Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
The paper considers the causes and mechanisms of the influence of defects and impurities on the reverse current of the Schottky diode. The influence of two getter regions, which were created by different technologies on the working side and the reverse side of the plate, on the value of the reverse...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2019 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/167866 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering / V.N. Litvinenko, I.М. Vikulin, V.E. Gorbachev // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2019. — № 1-2. — С. 34-39. — Бібліогр.: 23 назв. — англ. |