Тепловое поле монокристалла вольфрама при плазменно-индукционной зоной плавке

Выбрана математическая модель для исследования тепловых полей монокристаллов вольфрама при нагреве различными источниками: плазменно-дуговым, высокочастотным и комбинированным - плазменным + высокочастотным. Показано, что комбинированный нагрев позволяет управлять формой поверхности раздела фаз. В о...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Проблемы специальной электрометаллургии
Datum:2002
1. Verfasser: Шаповалов, В.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України 2002
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/160364
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Тепловое поле монокристалла вольфрама при плазменно-индукционной зоной плавке / В.А. Шаповалов // Проблемы специальной электрометаллургии. — 2002. — № 4(69). — С. 30-32. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Выбрана математическая модель для исследования тепловых полей монокристаллов вольфрама при нагреве различными источниками: плазменно-дуговым, высокочастотным и комбинированным - плазменным + высокочастотным. Показано, что комбинированный нагрев позволяет управлять формой поверхности раздела фаз. В определенных условиях поверхность может стать практически плоской. Наибольшая эффективность управления тепловым полем достигается, когда весь кристалл обогревается индуктором. Mathematical model has been selected for study of thermal fields of single crystals during heating with different sources: plasma-arc, high-frequency and combined plasma + high-frequency. It is shown that the combined heating makes it possible to control the curvature of phase interface. Under certain conditions the surface can become almost plane. The highest efficiency of the thermal field control is attained when all the crystal is heated by an inductor.
ISSN:0233-7681