Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена

Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена

Описана роль затравочного кристалла в процессе выращивания монокристаллов. Показано, что традиционный способ расположения затравочного кристалла при плавке позволяет вырастить монокристалл только одной ориентации. Количество ориентаций монокристаллов, выращиваемых на одном затравочном кристалле, мож...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Проблемы специальной электрометаллургии
Дата:2001
Автор: Шаповалов, В.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України 2001
Теми:
Плазменно-дуговая технология
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160269
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена / В.А. Шаповалов // Проблемы специальной электрометаллургии. — 2001. — № 3(64). — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-160269
record_format dspace
spelling Шаповалов, В.А.
2019-10-29T19:08:19Z
2019-10-29T19:08:19Z
2001
Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена / В.А. Шаповалов // Проблемы специальной электрометаллургии. — 2001. — № 3(64). — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
0233-7681
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160269
669.187.58.001.5
Описана роль затравочного кристалла в процессе выращивания монокристаллов. Показано, что традиционный способ расположения затравочного кристалла при плавке позволяет вырастить монокристалл только одной ориентации. Количество ориентаций монокристаллов, выращиваемых на одном затравочном кристалле, может быть увеличено, если цилиндрический затравочный кристалл расположить горизонтально. При этом рост монокристалла будет осуществляться не с торцевой, а с боковой поверхности затравочного кристалла. Более значительные перспективы открывает применение составного затравочного кристалла, образованного путем механического соединения в единое целое отдельных, идеально ориентированных небольших затравочных кристалликов. Использование составных затравочных кристаллов позволяет вырастить крупные монокристаллы с более совершенной структурой, моногранные замкнутые поверхности, бикристаллы и др.
The role of a priming crystal in the process of single-crystal growing is described. It is shown that the traditional method of arrangement of a priming crystal during melting makes it possible to grow a single-crystal only of one orientation. The number of orientations of single-crystals grown 0n one priming crystal can be increased if to locate a cylindrical priming crystal horizontally. Here, the growth of the single-crystal will be realized not from the edge surface, but from the lateral surface of the priming crystal. The use of a combined priming crystal formed by a mechanical joining of perfectly oriented small priming crystals into a single whole is challenging. The use of the combined priming crystals will allow growing of large single-crystals with more perfect structure, single-face closed surfaces, bicrystals.
ru
Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
Проблемы специальной электрометаллургии
Плазменно-дуговая технология
Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена
Priming crystals for plasma-induction growing of single-crystals of tungsten and molybdenum
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена
spellingShingle Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена
Шаповалов, В.А.
Плазменно-дуговая технология
title_short Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена
title_full Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена
title_fullStr Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена
title_full_unstemmed Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена
title_sort затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена
author Шаповалов, В.А.
author_facet Шаповалов, В.А.
topic Плазменно-дуговая технология
topic_facet Плазменно-дуговая технология
publishDate 2001
language Russian
container_title Проблемы специальной электрометаллургии
publisher Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
format Article
title_alt Priming crystals for plasma-induction growing of single-crystals of tungsten and molybdenum
description Описана роль затравочного кристалла в процессе выращивания монокристаллов. Показано, что традиционный способ расположения затравочного кристалла при плавке позволяет вырастить монокристалл только одной ориентации. Количество ориентаций монокристаллов, выращиваемых на одном затравочном кристалле, может быть увеличено, если цилиндрический затравочный кристалл расположить горизонтально. При этом рост монокристалла будет осуществляться не с торцевой, а с боковой поверхности затравочного кристалла. Более значительные перспективы открывает применение составного затравочного кристалла, образованного путем механического соединения в единое целое отдельных, идеально ориентированных небольших затравочных кристалликов. Использование составных затравочных кристаллов позволяет вырастить крупные монокристаллы с более совершенной структурой, моногранные замкнутые поверхности, бикристаллы и др. The role of a priming crystal in the process of single-crystal growing is described. It is shown that the traditional method of arrangement of a priming crystal during melting makes it possible to grow a single-crystal only of one orientation. The number of orientations of single-crystals grown 0n one priming crystal can be increased if to locate a cylindrical priming crystal horizontally. Here, the growth of the single-crystal will be realized not from the edge surface, but from the lateral surface of the priming crystal. The use of a combined priming crystal formed by a mechanical joining of perfectly oriented small priming crystals into a single whole is challenging. The use of the combined priming crystals will allow growing of large single-crystals with more perfect structure, single-face closed surfaces, bicrystals.
issn 0233-7681
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160269
citation_txt Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена / В.А. Шаповалов // Проблемы специальной электрометаллургии. — 2001. — № 3(64). — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT šapovalovva zatravočnyekristallydlâplazmennoindukcionnogovyraŝivaniâmonokristallovvolʹframaimolibdena
AT šapovalovva primingcrystalsforplasmainductiongrowingofsinglecrystalsoftungstenandmolybdenum
first_indexed 2025-12-07T16:43:55Z
last_indexed 2025-12-07T16:43:55Z
_version_ 1850868588626313216

Схожі ресурси