Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
The paper considers the causes and mechanisms of the influence of defects and impurities on the reverse current of the Schottky diode. The influence of two getter regions, which were created by different technologies on the working side and the reverse side of the plate, on the value of the reverse...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2019 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167866 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering / V.N. Litvinenko, I.М. Vikulin, V.E. Gorbachev // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 1-2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862657635513270272 |
|---|---|
| author | Litvinenko, V.N. Vikulin, I.М. Gorbachev, V.E. |
| author_facet | Litvinenko, V.N. Vikulin, I.М. Gorbachev, V.E. |
| citation_txt | Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering / V.N. Litvinenko, I.М. Vikulin, V.E. Gorbachev // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 1-2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | The paper considers the causes and mechanisms of the influence of defects and impurities on the reverse current of the Schottky diode. The influence of two getter regions, which were created by different technologies on the working side and the reverse side of the plate, on the value of the reverse current of diodes was experimentally investigated, and the physical factors of such influence were analyzed. The proposed technology for creating getter regions allows one to significantly reduce the reverse current of diodes and increase the product yield.
В настоящей работе исследованы влияние структурных дефектов и примесных загрязнений поверхности на уровень обратных токов ДШ и эффективность применения операций геттерирования для его снижения и повышения выхода годных приборов. Установлено, что причинами низкого процента выхода годных структур ДШ при контроле уровня их обратных токов являются окислительные дефекты упаковки, образующиеся в активных областях диодов в процессе проведения термического окисления, и примесные загрязнения на поверхности диодных структур. Предложена технология изготовления структур ДШ с двумя геттерными областями, одна из которых создана имплантацией аргона на обратной стороне пластины, вторая — диффузией бора на рабочей стороне пластины.
У даній роботі досліджено вплив структурних дефектів і домішкових забруднень поверхні на рівень зворотних струмів ДШ і ефективність застосування операцій гетерування для його зниження і підвищення виходу придатних приладів. Встановлено, що причинами низького відсотка виходу придатних структур ДШ при контролі рівня їх зворотних струмів є окислювальні дефекти упаковки, що утворюються в активних областях діодів в процесі проведення термічного окислення, і домішкові забруднення на поверхні діодних структур. Запропоновано технологію виготовлення структур ДШ з двома гетерними областями, одна з яких створена імплантацією аргону на зворотному боці пластини, друга — дифузією бору на робочій стороні пластини.
|
| first_indexed | 2025-12-02T06:21:26Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-167866 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-02T06:21:26Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Litvinenko, V.N. Vikulin, I.М. Gorbachev, V.E. 2020-04-12T11:45:54Z 2020-04-12T11:45:54Z 2019 Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering / V.N. Litvinenko, I.М. Vikulin, V.E. Gorbachev // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 1-2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2019.1-2.34 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167866 621.382 The paper considers the causes and mechanisms of the influence of defects and impurities on the reverse current of the Schottky diode. The influence of two getter regions, which were created by different technologies on the working side and the reverse side of the plate, on the value of the reverse current of diodes was experimentally investigated, and the physical factors of such influence were analyzed. The proposed technology for creating getter regions allows one to significantly reduce the reverse current of diodes and increase the product yield. В настоящей работе исследованы влияние структурных дефектов и примесных загрязнений поверхности на уровень обратных токов ДШ и эффективность применения операций геттерирования для его снижения и повышения выхода годных приборов. Установлено, что причинами низкого процента выхода годных структур ДШ при контроле уровня их обратных токов являются окислительные дефекты упаковки, образующиеся в активных областях диодов в процессе проведения термического окисления, и примесные загрязнения на поверхности диодных структур. Предложена технология изготовления структур ДШ с двумя геттерными областями, одна из которых создана имплантацией аргона на обратной стороне пластины, вторая — диффузией бора на рабочей стороне пластины. У даній роботі досліджено вплив структурних дефектів і домішкових забруднень поверхні на рівень зворотних струмів ДШ і ефективність застосування операцій гетерування для його зниження і підвищення виходу придатних приладів. Встановлено, що причинами низького відсотка виходу придатних структур ДШ при контролі рівня їх зворотних струмів є окислювальні дефекти упаковки, що утворюються в активних областях діодів в процесі проведення термічного окислення, і домішкові забруднення на поверхні діодних структур. Запропоновано технологію виготовлення структур ДШ з двома гетерними областями, одна з яких створена імплантацією аргону на зворотному боці пластини, друга — дифузією бору на робочій стороні пластини. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering Улучшение обратных характеристик диода Шотки при использовани гемтерирования Поліпшення зворотних характеристик діода шотткі при використанні гетерування Article published earlier |
| spellingShingle | Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering Litvinenko, V.N. Vikulin, I.М. Gorbachev, V.E. Технологические процессы и оборудование |
| title | Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering |
| title_alt | Улучшение обратных характеристик диода Шотки при использовани гемтерирования Поліпшення зворотних характеристик діода шотткі при використанні гетерування |
| title_full | Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering |
| title_fullStr | Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering |
| title_full_unstemmed | Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering |
| title_short | Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering |
| title_sort | improvement of the reverse characteristics of schottky diodes using gettering |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167866 |
| work_keys_str_mv | AT litvinenkovn improvementofthereversecharacteristicsofschottkydiodesusinggettering AT vikulinim improvementofthereversecharacteristicsofschottkydiodesusinggettering AT gorbachevve improvementofthereversecharacteristicsofschottkydiodesusinggettering AT litvinenkovn ulučšenieobratnyhharakteristikdiodašotkipriispolʹzovanigemterirovaniâ AT vikulinim ulučšenieobratnyhharakteristikdiodašotkipriispolʹzovanigemterirovaniâ AT gorbachevve ulučšenieobratnyhharakteristikdiodašotkipriispolʹzovanigemterirovaniâ AT litvinenkovn polípšennâzvorotnihharakteristikdíodašottkíprivikoristannígeteruvannâ AT vikulinim polípšennâzvorotnihharakteristikdíodašottkíprivikoristannígeteruvannâ AT gorbachevve polípšennâzvorotnihharakteristikdíodašottkíprivikoristannígeteruvannâ |