Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена - Шаповалов, В.А. (Проблемы специальной электрометаллургии, 2001)
Описана роль затравочного кристалла в процессе выращивания монокристаллов. Показано, что традиционный способ расположения затравочного кристалла при плавке позволяет вырастить монокристалл только одной ориентации. Количество ориентаций монокристаллов, выращиваемых на одном затравочном кристалле, может быть увеличено, если цилиндрический затравочный кристалл расположить горизонтально. При этом рост монокристалла будет осуществляться не с торцевой, а с боковой поверхности затравочного кристалла. Более значительные перспективы открывает применение составного затравочного кристалла, образованного путем механического соединения в единое целое отдельных, идеально ориентированных небольших затравочных кристалликов. Использование составных затравочных кристаллов позволяет вырастить крупные монокристаллы с более совершенной структурой, моногранные замкнутые поверхности, бикристаллы и др. The role of a priming crystal in the process of single-crystal growing is described. It is shown that the traditional method of arrangement of a priming crystal during melting makes it possible to grow a single-crystal only of one orientation. The number of orientations of single-crystals grown 0n one priming crystal can be increased if to locate a cylindrical priming crystal horizontally. Here, the growth of the single-crystal will be realized not from the edge surface, but from the lateral surface of the priming crystal. The use of a combined priming crystal formed by a mechanical joining of perfectly oriented small priming crystals into a single whole is challenging. The use of the combined priming crystals will allow growing of large single-crystals with more perfect structure, single-face closed surfaces, bicrystals.