Властивості, структура, способи одержання матеріалів на основі оксиду індію та їх практичне застосування у технологіях напівпровідникової та електронної техніки (Огляд)

Наведено огляд літературних даних щодо загальних властивостей та структури оксиду індію In₂O₃, проведено аналіз методів одержання матеріалів на його основі, розглянуто застосування оксиду індію у різних галузях напівпровідникової та електронної техніки. Представлен обзор литературных данных по общим...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Адгезия расплавов и пайка материалов
Дата:2019
Автори: Григоренко, М.Ф., Черніговцев, Є.П.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України 2019
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167470
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Властивості, структура, способи одержання матеріалів на основі оксиду індію та їх практичне застосування у технологіях напівпровідникової та електронної техніки (Огляд) / М.Ф. Григоренко, Є.П. Черніговцев // Адгезия расплавов и пайка материалов. — 2019. — Вып. 52. — С. 45-61. — Бібліогр.: 90 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Наведено огляд літературних даних щодо загальних властивостей та структури оксиду індію In₂O₃, проведено аналіз методів одержання матеріалів на його основі, розглянуто застосування оксиду індію у різних галузях напівпровідникової та електронної техніки. Представлен обзор литературных данных по общим свойствам и строению оксида индия (In₂O₃), проведен анализ методов получения материалов на его основе, рассмотрено применение оксида индия в разных отраслях электронной техники. Review of literary data concerning general properties and structure of indium oxide (In₂O₃) and the analysis of methods of obtaining of the indium oxide based materials is presented and their use in different fields of electronic technique is examined.
ISSN:0136-1732