Структура и электрофизические свойства композита алмаз–графен–карбид кремния

• Опубліковано в: : Сверхтвердые материалы
• Дата: 2018
• Автори: Шульженко, А.А., Яворска, Л., Соколов, А.Н., Романко, Л.А., Гаргин, В.Г., Белявина, Н.Н., Ткач, В.Н., Закора, А.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України 2018
• Теми: Листи до редакції
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167277
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Структура и электрофизические свойства композита алмаз–графен–карбид кремния / А.А. Шульженко, Л. Яворска, А.Н. Соколов, Л.А. Романко, В.Г. Гаргин, Н.Н. Белявина, В.Н. Ткач, А.П. Закора // Надтверді матеріали. — 2018. — № 6 (236). — С. 92-96. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Изучено влияние добавки n-слойного графена Gn(4) и нанокарбида кремния при спекании в условиях высокого давления и высокой температуры с пропиткой шихты кремнием на структуру и электрофизические свойства алмазного композита. Вивчено вплив добавки n-шарового графена Gn(4) і нанокарбіда кремнію при спіканні в умовах високого тиску й високої температури з просоченням шихти кремнієм на структуру та електрофізичні властивості алмазного композита. The effect of the addition of n-layer graphene Gn(4) and silicon nanocarbide on sintering under the conditions of HPNT with impregnation of silicon charge on the structure and electrophysical properties of the diamond composite was studied.