Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si
Предмет і мета роботи. Предметом досліджень є електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури МoN/n-Si, отриманої шляхом напилення тонкої плівки нітриду молібдену (n-типу провідності) методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні пластини кремнію n-типу провідності. Метою...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Радіофізика та електроніка |
|---|---|
| Дата: | 2019 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167797 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si / М.М. Солован, П.Д. Мар’янчук // Радіофізика та електроніка. — 2019. — Т. 24, № 2. — С. 49-56. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860270564699013120 |
|---|---|
| author | Солован, М.М. Мар’янчук, П.Д. |
| author_facet | Солован, М.М. Мар’янчук, П.Д. |
| citation_txt | Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si / М.М. Солован, П.Д. Мар’янчук // Радіофізика та електроніка. — 2019. — Т. 24, № 2. — С. 49-56. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радіофізика та електроніка |
| description | Предмет і мета роботи. Предметом досліджень є електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури МoN/n-Si, отриманої шляхом напилення тонкої плівки нітриду молібдену (n-типу провідності) методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні пластини кремнію n-типу провідності. Метою роботи є виготовлення фоточутливих поверхнево-бар’єрних структур МoN/n-Si, визначення бар’єрних параметрів та домінуючих механізмів струмоперенесення через отриману гетероструктуру при прямому та зворотному зміщеннях, дослідження фотоелектричних властивостей та причин втрат фотогенерованих носіїв заряду в отриманих гетероструктурах.
Предмет и цель работы. Предметом исследований являются электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры МoN/n-Si, полученной путем напыления тонкой пленки нитрида молибдена (n-типа проводимости) методом реактивного магнетронного распыления на монокристаллические пластины кремния n-типа проводимости. Целью работы является изготовление фоточувствительных поверхностно-барьерных структур МoN/n-Si, определение барьерных параметров и доминирующих механизмов токопереноса сквозь полученную гетероструктуру при прямом и обратном смещениях, исследование фотоэлектрических свойств и причин потерь фотогенерированных носителей заряда в полученных гетероструктурах.
Subject and purpose. The subject of research is the electrical and photoelectric properties of the МoN/n-Si heterostructure fabricated for the first time by means of the deposition of thin film of molybdenum nitride (n-type conductivity) by the reactive magnetron sputtering onto single crystal substrates of n-type Si. The purpose of the work is to fabricate the photosensitive MoN/n-Si surface-barrier structures, determine the barrier parameters and dominant mechanisms of current transfer through the obtained heterostructure at direct and reverse biases, investigate the photoelectric properties and causes of losses of photogenerated charge carriers in the obtained heterostructures.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:05:58Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-167797 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1028-821X |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:05:58Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Солован, М.М. Мар’янчук, П.Д. 2020-04-09T16:52:16Z 2020-04-09T16:52:16Z 2019 Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si / М.М. Солован, П.Д. Мар’янчук // Радіофізика та електроніка. — 2019. — Т. 24, № 2. — С. 49-56. — Бібліогр.: 16 назв. — укр. 1028-821X PACS: 71.55.Gs, 72.80.Ey, 73.20.Hb, 73.40.Gk, 73.40.Lq, 85.60.Bt DOI: https://doi.org/10.15407/rej2019.02.049 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167797 621.383.52 Предмет і мета роботи. Предметом досліджень є електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури МoN/n-Si, отриманої шляхом напилення тонкої плівки нітриду молібдену (n-типу провідності) методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні пластини кремнію n-типу провідності. Метою роботи є виготовлення фоточутливих поверхнево-бар’єрних структур МoN/n-Si, визначення бар’єрних параметрів та домінуючих механізмів струмоперенесення через отриману гетероструктуру при прямому та зворотному зміщеннях, дослідження фотоелектричних властивостей та причин втрат фотогенерованих носіїв заряду в отриманих гетероструктурах. Предмет и цель работы. Предметом исследований являются электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры МoN/n-Si, полученной путем напыления тонкой пленки нитрида молибдена (n-типа проводимости) методом реактивного магнетронного распыления на монокристаллические пластины кремния n-типа проводимости. Целью работы является изготовление фоточувствительных поверхностно-барьерных структур МoN/n-Si, определение барьерных параметров и доминирующих механизмов токопереноса сквозь полученную гетероструктуру при прямом и обратном смещениях, исследование фотоэлектрических свойств и причин потерь фотогенерированных носителей заряда в полученных гетероструктурах. Subject and purpose. The subject of research is the electrical and photoelectric properties of the МoN/n-Si heterostructure fabricated for the first time by means of the deposition of thin film of molybdenum nitride (n-type conductivity) by the reactive magnetron sputtering onto single crystal substrates of n-type Si. The purpose of the work is to fabricate the photosensitive MoN/n-Si surface-barrier structures, determine the barrier parameters and dominant mechanisms of current transfer through the obtained heterostructure at direct and reverse biases, investigate the photoelectric properties and causes of losses of photogenerated charge carriers in the obtained heterostructures. uk Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України Радіофізика та електроніка Вакуумна та твердотільна електроніка Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si Электрические и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур МoN/n-Si Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si Article published earlier |
| spellingShingle | Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si Солован, М.М. Мар’янчук, П.Д. Вакуумна та твердотільна електроніка |
| title | Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si |
| title_alt | Электрические и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур МoN/n-Si Electrical and photoelectrical properties of the surface-barrier structures MoN/n-Si |
| title_full | Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si |
| title_fullStr | Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si |
| title_full_unstemmed | Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si |
| title_short | Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si |
| title_sort | електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур мon/n-si |
| topic | Вакуумна та твердотільна електроніка |
| topic_facet | Вакуумна та твердотільна електроніка |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167797 |
| work_keys_str_mv | AT solovanmm električníífotoelektričnívlastivostípoverhnevobarêrnihstrukturmonnsi AT marânčukpd električníífotoelektričnívlastivostípoverhnevobarêrnihstrukturmonnsi AT solovanmm élektričeskieifotoélektričeskiesvoistvapoverhnostnobarʹernyhstrukturmonnsi AT marânčukpd élektričeskieifotoélektričeskiesvoistvapoverhnostnobarʹernyhstrukturmonnsi AT solovanmm electricalandphotoelectricalpropertiesofthesurfacebarrierstructuresmonnsi AT marânčukpd electricalandphotoelectricalpropertiesofthesurfacebarrierstructuresmonnsi |