Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена
Описана роль затравочного кристалла в процессе выращивания монокристаллов. Показано, что традиционный способ расположения затравочного кристалла при плавке позволяет вырастить монокристалл только одной ориентации. Количество ориентаций монокристаллов, выращиваемых на одном затравочном кристалле, мож...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Проблемы специальной электрометаллургии |
|---|---|
| Datum: | 2001 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
2001
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160269 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена / В.А. Шаповалов // Проблемы специальной электрометаллургии. — 2001. — № 3(64). — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862702175511117824 |
|---|---|
| author | Шаповалов, В.А. |
| author_facet | Шаповалов, В.А. |
| citation_txt | Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена / В.А. Шаповалов // Проблемы специальной электрометаллургии. — 2001. — № 3(64). — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Проблемы специальной электрометаллургии |
| description | Описана роль затравочного кристалла в процессе выращивания монокристаллов. Показано, что традиционный способ расположения затравочного кристалла при плавке позволяет вырастить монокристалл только одной ориентации. Количество ориентаций монокристаллов, выращиваемых на одном затравочном кристалле, может быть увеличено, если цилиндрический затравочный кристалл расположить горизонтально. При этом рост монокристалла будет осуществляться не с торцевой, а с боковой поверхности затравочного кристалла. Более значительные перспективы открывает применение составного затравочного кристалла, образованного путем механического соединения в единое целое отдельных, идеально ориентированных небольших затравочных кристалликов. Использование составных затравочных кристаллов позволяет вырастить крупные монокристаллы с более совершенной структурой, моногранные замкнутые поверхности, бикристаллы и др.
The role of a priming crystal in the process of single-crystal growing is described. It is shown that the traditional method of arrangement of a priming crystal during melting makes it possible to grow a single-crystal only of one orientation. The number of orientations of single-crystals grown 0n one priming crystal can be increased if to locate a cylindrical priming crystal horizontally. Here, the growth of the single-crystal will be realized not from the edge surface, but from the lateral surface of the priming crystal. The use of a combined priming crystal formed by a mechanical joining of perfectly oriented small priming crystals into a single whole is challenging. The use of the combined priming crystals will allow growing of large single-crystals with more perfect structure, single-face closed surfaces, bicrystals.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:43:55Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-160269 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7681 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:43:55Z |
| publishDate | 2001 |
| publisher | Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Шаповалов, В.А. 2019-10-29T19:08:19Z 2019-10-29T19:08:19Z 2001 Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена / В.А. Шаповалов // Проблемы специальной электрометаллургии. — 2001. — № 3(64). — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 0233-7681 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160269 669.187.58.001.5 Описана роль затравочного кристалла в процессе выращивания монокристаллов. Показано, что традиционный способ расположения затравочного кристалла при плавке позволяет вырастить монокристалл только одной ориентации. Количество ориентаций монокристаллов, выращиваемых на одном затравочном кристалле, может быть увеличено, если цилиндрический затравочный кристалл расположить горизонтально. При этом рост монокристалла будет осуществляться не с торцевой, а с боковой поверхности затравочного кристалла. Более значительные перспективы открывает применение составного затравочного кристалла, образованного путем механического соединения в единое целое отдельных, идеально ориентированных небольших затравочных кристалликов. Использование составных затравочных кристаллов позволяет вырастить крупные монокристаллы с более совершенной структурой, моногранные замкнутые поверхности, бикристаллы и др. The role of a priming crystal in the process of single-crystal growing is described. It is shown that the traditional method of arrangement of a priming crystal during melting makes it possible to grow a single-crystal only of one orientation. The number of orientations of single-crystals grown 0n one priming crystal can be increased if to locate a cylindrical priming crystal horizontally. Here, the growth of the single-crystal will be realized not from the edge surface, but from the lateral surface of the priming crystal. The use of a combined priming crystal formed by a mechanical joining of perfectly oriented small priming crystals into a single whole is challenging. The use of the combined priming crystals will allow growing of large single-crystals with more perfect structure, single-face closed surfaces, bicrystals. ru Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України Проблемы специальной электрометаллургии Плазменно-дуговая технология Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена Priming crystals for plasma-induction growing of single-crystals of tungsten and molybdenum Article published earlier |
| spellingShingle | Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена Шаповалов, В.А. Плазменно-дуговая технология |
| title | Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена |
| title_alt | Priming crystals for plasma-induction growing of single-crystals of tungsten and molybdenum |
| title_full | Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена |
| title_fullStr | Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена |
| title_full_unstemmed | Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена |
| title_short | Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена |
| title_sort | затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена |
| topic | Плазменно-дуговая технология |
| topic_facet | Плазменно-дуговая технология |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160269 |
| work_keys_str_mv | AT šapovalovva zatravočnyekristallydlâplazmennoindukcionnogovyraŝivaniâmonokristallovvolʹframaimolibdena AT šapovalovva primingcrystalsforplasmainductiongrowingofsinglecrystalsoftungstenandmolybdenum |