Структура и электрофизические свойства композита алмаз–графен–карбид кремния - Шульженко, А.А.; Яворска, Л.; Соколов, А.Н.; Романко, Л.А.; Гаргин, В.Г.; Белявина, Н.Н.; Ткач, В.Н.; Закора, А.П. (Сверхтвердые материалы, 2018)
Изучено влияние добавки n-слойного графена Gn(4) и нанокарбида кремния при спекании в условиях высокого давления и высокой температуры с пропиткой шихты кремнием на структуру и электрофизические свойства алмазного композита. Вивчено вплив добавки n-шарового графена Gn(4) і нанокарбіда кремнію при спіканні в умовах високого тиску й високої температури з просоченням шихти кремнієм на структуру та електрофізичні властивості алмазного композита. The effect of the addition of n-layer graphene Gn(4) and silicon nanocarbide on sintering under the conditions of HPNT with impregnation of silicon charge on the structure and electrophysical properties of the diamond composite was studied.