Cover Image

Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si

Предмет і мета роботи. Предметом досліджень є електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури МoN/n-Si, отриманої шляхом напилення тонкої плівки нітриду молібдену (n-типу провідності) методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні пластини кремнію n-типу провідності. Метою...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Радіофізика та електроніка
Date:2019
Main Authors: Солован, М.М., Мар’янчук, П.Д.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут радіофізики і електроніки ім. А.Я. Усикова НАН України 2019
Subjects:
Вакуумна та твердотільна електроніка
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167797
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Електричні і фотоелектричні властивості поверхнево-бар'єрних структур МoN/n-Si / М.М. Солован, П.Д. Мар’янчук // Радіофізика та електроніка. — 2019. — Т. 24, № 2. — С. 49-56. — Бібліогр.: 16 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items