННЯ Т – ПРОМЕНІВ (ТГЦ ВИПРОМІНЮВАННЯ) ДЛЯ ВИЗНАЧЕННЯ ГЕНЕТИЧНОЇ СТАТІ ТА АНОМАЛІЙ СТАТЕВИХ ХРОМОСОМ
за авторством: Кожем'яко, В. П., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Кожем'яко, В. П., та інші
Опубліковано: (2013)
Вирощування та властивості товстих епітаксійних плівок залізо-ітрійового ґранату
за авторством: Ющук, С.І., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ющук, С.І., та інші
Опубліковано: (2018)
Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов
за авторством: Reva, V. P., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Reva, V. P., та інші
Опубліковано: (2010)
Features of the technology of formation of metal contacts to discrete IR and THz radiation detectors based on CdHgTe epitaxial layers
за авторством: Z. F. Tsybrii
Опубліковано: (2019)
за авторством: Z. F. Tsybrii
Опубліковано: (2019)
Роль механiчних напружень при iоннiй імплантацiї твердих розчинiв CdHgTe
за авторством: Smirnov, A. B., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Smirnov, A. B., та інші
Опубліковано: (2018)
Розмірна залежність механічних напружень у металічних конденсатах на кремнії
за авторством: Коман, Б.П., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Коман, Б.П., та інші
Опубліковано: (2014)
Методи нумерації дискретних послідовностей
за авторством: Гупал, М.А.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Гупал, М.А.
Опубліковано: (2021)
Херсонес і Західний Понт: проблема контактів
за авторством: Кадєєв, В.І., та інші
Опубліковано: (1989)
за авторством: Кадєєв, В.І., та інші
Опубліковано: (1989)
Застосування квазісилового алгоритму для генерації динамічних структурних моделей металічних розплавів
за авторством: Лисовенко, С.О., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Лисовенко, С.О., та інші
Опубліковано: (2013)
Осадження металічних плівок на мікрочастинки у пастці ВЧ магнетронного розряду
за авторством: Pal, A.F., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Pal, A.F., та інші
Опубліковано: (2022)
Покрокові збурення дискретних моделей імунології
за авторством: Барановський, Сергій, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Барановський, Сергій, та інші
Опубліковано: (2022)
Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
за авторством: Smirnov, A. B., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Smirnov, A. B., та інші
Опубліковано: (2019)
ЗАСТОСУВАННЯ МОДЕЛІ “ОТОЧЕНОГО АТОМА” ДО ОПИСУ ТЕРМОДИНАМІЧНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ДЕЯКИХ МЕТАЛІЧНИХ РОЗПЛАВІВ
за авторством: Golovata, N. V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Golovata, N. V., та інші
Опубліковано: (2018)
Структура та властивості потрійних поліелектроліт– металічних комплексів, підданих дії постійного магнітногополя
за авторством: Демченко, В.Л.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Демченко, В.Л.
Опубліковано: (2013)
Застосування псевдо-бінарного наближення при дослідженні локальної структури потрійних металічних розплавів
за авторством: Роїк, О.С., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Роїк, О.С., та інші
Опубліковано: (2012)
Про деякі особливості ІЧ-спектрів полікатіондекатіонованих форм фожазитів
за авторством: Бартош, П.І., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Бартош, П.І., та інші
Опубліковано: (2001)
Особливості формування омічних контактів до n+-InN
за авторством: Sai, P. O., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sai, P. O., та інші
Опубліковано: (2019)
Якісне дослідження динаміки нечітких дискретних систем
за авторством: Ivohin, E. V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ivohin, E. V., та інші
Опубліковано: (2019)
Якісне дослідження динаміки нечітких дискретних систем
за авторством: Івохін, Є.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Івохін, Є.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Схожі ресурси
-
Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
за авторством: Балабай, Р.М.
Опубліковано: (2012) -
ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПРИЙМАЧІВ ВИПРОМІНЮВАННЯ, ВИГОТОВЛЕНИХ НА ІОННО ТРАВЛЕНИХ ПОВЕРХНЯХ КРЕМНІЮ
за авторством: Житарюк, В. Г., та інші
Опубліковано: (2013) -
Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
за авторством: Житарюк, В.Г., та інші
Опубліковано: (2009) -
Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов
за авторством: Shevchik-Shekera, A. V.
Опубліковано: (2012) -
Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов
за авторством: Шевчик-Шекера, А.В.
Опубліковано: (2012)