Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
Thermal conductivity of single-crystal boron-doped diamonds (BDD) with ~ 2∙10¹⁹ cm⁻³ (~ 120 ppm) and 5∙10¹⁹ cm⁻³ (~ 300 ppm) boron content was studied by a steady-state method in a temperature range of 20–400. K. The obtained data were analyzed within Callaway model framework. The values of dislocat...
Saved in:
| Published in: | Сверхтвердые материалы |
|---|---|
| Date: | 2019 |
| Main Authors: | , , , , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України
2019
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167288 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects / D. Prikhodko, S. Tarelkin, V. Bormashov, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, N. Kornilov, A. Volkov, A. Buga // Надтверді матеріали. — 2019. — № 1 (237). — С. 33-41. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862564046275870720 |
|---|---|
| author | Prikhodko, D. Tarelkin, S. Bormashov, V. Golovanov, A. Kuznetsov, M. Teteruk, D. Kornilov, N. Volkov, A. Buga, A. |
| author_facet | Prikhodko, D. Tarelkin, S. Bormashov, V. Golovanov, A. Kuznetsov, M. Teteruk, D. Kornilov, N. Volkov, A. Buga, A. |
| citation_txt | Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects / D. Prikhodko, S. Tarelkin, V. Bormashov, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, N. Kornilov, A. Volkov, A. Buga // Надтверді матеріали. — 2019. — № 1 (237). — С. 33-41. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Сверхтвердые материалы |
| description | Thermal conductivity of single-crystal boron-doped diamonds (BDD) with ~ 2∙10¹⁹ cm⁻³ (~ 120 ppm) and 5∙10¹⁹ cm⁻³ (~ 300 ppm) boron content was studied by a steady-state method in a temperature range of 20–400. K. The obtained data were analyzed within Callaway model framework. The values of dislocation density obtained from best fit of experimental data and from density of etch pits measuring were compared. Their discrepancy suggests presence of some other boron-related defects in crystal lattice.
Теплопровідність монокристала, легованого бору (BDD) із вмістом бору ~ 2∙10¹⁹ cм⁻³ (~ 120 ppm) та 5∙10¹⁹ cм⁻³ (~ 300 ppm), було вивчено прийнятим методом в температурному діапазоні 20–400 К. Результати було проаналізовано в рамках моделі Каллавэй. Отримані значення щільності дислокацій добре узгоджуються з експериментальними даними і збігаються зі щільністю яскравих ямок травлення. Їх відмінність передбачає наявність деяких інших пов’язаних з бором дефектів в кристалічній решітці.
Теплопроводность монокристалла, легированного бором (BDD) с содержанием бора ~ 2∙10¹⁹ cм⁻³ (~ 120 ppm) и 5∙10¹⁹ cм⁻³ (~ 300 ppm), была изучена принятым методом в температурном диапазоне 20–400 К. Полученные данные были проанализированы в рамках модели Каллавэй. Полученные значения плотности дислокаций хорошо согласовывались с экспериментальными данными и сравнивались с плотностью ямок травления. Их различие предполагает присутствие некоторых других связанных с бором дефектов в кристаллической решетке.
|
| first_indexed | 2025-11-25T23:29:45Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-167288 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0203-3119 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-25T23:29:45Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Prikhodko, D. Tarelkin, S. Bormashov, V. Golovanov, A. Kuznetsov, M. Teteruk, D. Kornilov, N. Volkov, A. Buga, A. 2020-03-23T13:05:05Z 2020-03-23T13:05:05Z 2019 Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects / D. Prikhodko, S. Tarelkin, V. Bormashov, A. Golovanov, M. Kuznetsov, D. Teteruk, N. Kornilov, A. Volkov, A. Buga // Надтверді матеріали. — 2019. — № 1 (237). — С. 33-41. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. 0203-3119 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167288 21.921.34:661.65:537.31 Thermal conductivity of single-crystal boron-doped diamonds (BDD) with ~ 2∙10¹⁹ cm⁻³ (~ 120 ppm) and 5∙10¹⁹ cm⁻³ (~ 300 ppm) boron content was studied by a steady-state method in a temperature range of 20–400. K. The obtained data were analyzed within Callaway model framework. The values of dislocation density obtained from best fit of experimental data and from density of etch pits measuring were compared. Their discrepancy suggests presence of some other boron-related defects in crystal lattice. Теплопровідність монокристала, легованого бору (BDD) із вмістом бору ~ 2∙10¹⁹ cм⁻³ (~ 120 ppm) та 5∙10¹⁹ cм⁻³ (~ 300 ppm), було вивчено прийнятим методом в температурному діапазоні 20–400 К. Результати було проаналізовано в рамках моделі Каллавэй. Отримані значення щільності дислокацій добре узгоджуються з експериментальними даними і збігаються зі щільністю яскравих ямок травлення. Їх відмінність передбачає наявність деяких інших пов’язаних з бором дефектів в кристалічній решітці. Теплопроводность монокристалла, легированного бором (BDD) с содержанием бора ~ 2∙10¹⁹ cм⁻³ (~ 120 ppm) и 5∙10¹⁹ cм⁻³ (~ 300 ppm), была изучена принятым методом в температурном диапазоне 20–400 К. Полученные данные были проанализированы в рамках модели Каллавэй. Полученные значения плотности дислокаций хорошо согласовывались с экспериментальными данными и сравнивались с плотностью ямок травления. Их различие предполагает присутствие некоторых других связанных с бором дефектов в кристаллической решетке. This work was carried out using the facility of the Shared-Use Equipment Center of the Technological Institute for Superhard and Novel Carbon Materials supported by Ministry of Education and Science of Russian Federation within the agreement RFMEFI59317X0007 #14.593.21.007 en Інститут надтвердих матеріалів ім. В.М. Бакуля НАН України Сверхтвердые материалы Одержання, структура, властивості Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects Article published earlier |
| spellingShingle | Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects Prikhodko, D. Tarelkin, S. Bormashov, V. Golovanov, A. Kuznetsov, M. Teteruk, D. Kornilov, N. Volkov, A. Buga, A. Одержання, структура, властивості |
| title | Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects |
| title_full | Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects |
| title_fullStr | Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects |
| title_full_unstemmed | Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects |
| title_short | Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects |
| title_sort | low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: influence of boron-related structure defects |
| topic | Одержання, структура, властивості |
| topic_facet | Одержання, структура, властивості |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167288 |
| work_keys_str_mv | AT prikhodkod lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects AT tarelkins lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects AT bormashovv lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects AT golovanova lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects AT kuznetsovm lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects AT teterukd lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects AT kornilovn lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects AT volkova lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects AT bugaa lowtemperaturethermalconductivityofheavilyborondopedsyntheticdiamondinfluenceofboronrelatedstructuredefects |