Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена

• Veröffentlicht in: Проблемы специальной электрометаллургии
• Datum: 2001
• 1. Verfasser: Шаповалов, В.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України 2001
• Schlagworte: Плазменно-дуговая технология
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160269
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Затравочные кристаллы для плазменно-индукционного выращивания монокристаллов вольфрама и молибдена / В.А. Шаповалов // Проблемы специальной электрометаллургии. — 2001. — № 3(64). — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Описана роль затравочного кристалла в процессе выращивания монокристаллов. Показано, что традиционный способ расположения затравочного кристалла при плавке позволяет вырастить монокристалл только одной ориентации. Количество ориентаций монокристаллов, выращиваемых на одном затравочном кристалле, мож...